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发明公开
半导体器件及其制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN118073316A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202311406051.X

申请日：2023-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宗赫 , 金康仁 , 金奎完 , 金民澈 , 金永锡 , 吴泰雄

IPC: H01L23/528 , H01L21/768 , H01L29/36 , H01L29/04

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的衬底凹槽；栅极绝缘层，共形地覆盖衬底凹槽的内壁；含金属图案，设置在栅极绝缘层上并填充衬底凹槽的下部；硅图案，设置在衬底凹槽中的含金属图案上；以及在衬底凹槽中的硅图案上的字线覆盖图案，硅图案包括覆盖含金属图案的上表面和栅极绝缘层的侧表面并具有形成在其上的图案凹槽的第一硅图案以及填充图案凹槽的第二硅图案，第一硅图案具有第一杂质浓度，第二硅图案具有比第一杂质浓度小的第二杂质浓度。

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