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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109817516B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN201811384728.3
申请日：2018-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，包括单元内区域及划片槽，所述划片槽界定所述单元内区域；第一重叠图案，位于所述半导体衬底上；以及第二重叠图案，邻近所述第一重叠图案，其中所述第一重叠图案是衍射式重叠(DBO)图案，且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜(SEM)重叠图案。本公开的半导体装置可改善重叠一致性且减小对重叠图案的损坏。
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公开(公告)号：CN105319865A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455256.6
申请日：2015-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F1/38 , G03F1/44 , H01L21/027 , H01L21/0274
Abstract: 一种光掩模包括焦距测量标记区域，该焦距测量标记区域包括多个焦距监控图案。为了测量形成在基板上的特征图案的焦距变化，使用用于光刻测量的基板对象，该基板对象包括形成在与特征图案相同的水平上的焦距测量标记。一种光刻测量装置包括：投射器件，包括偏振器；检测器件，检测由要被测量的基板的焦距测量标记衍射的输出光束当中的±n级衍射光束的功率；以及确定器件，从±n级衍射光束之间的功率偏差来确定特征图案所经受的散焦。
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公开(公告)号：CN113782513A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110343914.8
申请日：2021-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/02 , G06F30/3953
Abstract: 一种集成电路(IC)，包括：第一单元，包括在第一方向上延伸的输入引脚和输出引脚；第二单元，在所述第一方向上邻近所述第一单元，并且包括在所述第一方向上延伸的输入引脚和输出引脚；第一单元隔离层，在与所述第一方向交叉的第二方向上在所述第一单元和所述第二单元之间延伸；以及第一配线，在所述第一方向上延伸，与所述第一单元隔离层重叠，并且连接到所述第一单元的输出引脚和所述第二单元的输入引脚，其中，所述第一单元的输出引脚、所述第二单元的输入引脚和所述第一配线形成在第一导电层中，作为在所述第一方向上延伸的第一图案。
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公开(公告)号：CN109817516A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811384728.3
申请日：2018-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体装置包括：半导体衬底，包括单元内区域及划片槽，所述划片槽界定所述单元内区域；第一重叠图案，位于所述半导体衬底上；以及第二重叠图案，邻近所述第一重叠图案，其中所述第一重叠图案是衍射式重叠(DBO)图案，且所述第二重叠图案是扫描电子显微镜(SEM)重叠图案。本公开的半导体装置可改善重叠一致性且减小对重叠图案的损坏。
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公开(公告)号：CN105319865B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201510455256.6
申请日：2015-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70641 , G03F1/38 , G03F1/44 , H01L21/027 , H01L21/0274
Abstract: 一种光掩模包括焦距测量标记区域，该焦距测量标记区域包括多个焦距监控图案。为了测量形成在基板上的特征图案的焦距变化，使用用于光刻测量的基板对象，该基板对象包括形成在与特征图案相同的水平上的焦距测量标记。一种光刻测量装置包括：投射器件，包括偏振器；检测器件，检测由要被测量的基板的焦距测量标记衍射的输出光束当中的±n级衍射光束的功率；以及确定器件，从±n级衍射光束之间的功率偏差来确定特征图案所经受的散焦。
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