公开(公告)号：CN113782513A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202110343914.8

申请日：2021-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容彻 ,  权住妍 ,  朴尚度

IPC: H01L23/528 ,  H01L27/02 ,  G06F30/3953

Abstract: 一种集成电路(IC)，包括：第一单元，包括在第一方向上延伸的输入引脚和输出引脚；第二单元，在所述第一方向上邻近所述第一单元，并且包括在所述第一方向上延伸的输入引脚和输出引脚；第一单元隔离层，在与所述第一方向交叉的第二方向上在所述第一单元和所述第二单元之间延伸；以及第一配线，在所述第一方向上延伸，与所述第一单元隔离层重叠，并且连接到所述第一单元的输出引脚和所述第二单元的输入引脚，其中，所述第一单元的输出引脚、所述第二单元的输入引脚和所述第一配线形成在第一导电层中，作为在所述第一方向上延伸的第一图案。

公开(公告)号：CN119990041A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202410708167.7

申请日：2024-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权住妍 ,  姜承勳

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/398 ,  G06F30/327

Abstract: 提供了半导体集成电路、其制造方法和半导体装置。所述半导体集成电路包括第一区域和除了第一区域之外的剩余区域。所述制造方法包括：将标准单元布局在剩余区域中；生成将标准单元连接的布线结构；基于预定义的设计规则将子电力抽头单元布局在第一区域中；以及验证子电力抽头单元和标准单元是否符合预定义的设计规则。