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公开(公告)号：CN109935682B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201811398018.6
申请日：2018-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁性存储器装置和用于制造其的方法，所述磁性存储器装置包括：基底；隧道势垒图案，位于基底上；第一磁性图案和第二磁性图案，彼此分隔开并且隧道势垒图案位于第一磁性图案和第二磁性图案之间；以及短路防止图案，与隧道势垒图案分隔开并且第二磁性图案位于短路防止图案和隧道势垒图案之间。短路防止图案包括交替堆叠的至少两个氧化物层和至少两个金属层。
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公开(公告)号：CN107689418B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201710645754.6
申请日：2017-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种磁存储器件，其包括具有自由图案、参考图案、以及在自由图案与参考图案之间的隧道势垒图案的磁隧道结图案。自由图案包括第一子自由图案、第二子自由图案和第三子自由图案。第一子自由图案在隧道势垒图案与第三子自由图案之间，第二子自由图案在第一子自由图案与第三子自由图案之间。第二子自由图案包括镍‑钴‑铁‑硼(NiCoFeB)，第三子自由图案包括镍‑铁‑硼(NiFeB)。还提供了相关的制造方法。
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公开(公告)号：CN114824061A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111596582.0
申请日：2021-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板；在基板上的下电极；在下电极上的磁隧道结结构，该磁隧道结结构包括依次堆叠的钉扎层、隧道势垒层和自由层；在磁隧道结结构上的上电极；以及在自由层和上电极之间的氧化控制层，该氧化控制层包括至少一个过滤层和至少一个氧化物层，其中所述至少一个过滤层包括MoCoFe。
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公开(公告)号：CN113270413A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110183995.X
申请日：2021-02-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11551 , H01L27/11568 , H01L27/11573 , H01L27/11578
Abstract: 一种半导体器件包括在第一方向上延伸的位线、在第二方向上延伸的栅电极、在第三方向上延伸并连接到位线的半导体图案、以及电容器。电容器包括连接到半导体图案的第一电极以及在第一电极和第二电极之间的电介质膜。第一方向或第二方向垂直于衬底的上表面。第一电极包括平行于衬底的上表面的上板区域和下板区域以及连接上板区域和下板区域的连接区域。第一电极的上板区域和下板区域中的每个包括彼此面对的上表面和下表面。电介质膜沿着第一电极的上板区域和下板区域中的每个的上表面和下表面延伸。
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公开(公告)号：CN109755380A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811317780.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁存储器件。一种磁存储器件包括：在基板上的第一电极；磁隧道结图案，包括顺序堆叠在第一电极上的第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；以及在磁隧道结图案上的第二电极。第一电极和/或第二电极关于磁隧道结图案的表面结合能相对低。
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公开(公告)号：CN118434155A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410125987.3
申请日：2024-01-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造磁存储器件的方法可以包括：在基板上形成底电极层；在底电极层上形成阻挡结构；在底电极层上执行第一沉积工艺以在底电极层上形成被钉扎磁性层、隧道势垒层和自由磁性层；在自由磁性层上执行第二沉积工艺以在自由磁性层上形成覆盖层；以及在覆盖层上形成硬掩模之后执行蚀刻工艺以形成磁隧道结图案。第一沉积工艺可以包括朝向基板照射第一光束。第二沉积工艺可以包括朝向基板照射第二光束。相对于垂直于基板的上表面的法线，第二光束可以具有比第一光束更大的角度。
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公开(公告)号：CN110896128B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910603076.6
申请日：2019-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思的示例实施方式提供了包括自旋轨道转矩线的半导体器件以及操作该半导体器件的方法。该半导体器件包括：存储层，包括至少一个第一磁性层；以及参考层，面对存储层并包括至少一个第二磁性层。该器件还包括在存储层和参考层之间的隧道势垒层。该器件还包括与存储层相邻的至少一个自旋轨道转矩线。
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公开(公告)号：CN116264817A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202211596076.6
申请日：2022-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻随机存取存储器件包括：被钉扎层；在被钉扎层上的隧道势垒层；在隧道势垒层上的自由层结构，该自由层结构包括多个磁性层和分别在相邻的磁性层之间的多个金属插入层；以及在自由层结构上的上氧化物层，其中每个金属插入层包括掺有磁性材料的非磁性金属材料，所述多个金属插入层彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN115811929A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210928321.2
申请日：2022-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金哉勋
Abstract: 一种嵌入式装置包括：衬底，所述衬底包括磁随机存取存储器(MRAM)区域，所述MRAM区域具有单元块区域；磁隧道结(MTJ)模块，所述MTJ模块位于所述单元块区域中，每个所述MTJ模块包括MTJ图案；绝缘中间层结构，所述绝缘中间层结构覆盖所述MTJ模块；以及磁场屏蔽结构，所述磁场屏蔽结构位于所述绝缘中间层结构中并且与所述单元块区域的外部相邻，每个所述磁场屏蔽结构至少从所述MTJ图案的上端面向所述MTJ图案的下端在垂直方向上延伸，并且每个所述磁场屏蔽结构包括铁磁材料。
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