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公开(公告)号：CN109841728A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811432213.6
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/08
Abstract: 一种磁存储器件包括在衬底上的下部层间绝缘层、以及多个磁隧道结图案，所述多个磁隧道结图案在下部层间绝缘层上并在平行于衬底的顶表面延伸的方向上彼此隔离。下部层间绝缘层包括上表面，该上表面包括凹入表面和顶表面，凹入表面至少部分地限定相邻磁隧道结图案之间的凹陷区域的内侧壁和底表面，使得凹入表面至少部分地限定该凹陷区域。所述内侧壁相对于衬底的顶表面以锐角倾斜，并且所述底表面具有在垂直于衬底的顶表面延伸的方向上朝向衬底的顶表面凸起的形状。
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公开(公告)号：CN109841728B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201811432213.6
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10N50/10
Abstract: 一种磁存储器件包括在衬底上的下部层间绝缘层、以及多个磁隧道结图案，所述多个磁隧道结图案在下部层间绝缘层上并在平行于衬底的顶表面延伸的方向上彼此隔离。下部层间绝缘层包括上表面，该上表面包括凹入表面和顶表面，凹入表面至少部分地限定相邻磁隧道结图案之间的凹陷区域的内侧壁和底表面，使得凹入表面至少部分地限定该凹陷区域。所述内侧壁相对于衬底的顶表面以锐角倾斜，并且所述底表面具有在垂直于衬底的顶表面延伸的方向上朝向衬底的顶表面凸起的形状。
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公开(公告)号：CN109935683B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811432190.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10N50/10
Abstract: 一种半导体器件包括：顺序地堆叠在衬底上的第一下绝缘夹层、保护绝缘层和第一上绝缘夹层，以及穿透第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的导电图案。导电图案包括线部分和接触部分，线部分沿与衬底的上表面平行的方向延伸，接触部分从线部分朝衬底延伸。接触部分彼此分开且其间具有绝缘图案。绝缘图案包括第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的每个的一部分。绝缘图案的至少一部分具有台阶状的轮廓。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113497185A
公开(公告)日：2021-10-12
申请号：CN202110056980.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种三维(3D)半导体存储器件，包括：第一单元堆叠，沿第一方向和第二方向布置；第二单元堆叠，设置在所述第一单元堆叠上并且沿所述第一方向和所述第二方向布置；第一导电线，沿所述第一方向延伸并且被设置在衬底与所述第一单元堆叠之间；公共导电线，沿所述第二方向延伸并且被设置在所述第一单元堆叠与所述第二单元堆叠之间；蚀刻停止图案，沿所述第二方向延伸并且被设置在所述第一单元堆叠的顶表面与所述公共导电线之间；第二导电线，沿所述第一方向延伸并且被设置在所述第二单元堆叠上；以及覆盖图案，覆盖所述公共导电线的侧壁和所述蚀刻停止图案的侧壁，其中，每条所述公共导电线的第二厚度大于每条所述第一导电线的第一厚度。
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公开(公告)号：CN113130740A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202010993806.0
申请日：2020-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器器件，所述存储器器件包括：多条第一导电线，布置在基底上并且在平行于基底的顶表面的第一方向上彼此间隔开；多个盖衬，位于多条第一导电线中的每条的侧壁上，多个盖衬具有在与多条第一导电线的顶表面的竖直水平相等的竖直水平处的顶表面以及在比多条第一导电线的底表面高的竖直水平处的底表面；以及绝缘层，位于基底上，绝缘层填充多条第一导电线之间的空间并且覆盖多个盖衬的侧壁。
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公开(公告)号：CN109935683A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201811432190.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/08
Abstract: 一种半导体器件包括：顺序地堆叠在衬底上的第一下绝缘夹层、保护绝缘层和第一上绝缘夹层，以及穿透第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的导电图案。导电图案包括线部分和接触部分，线部分沿与衬底的上表面平行的方向延伸，接触部分从线部分朝衬底延伸。接触部分彼此分开且其间具有绝缘图案。绝缘图案包括第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的每个的一部分。绝缘图案的至少一部分具有台阶状的轮廓。
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公开(公告)号：CN109841730A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811405048.5
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了磁存储器件及其制造方法。一种制造磁存储器件的方法可以包括：在基板上形成磁隧道结层；在磁隧道结层上顺序地形成掩模图案和顶电极图案；采用掩模图案和顶电极图案作为第一蚀刻掩模图案化磁隧道结层以形成磁隧道结图案；在掩模图案的侧表面、顶电极图案的侧表面和磁隧道结图案的侧表面上形成保护层，该保护层延伸以覆盖掩模图案的第一顶表面；去除保护层的在掩模图案的第一顶表面上的部分以暴露掩模图案的第一顶表面；以及去除掩模图案以暴露顶电极图案的第二顶表面。
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公开(公告)号：CN109755380A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811317780.7
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了磁存储器件。一种磁存储器件包括：在基板上的第一电极；磁隧道结图案，包括顺序堆叠在第一电极上的第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；以及在磁隧道结图案上的第二电极。第一电极和/或第二电极关于磁隧道结图案的表面结合能相对低。
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