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公开(公告)号：CN100442548C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410098366.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。
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公开(公告)号：CN100341159C
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN03136821.2
申请日：2003-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , Y10S257/918 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 提供一种高效发光二极管。该发光二极管包括一衬底；一第一化合物半导体，其被形成在衬底的上表面；一第一电极层，其被形成在第一化合物半导体层的一个区域之上；一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除去第一电极层所占区域的其余区域之上，从有源层中产生430nm或更短波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，并具有相对于衬底上表面面积的20%-80%的填充率。通过在20%-80%的范围内调整P型第二电极的尺寸，可以增强发射波长为430nm或更短波长光线的发光二极管的发光效应。
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公开(公告)号：CN1481032A
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN03149254.1
申请日：2003-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：透明的衬底；半导体材料层，形成在衬底的顶面上，并具有产生光的有源层；以及荧光层，形成在衬底的背面上，并具有不同的厚度。穿过荧光层传播时波段变化的光与有源层中产生的初始光的比率通过利用改变荧光层的厚度控制，从而从发光二极管中发射所需的均匀的白光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100541835C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN03149254.1
申请日：2003-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：透明的衬底；半导体材料层，形成在衬底的顶面上，并具有产生光的有源层；以及，荧光层，形成在衬底的背面上，并具有不同的厚度。穿过荧光层传播时波段变化的光与有源层中产生的初始光的比率通过利用改变荧光层的厚度控制，从而从发光二极管中发射所需的均匀的白光。
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公开(公告)号：CN1542991A
公开(公告)日：2004-11-03
申请号：CN200410042083.7
申请日：2004-04-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种具有荧光多层结构的发光二极管(LED)装置。该LED装置包括LED片，其发射激发光；荧光多层结构，其由当被激发光激发时发射彼此不同颜色的多个荧光层组成。靠近LED片的荧光多层结构的部分发射较长波长的光，而远离LED片的荧光多层结构的部分发射较短波长的光。因此，可以增加LED装置的整个光转换效率以及LED装置输出的光的数量。
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公开(公告)号：CN1540774A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200310124281.3
申请日：2003-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/405
Abstract: 本发明公开一种半导体发光二极管及其制造方法。该半导体发光二极管包括：衬底，其上顺序堆叠有n型半导体层、有源层和p型半导体层；以及，p型电极，其包括形成在p型半导体层上的第一金属层以及形成在第一金属层上并反射自有源层产生的光的第二金属层。
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公开(公告)号：CN1482687A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN03136821.2
申请日：2003-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/05001 , H01L2224/05023 , H01L2224/05568 , H01L2224/16 , H01L2924/00014 , Y10S257/918 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
Abstract: 提供一种高效发光二极管。该发光二极管包括一衬底；一第一化合物半导体，其被形成在衬底的上表面；一第一电极层，其被形成在第一化合物半导体层的一个区域之上；一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除去第一电极层所占区域的其余区域之上，从有源层中产生430nm或更短波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，并具有相对于衬底上表面面积的20％－80％的填充率。通过在20％－80％的范围内调整P型第二电极的尺寸，可以增强发射波长为430nm或更短波长光线的发光二极管的发光效应。
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公开(公告)号：CN1638161A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410098366.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。
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