公开(公告)号：CN100341159C

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN03136821.2

申请日：2003-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵济熙 ,  吴惠晶

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  Y10S257/918 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 提供一种高效发光二极管。该发光二极管包括一衬底；一第一化合物半导体，其被形成在衬底的上表面；一第一电极层，其被形成在第一化合物半导体层的一个区域之上；一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除去第一电极层所占区域的其余区域之上，从有源层中产生430nm或更短波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，并具有相对于衬底上表面面积的20%-80%的填充率。通过在20%-80%的范围内调整P型第二电极的尺寸，可以增强发射波长为430nm或更短波长光线的发光二极管的发光效应。

公开(公告)号：CN1482687A

公开(公告)日：2004-03-17

申请号：CN03136821.2

申请日：2003-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵济熙 ,  吴惠晶

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  Y10S257/918 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 提供一种高效发光二极管。该发光二极管包括一衬底；一第一化合物半导体，其被形成在衬底的上表面；一第一电极层，其被形成在第一化合物半导体层的一个区域之上；一有源层，其被形成在第一化合物半导体层中除去第一电极层所占区域的其余区域之上，从有源层中产生430nm或更短波长的光线；一第二化合物半导体层，其被形成在有源层上；一第二电极层，其被形成在第二化合物半导体层上，并具有相对于衬底上表面面积的20％－80％的填充率。通过在20％－80％的范围内调整P型第二电极的尺寸，可以增强发射波长为430nm或更短波长光线的发光二极管的发光效应。