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公开(公告)号：CN100438092C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410104923.8
申请日：2004-12-24
Abstract: 本发明提供了一种具有层状结构的氮化物LED，其中依次层叠有基底、n-型覆盖层、活性层、p-型覆盖层和多层欧姆接触层，及其制备方法。在该氮化物LED中，多层欧姆接触层包括第一透明薄膜层/银/第二透明薄膜层的多层。在该氮化物LED及其制备方法中，关于p-型覆盖层的欧姆接触特性得到了提高，因而表现出好的电流-电压特性。而且，由于透明电极有高的透光性能，因而装置的发光效率得到了提高。
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公开(公告)号：CN1619853A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN200410103818.2
申请日：2004-09-08
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明了公开一种发光器件及其制造方法。发光器件具有一种结构，其中衬底、n－型覆盖层、发光层、p－型覆盖层、欧姆接触层和反射层被依次堆积。欧姆接触层通过在氧化铟中加入附加元素而形成。根据所述的发光器件及其制造方法，改善了与P－型覆盖层的欧姆接触特性，因此提高了在封装FCLEDS过程中的效率和丝焊合格率。而且，由于具有低无接触电阻和优良的电流及电压特性，可以增加发光器件的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1606177A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410092115.4
申请日：2004-10-08
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/405 , H01L2933/0016
Abstract: 提供了一种氮化物基发光器件及其制造方法。该氮化物基发光器件具有一种结构，其中在衬底上至少依次形成n型包覆层、有源层和p型包覆层。该发光器件还包括形成于p型包覆层上由包含的p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层。该氮化物基发光器件的制造方法包括在p型包覆层上形成由包含p型杂质的含锌(Zn)氧化物构成的欧姆接触层，制造欧姆接触层并对所得结构进行退火。通过改善与p型包覆层的欧姆接触，氮化物基发光器件及其制造方法提供了优良的I－V特性，同时由于透明电极的高透光率，有效地增强了器件的发光效率。
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公开(公告)号：CN100474639C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200410103818.2
申请日：2004-09-08
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明了公开一种发光器件及其制造方法。发光器件具有一种结构，其中衬底、n-型覆盖层、发光层、p-型覆盖层、欧姆接触层和反射层被依次堆积。欧姆接触层通过在氧化铟中加入附加元素而形成。根据所述的发光器件及其制造方法，改善了与P-型覆盖层的欧姆接触特性，因此提高了在封装FCLEDS过程中的效率和丝焊合格率。而且，由于具有低无接触电阻和优良的电流及电压特性，可以增加发光器件的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1622348A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410031246.1
申请日：2004-03-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/3054 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开了一种用于形成高质量欧姆接触的技术，其可用于制备使用氮化镓(GaN)半导体的发射蓝绿可见光和紫外光的短波发光二极管(LED)，及激光二极管(LD)。通过在P－型氮化镓半导体的顶部沉积镍(Ni)基固溶体可以形成欧姆接触。如此形成的欧姆接触，由于在氮化镓层表面附件的有效载流子浓度的提高而具有优异的伏安特性和低的接触电阻率，以及在短波区域内的高透射率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517774C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200410031246.1
申请日：2004-03-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L33/32 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/3054 , H01S5/32341
Abstract: 本发明公开了一种用于形成高质量欧姆接触的技术，其可用于制备使用氮化镓(GaN)半导体的发射蓝绿可见光和紫外光的短波发光二极管(LED)，及激光二极管(LD)。通过在P-型氮化镓半导体的顶部沉积镍(Ni)基固溶体可以形成欧姆接触。如此形成的欧姆接触，由于在氮化镓层表面附件的有效载流子浓度的提高而具有优异的伏安特性和低的接触电阻率，以及在短波区域内的高透射率。
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公开(公告)号：CN100442548C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410098366.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。
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公开(公告)号：CN1638163A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410103926.X
申请日：2004-12-23
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/0095
Abstract: 提供一种倒装片发光二极管(FCLED)及其制造方法。通过在基片上顺序沉积n型覆层、活性层、p型覆层和反射层而形成所提供的FCLED。反射层是由添加了溶质元素的银合金形成的。根据所提供的FCLED及其制造方法，提高热稳定性来提高p型覆层的电阻性接触特性，因此当封装所提供的FCLED时提高引线接合效率和产量。另外，由于低特定接触电阻和优良的电流电压特性，提高了所提供的FCLED的发光效率和使用寿命。
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公开(公告)号：CN1622349A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095820.X
申请日：2004-11-26
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供了一种倒装芯片型发光器件及其制造方法。所述倒装芯片型发光器件包括衬底、n型覆层、有源层、p型覆层、由掺杂了锑、氟、磷、砷中至少一种的氧化锡形成的欧姆接触层、以及由反射材料形成的反射层。根据所述倒装芯片型发光器件及其制造方法，通过应用具有低表面电阻率和高载流子浓度的导电氧化物电极结构，提高了电流－电压特性和耐久性。
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公开(公告)号：CN1612300A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410087995.6
申请日：2004-10-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 本发明披露p型电极和使用它的III－V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层，所述第一层位于III－V主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Zn基材料形成；所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。
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