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公开(公告)号：CN1638161A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410098366.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。
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公开(公告)号：CN1638155A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410011594.2
申请日：2004-12-21
Abstract: 本发明提供了一种上发射N基发光装置及其制造方法。该装置包括基底、n型覆盖层、活性层、p型覆盖层和多层欧姆接触层，它们被依次地层叠。多层欧姆接触层包括一层或多层层叠结构，每个层叠结构包括改性金属层和透明导电薄膜层，它们被反复层叠在p型覆盖层上。改性金属层由Ag基材料形成。
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公开(公告)号：CN100490078C
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200410087995.6
申请日：2004-10-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 本发明披露p型电极和使用它的III-V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层，所述第一层位于III-V主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Zn基材料形成；所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。
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公开(公告)号：CN100442549C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410098373.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供了一种GaN基III-V族化合物半导体发光器件和制作GaN基III-V族化合物半导体发光器件的方法。GaN基III-V族化合物半导体发光器件包括：至少n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层，它们位于n型电极和p型电极之间。P型电极包括：位于p型GaN基化合物半导体层上、由Ag或者Ag合金制成的第一电极层；和位于第一电极层上、由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第二电极层。
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公开(公告)号：CN100411199C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200410011594.2
申请日：2004-12-21
Abstract: 本发明提供了一种上发射N基发光装置及其制造方法。该装置包括基底、n型覆盖层、活性层、p型覆盖层和多层欧姆接触层，它们被依次地层叠。多层欧姆接触层包括一层或多层层叠结构，每个层叠结构包括改性金属层和透明导电薄膜层，它们被反复层叠在p型覆盖层上。改性金属层由Ag基材料形成。
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公开(公告)号：CN1674310A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200410098373.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
Abstract: 提供了一种GaN基III－V族化合物半导体发光器件和制作GaN基III－V族化合物半导体发光器件的方法。GaN基III－V族化合物半导体发光器件包括：至少n型化合物半导体层、有源层、和p型化合物半导体层，它们位于n型电极和p型电极之间。P型电极包括：位于p型GaN基化合物半导体层上、由Ag或者Ag合金制成的第一电极层；和位于第一电极层上、由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择至少一种材料所制成的第二电极层。
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公开(公告)号：CN100442548C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200410098366.3
申请日：2004-12-08
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/0095 , H01L33/32
Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。
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公开(公告)号：CN1612300A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410087995.6
申请日：2004-10-26
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32
Abstract: 本发明披露p型电极和使用它的III－V主族GaN基化合物半导体器件。该电极包括第一层和第二层，所述第一层位于III－V主族氮化物半导体层之上，并由含溶质的Zn基材料形成；所述第二层层叠在所述第一层之上，并由选自Au、Co、Pd、Pt、Ru、Rh、Ir、Ta、Cr、Mn、Mo、Tc、W、Re、Fe、Sc、Ti、Sn、Ge、Sb、Al、ITO和ZnO中的至少一种形成。该Zn基p型电极具有优选的电性能、光学性能和热性能。
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公开(公告)号：CN100541835C
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN03149254.1
申请日：2003-06-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/20 , H01L33/508 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管包括：透明的衬底；半导体材料层，形成在衬底的顶面上，并具有产生光的有源层；以及，荧光层，形成在衬底的背面上，并具有不同的厚度。穿过荧光层传播时波段变化的光与有源层中产生的初始光的比率通过利用改变荧光层的厚度控制，从而从发光二极管中发射所需的均匀的白光。
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公开(公告)号：CN100461562C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200510065668.5
申请日：2005-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/32341 , H01S2301/173
Abstract: 本发明涉及一种在不增加包层的厚度或Al含量的情况下具有充分的光限制效果的半导体激光器件。提供的半导体激光器件包括衬底、有源层、位于有源层和衬底之间的第一包层、位于有源层上的第二包层、以及包括金属波导层并且形成在第二包层上的第一电极层，该金属波导层由比第二包层的折射率小的金属制成，其中形成第一电极层作为波导工作，和第一电极层只包括作为接触层和波导工作的金属波导层。
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