公开(公告)号：CN100442548C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410098366.3

申请日：2004-12-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

Inventor： 郭准燮 ,  成泰连 ,  赵济熙 ,  宋俊午 ,  林东皙 ,  金显秀

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。

公开(公告)号：CN1638161A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410098366.3

申请日：2004-12-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  光州科学技术院

Inventor： 郭准燮 ,  成泰连 ,  赵济熙 ,  宋俊午 ,  林东皙 ,  金显秀

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种低电阻电极和包括该低电阻电极的化合物半导体发光器件。低电阻电极沉积在由n型半导体层、有源层和p型半导体层构成的化合物半导体发光器件的p型半导体层上，包括：反射电极，设置在p型半导体层上，并且反射从有源层发出的光；和凝聚防止电极，设置在反射电极层上，用于防止在退火过程中产生反射电极层的凝聚。

公开(公告)号：CN1540774A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200310124281.3

申请日：2003-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵济熙 ,  金显秀

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/405

Abstract: 本发明公开一种半导体发光二极管及其制造方法。该半导体发光二极管包括：衬底，其上顺序堆叠有n型半导体层、有源层和p型半导体层；以及，p型电极，其包括形成在p型半导体层上的第一金属层以及形成在第一金属层上并反射自有源层产生的光的第二金属层。