公开(公告)号：CN109037094B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810022556.9

申请日：2018-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金伶厚 ,  朴相真 ,  赵庸真 ,  吉娟真 ,  郑志薰 ,  赵炳权 ,  高镛璿 ,  李根泽

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 一种基板处理装置包括：容器，其提供用于处理基板的处理空间；基板支撑部，其支撑装载在处理空间中的基板；以及屏障，其在容器的侧壁与基板支撑部之间并围绕由基板支撑部支撑的基板的边缘。

公开(公告)号：CN110060942B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201811608953.0

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN111965959A

公开(公告)日：2020-11-20

申请号：CN202010008602.7

申请日：2020-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千知训 ,  李贤贞 ,  全杓珍 ,  赵庸真 ,  李源俊

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于制造半导体器件的装置和用于去除光刻胶的装置。所述用于制造半导体器件的装置可以包括喷嘴和紫外线发射器，所述喷嘴具有被构造成喷射溶液的狭缝，所述紫外线发射器设置在所述喷嘴的外部。所述紫外线发射器和所述喷嘴可以被构造成能够水平移动。所述狭缝可以设置在所述喷嘴的底表面上。

公开(公告)号：CN104051299A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410090605.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  张原浩 ,  田溶明

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/67126 ,  H01L21/67751 ,  H01L21/68785

Abstract: 本发明提供了基板处理装置、基板处理系统以及处理基板的方法。该基板处理系统可以包括构造为用超临界流体处理基板的处理装置以及构造为提供超临界流体到处理装置的供给装置。处理装置可以包括超临界工艺区和预超临界工艺区，在该超临界工艺区中基板用超临界流体处理，在预超临界工艺区中超临界流体膨胀然后被提供到超临界工艺区中以在超临界工艺区中产生超临界状态。

公开(公告)号：CN109148328B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201810631977.1

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  吴政玟 ,  李根泽 ,  李晓山

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了工艺腔以及包括该工艺腔的衬底处理装置。工艺腔包括第一壳体和在第一壳体上的第二壳体。第一壳体包括第一外壁、面对第一外壁的第一分隔壁以及连接第一外壁和第一分隔壁的第一侧壁。第二壳体包括第二外壁、在第二外壁和第一分隔壁之间的第二分隔壁以及连接第二外壁和第二分隔壁的第二侧壁。第一外壁和第二外壁中的每个具有比第一分隔壁的厚度和第二分隔壁的厚度大的厚度。

公开(公告)号：CN109545707A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811088273.0

申请日：2018-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相真 ,  赵炳权 ,  赵庸真 ,  高镛璇 ,  吉娟真 ,  李光旭

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了超临界处理腔室和用于处理基板的设备。该处理腔室包括：主体框架，其具有突起和凹室，突起从主体框架的第一表面竖直向上突出，凹室由主体框架的突起和第一表面限定；罩框架；缓冲腔室，缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间；以及连接器。缓冲腔室包括：内部容器，其可拆卸地联接到主体框架，从而在凹室中提供腔室空间；以及内部罩，内部罩可拆卸地联接到罩框架。内部罩与内部容器的第一表面接触，从而封闭腔室空间使其与周围环境隔绝。连接器联接主体框架和罩框架，使缓冲腔室布置在主体框架和罩框架之间，使得封闭的腔室空间转变成在其中执行超临界处理的处理空间。

公开(公告)号：CN107170700A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710514602.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN103151285B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201210524045.X

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 ,  F26B5/04 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。

公开(公告)号：CN109148327B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201810623331.9

申请日：2018-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵庸真 ,  金伶厚 ,  郑志薰 ,  金荣俊 ,  李根泽

IPC: H01L21/67

Abstract: 公开了一种基板干燥装置、制造半导体器件的设备以及干燥基板的方法。基板干燥装置包括：腔室，其被配置为以第一温度干燥基板；第一贮存器，其被配置为储存处于小于第一温度的第二温度的第一超临界流体；第二贮存器，其被配置为储存处于大于第一温度的第三温度的第二超临界流体；以及供应单元，其连接在腔室与第一贮存器和/或第二贮存器之间。供应单元被配置为向腔室供应第一超临界流体和第二超临界流体。

公开(公告)号：CN107170700B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201710514602.2

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晓山 ,  高镛璿 ,  金庆燮 ,  金光秀 ,  金石训 ,  李根泽 ,  田溶明 ,  赵庸真

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请提供了一种基片干燥装置和基片处理方法。该装置可包括：配置为具有内部空间的处理室；布置于所述处理室内用于支撑基片的基片支撑件；第一供应口，其配置为向位于所述基片以下的所述内部空间的一个区域提供超临界流体；第二供应口，其配置为向位于所述基片以上的所述内部空间的另一个区域提供超临界流体；和排出口，其配置为将超临界流体从所述处理室排出到外部区域。