公开(公告)号：CN106449399A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610631559.3

申请日：2016-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔承勋 ,  金镐永 ,  朴起宽 ,  裴显敬 ,  尹普彦 ,  尹一永

IPC: H01L21/321 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  B24B37/04 ,  B24B53/017

CPC classification number: H01L21/7684 ,  B24B37/042 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/3212 ,  B24B53/017 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/76883

Abstract: 本发明提供了形成插塞和制造半导体装置的方法、抛光室和半导体装置，形成插塞的方法包括：在衬底上的绝缘夹层图案中形成开口；形成金属层以填充开口；在将衬底按压至第一抛光垫上的同时，在第一时间段内执行第一CMP工艺直至暴露出绝缘夹层图案的顶表面，来抛光金属层；在将衬底按压至第二抛光垫上的同时，在第二时间段内执行第二CMP工艺，以抛光金属层和绝缘夹层图案，从而在绝缘夹层图案中形成金属插塞；以及在保持衬底与第二台板上的第二抛光垫间隔开的同时，对第二抛光垫执行第一清洁处理。