公开(公告)号：CN114078490A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110641034.9

申请日：2021-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曹溶成 ,  姜仁昊 ,  朴安洙 ,  朴曾焕 ,  申东夏 ,  郑在元

IPC: G11C5/06 ,  G11C7/10 ,  G11C16/04 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种存储器设备。该存储器设备包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；和页面缓冲器电路，设置在包括沿第一水平方向设置的主区域和高速缓存区域的页面缓冲器区域，并且包括在主区域中沿第二水平方向彼此相邻的第一页面缓冲器单元和第二页面缓冲器单元。第一页面缓冲器单元的第一读出节点包括第一下金属图案和第一上金属图案，第一上金属图案电连接到第一下金属图案。第二页面缓冲器单元的第二读出节点包括第二下金属图案和第二上金属图案，第二上金属图案电连接到第二下金属图案，并且在第二水平方向上不与第一上金属图案相邻。

公开(公告)号：CN118510268A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410180311.4

申请日：2024-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东夏 ,  孙在翼

IPC: H10B12/00 ,  G11C5/02 ,  G11C5/06

Abstract: 一种半导体存储器装置，包括：单元衬底上的单元区，以及在外围电路板上的以接合方式连接到单元区的外围电路区。其中，单元区包括顺序堆叠在单元衬底的第一侧上的多个栅电极、连接到第一栅电极的在延伸区中沿竖直方向延伸的第一旁路单元接触插塞、连接到第二栅电极的在延伸区中延伸的正常单元接触插塞、电连接到第一旁路单元接触插塞的第一金属布线、以及位于第一金属布线上并电连接到第一金属布线的第二金属布线，其中第二金属布线通过包括多个接合金属对的第一旁路路径与第四金属布线连接。

公开(公告)号：CN114361177A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111192282.6

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明勳 ,  申东夏 ,  郭判硕 ,  边大锡

IPC: H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：模制结构，包括堆叠在第一基底上的栅电极；沟道结构，穿透模制结构的第一区域，以与栅电极交叉；第一贯穿结构，穿透模制结构的第二区域；以及第二贯穿结构，穿透模制结构的第三区域。模制结构还包括：存储器单元块，在第一方向上延伸，并且在第二方向上间隔开；以及虚设块，在第一方向上延伸，并且设置在存储器单元块之间。存储器单元块和虚设块中的每个包括布置在第一方向上的单元区域和延伸区域。第一区域是存储器单元块中的一个存储器单元块的单元区域，第二区域是存储器单元块中的所述一个存储器单元块的延伸区域，并且第三区域是虚设块的延伸区域。

公开(公告)号：CN118119184A

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN202311606102.3

申请日：2023-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珉智 ,  申东夏 ,  全哄秀

IPC: H10B41/41 ,  H10B41/50 ,  H10B41/27 ,  H10B43/40 ,  H10B43/50 ,  H10B43/27 ,  G11C5/14

Abstract: 公开了半导体存储器件，其包括：外围区，包括基板、在基板上的高电压晶体管、连接到高电压晶体管的第一下部线和连接到第一下部线的第二下部线；以及在外围区上的单元区。第一下部线和第二下部线沿平行于基板的上表面的第一方向延伸。第一下部线包括第一高电压线和第一低电压线。第二下部线包括第二高电压线和第二低电压线。第二高电压线和第一低电压线在平行于基板的上表面的第二方向和垂直于基板的上表面的第三方向上分开，第二低电压线和第一高电压线在第二方向和第三方向上分开。

公开(公告)号：CN113707662A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110354320.7

申请日：2021-04-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东夏 ,  郑在元 ,  任琫淳

IPC: H01L27/11519 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11529

Abstract: 公开了一种垂直存储器装置。所述垂直存储器装置包括：多条字线，位于基底上；多个字线切割区域，彼此平行地延伸；存储器单元阵列，包括在基底上延伸穿过所述多条字线并且布置成蜂窝结构的多个沟道结构；多个接触件，位于所述多个沟道结构上；以及多条位线，通过所述多个接触件连接到所述多个沟道结构。存储器单元阵列包括由所述多个字线切割区域限定并且连接到来自所述多条位线之中的一些相同的位线的第一子阵列和第二子阵列，并且来自所述多个接触件之中的位于第一子阵列中的接触件的布局不同于来自所述多个接触件之中的位于第二子阵列中的接触件的布局。

公开(公告)号：CN117915664A

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202311352898.4

申请日：2023-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在元 ,  申东夏 ,  任琫淳

IPC: H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B61/00 ,  H10B63/10 ,  H10B63/00

Abstract: 一种存储器件可以包括堆叠在基板上并且在垂直方向上彼此间隔开的字线图案、在垂直方向上延伸的沟道结构、以及在垂直方向上延伸的第一接触插塞和第二接触插塞。基板可以包括单元区、单元布线区和通孔布线区。字线图案可以在单元区和单元布线区上，并且可以在平行于基板的上表面的方向上延伸到单元布线区。第一接触插塞可以在单元布线区上，并且每个第一接触插塞可以与字线图案中的对应一个电连接，并且与除了字线图案中的所述对应一个以外的其余字线图案绝缘。第二接触插塞可以在通孔布线区上。

公开(公告)号：CN115083488A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210126135.7

申请日：2022-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李明雨 ,  金胜渊 ,  申东夏 ,  赵栢衡

IPC: G11C16/24 ,  G11C16/14

Abstract: 公开了非易失性存储器装置及其操作方法。所述非易失性存储器装置包括：多条位线，与多个单元串连接；共源极线，与所述多个单元串连接；至少一条虚设位线，设置在共源极线与所述多条位线之间；控制逻辑电路，响应于来自外部装置的命令而生成至少一个虚设位线驱动信号；以及虚设位线驱动器，响应于所述虚设位线驱动信号选择性地向所述至少一条虚设位线提供第一电压。