公开(公告)号：CN119020778A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410577132.4

申请日：2024-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 王允宣 ,  南廷勋 ,  金永权 ,  崔玹瑞 ,  金建佑 ,  成德镛 ,  任埈澔

IPC: C23C26/00 ,  H01L21/67

Abstract: 一种表面处理的方法包括：在第一工艺室中提供部件；利用连接到所述第一工艺室的远程等离子体源生成氟等离子体；以及通过向所述第一工艺室提供所述氟等离子体在所述部件的表面上形成保护层，其中所述保护层包括氟化镁，其中所述部件的镁含量为约0.5wt％至约5.5wt％，并且其中所述保护层的厚度为约100nm至约300nm。

公开(公告)号：CN116504621A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211264279.5

申请日：2022-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东圭 ,  康松润 ,  佐佐木浩 ,  王允宣

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C09K13/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成模具层；在模具层上形成硬掩模层，使得模具层的一部分被暴露；以及使用硬掩模层对模具层执行低温蚀刻工艺。低温蚀刻工艺包括：向腔室供应工艺气体，工艺气体包括第一工艺气体和第二工艺气体；以及从工艺气体生成等离子体。第一工艺气体的自由基蚀刻模具层的暴露部分。基于自由基蚀刻模具层的暴露部分来产生铵盐。第二工艺气体包括R‑OH化合物。R是氢、Cl至C5烷基、C2至C6烯基、C2至C6炔基或苯基。第二工艺气体降低铵盐的产生速率。