公开(公告)号：CN119028794A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410644976.6

申请日：2024-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴孝镇 ,  康松润 ,  朱志胤

IPC: H01J37/32

Abstract: 一种电感耦合等离子体处理设备包括：主体，其具有内部空间；腔室，其在主体的内部空间中，并且具有敞开的上侧和敞开的下侧；窗单元，其耦接到腔室的上部以形成处理空间；以及线圈，其在窗单元的上部中，其中线圈被构造为形成电磁场。主体包括基板安装部分，基板安装部分被构造为接收基板以使得基板位于腔室下方。窗单元包括多个窗，并且多个窗中的每一个具有相应的不同厚度和/或相应的不同材料。

公开(公告)号：CN116504621A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211264279.5

申请日：2022-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东圭 ,  康松润 ,  佐佐木浩 ,  王允宣

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C09K13/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成模具层；在模具层上形成硬掩模层，使得模具层的一部分被暴露；以及使用硬掩模层对模具层执行低温蚀刻工艺。低温蚀刻工艺包括：向腔室供应工艺气体，工艺气体包括第一工艺气体和第二工艺气体；以及从工艺气体生成等离子体。第一工艺气体的自由基蚀刻模具层的暴露部分。基于自由基蚀刻模具层的暴露部分来产生铵盐。第二工艺气体包括R‑OH化合物。R是氢、Cl至C5烷基、C2至C6烯基、C2至C6炔基或苯基。第二工艺气体降低铵盐的产生速率。