公开(公告)号：CN119725145A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410450941.9

申请日：2024-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉培 ,  李柱昊 ,  姜泂模 ,  金京善 ,  金南均 ,  罗栋铉 ,  南象基 ,  李现宰 ,  郑贤学

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  C23C16/517 ,  C23C16/02 ,  C23C16/52

Abstract: 一种衬底处理方法，包括：将衬底放置在衬底处理装置中；向衬底处理装置施加源功率；以及向衬底处理装置施加偏压功率，其中，向衬底处理装置施加源功率包括：利用具有第一周期的第一脉冲向衬底处理装置提供第一射频(RF)功率；以及利用具有第二周期的第二脉冲向衬底处理装置提供第二RF功率，其中，第一周期比第二周期长。

公开(公告)号：CN107979909A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201710993086.6

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东协 ,  成德镛 ,  禹济宪 ,  金俸奭 ,  李柱昊 ,  全允珖 ,  赵贞贤

IPC: H05H1/46

CPC classification number: H01J37/3211 ,  H01J37/32119 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32183 ,  H01L21/67069 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4645 ,  H05H2001/4682

Abstract: 本发明构思的实施例提供天线、等离子体产生电路、等离子体处理装置以及用于使用其制造半导体器件的方法。电路包括产生射频功率的射频功率源、接收射频功率以产生等离子体并具有第一互感的天线、以及将天线分别连接到射频功率源的电感器。电感器具有减小和/或消除第一互感的第二互感。

公开(公告)号：CN107979909B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201710993086.6

申请日：2017-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东协 ,  成德镛 ,  禹济宪 ,  金俸奭 ,  李柱昊 ,  全允珖 ,  赵贞贤

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明构思的实施例提供天线、等离子体产生电路、等离子体处理装置以及用于使用其制造半导体器件的方法。电路包括产生射频功率的射频功率源、接收射频功率以产生等离子体并具有第一互感的天线、以及将天线分别连接到射频功率源的电感器。电感器具有减小和/或消除第一互感的第二互感。