公开(公告)号：CN118800776A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311682462.1

申请日：2023-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  金德焕 ,  孔俊秀 ,  朴炼皓 ,  朴亨镇 ,  李秀镇 ,  李晋硕

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底具有有源图案：第一半导体图案和第二半导体图案，所述第一半导体图案和所述第二半导体图案设置在所述有源图案上并且彼此垂直地间隔开；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案连接到所述第一半导体图案和所述第二半导体图案；栅电极，所述栅电极位于所述第一半导体图案与所述第二半导体图案之间；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案包围所述栅电极，其中，所述栅极绝缘图案包括：高k电介质图案，所述高k电介质图案包围所述栅电极；内间隔物，所述内间隔物位于所述高k电介质图案与所述源极/漏极图案之间；以及掩模绝缘图案，所述掩模绝缘图案相对于所述内间隔物具有蚀刻选择性并且位于所述高k电介质图案与所述内间隔物之间。

公开(公告)号：CN115706048A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210920442.2

申请日：2022-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  崔圭峰 ,  朴鍊皓 ,  朴恩实 ,  李晋硕 ,  林旺燮 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上形成在其间具有不同的间隔的第一初始有源图案至第三初始有源图案；分别在第一初始有源图案与第二初始有源图案之间以及第二初始有源图案与第三初始有源图案之间形成第一场绝缘层和第二场绝缘层；以及分别在基于第一初始有源图案至第三初始有源图案形成的第一有源图案至第三有源图案上形成第一栅电极至第三栅电极，第一栅电极至第三栅电极通过第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构分离。

公开(公告)号：CN115621280A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210806228.4

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  崔圭峰 ,  朴恩实 ,  李俊锡 ,  李晋硕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括分别在第一方向上延伸并布置在第一线上的第一有源鳍和第二有源鳍，基底具有在第一有源与第二有源鳍之间的凹部；器件隔离膜，在基底上；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源鳍和第二有源鳍上，并且在第二方向上延伸；以及场分离层，具有在第一有源鳍与第二有源鳍之间且在凹部中的第一部分以及在第二方向上从第一部分的两侧延伸到器件隔离膜的上表面的第二部分。凹部具有在与第一方向和第二方向相交的第三方向上比器件隔离膜的上表面低的底表面，并且器件隔离膜的上表面的区域具有平坦的表面。

公开(公告)号：CN115863341A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211109284.9

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  朴恩实 ,  李晋硕 ,  林旺燮 ,  崔圭峯

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一片图案和第二片图案，在基底的第一区域上彼此间隔开；第一栅电极，在第一片图案与第二片图案之间延伸；第三片图案和第四片图案，在基底的第二区域上彼此间隔开；以及第二栅电极，在第三片图案与第四片图案之间延伸。第一栅电极包括在第一片图案与第二片图案之间的第一逸出功控制膜和在第一逸出功控制膜上的第一填充导电膜。第二栅电极包括在第三片图案与第四片图案之间的第二逸出功控制膜和在第二逸出功控制膜上的第二填充导电膜。第三片图案与第四片图案之间的距离大于第一片图案与第二片图案之间的距离。

公开(公告)号：CN115692418A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210494880.7

申请日：2022-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭峰 ,  朴錬皓 ,  朴俊模 ,  朴恩实 ,  李俊席 ,  李晋硕 ,  林旺燮

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件。半导体器件包括：第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案，位于衬底的逻辑单元区域上并且在第一方向上彼此间隔开；第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极跨过第一有源图案，并且第二栅电极跨过第二有源图案；第一分离图案，设置在第一有源图案与第二有源图案之间；第二分离图案，设置在第二有源图案与第三有源图案之间；第一栅极绝缘层，介于第一栅电极与第一有源图案之间；以及第一栅极切割图案，介于第一栅电极与第二栅电极之间，并且与第一分离图案的顶表面接触。第一分离图案比第二分离图案宽，并且第一栅极绝缘层在第一栅电极与第一分离图案之间延伸，并且与第一分离图案的侧表面和顶表面接触。

公开(公告)号：CN115588693A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210701452.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  崔圭峰 ,  金哲 ,  李俊锡 ,  李晋硕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，具有分别沿第一方向延伸并沿垂直于第一方向的第二方向布置的第一沟道结构和第二沟道结构；第一栅极结构，在衬底上设置在第一沟道结构上并沿第二方向延伸；第二栅极结构，设置在第二沟道结构上并沿第二方向延伸；第一源/漏区，分别设置在第一栅极结构的相对侧上；第二源/漏区，分别设置在第二栅极结构的相对侧上；栅极分离图案，设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间，并且具有位于比第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个的上表面的高度低的高度处的上表面；以及栅极封盖层，设置在第一栅极结构和第二栅极结构上，并且具有在第一栅极结构与第二栅极结构之间延伸以连接到栅极分离图案的延伸部分。

公开(公告)号：CN1523409A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410001529.1

申请日：2004-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄星龙 ,  姜圣哲 ,  吴元植 ,  丁彻龙 ,  李晋硕 ,  尹胄永 ,  赵源九

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13452 ,  G02F2001/13456 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/14 ,  H05K1/111 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/0367 ,  H05K2201/09409 ,  H05K2201/09709 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明公开了一种电路装置及显示装置。在一种驱动集成电路(IC)和具有该驱动IC的显示装置中，驱动IC包括多个设置在驱动IC下表面上并沿驱动IC的边缘排成多个行的凸点。在彼此不同的行上排列的凸点在垂直于凸点排列方向的方向上并列。因此，当利用各向异性导电膜将驱动IC安装到显示板上时，各向异性导电膜可以平滑地流经由驱动IC的凸点限定的空间，由此提高驱动IC和显示装置的电特性。