公开(公告)号：CN115732504A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202210740758.3

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  林旺燮 ,  崔圭峰

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件，包括包含第一有源区和第二有源区的衬底、位于第一有源区和第二有源区上的第一有源图案和第二有源图案、以及与第一有源图案和第二有源图案交叉的栅电极。栅电极可以包括位于第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第一电极部分可以包括第一金属图案以及位于该第一金属图案上的第二金属图案。第二电极部分可以包括第三金属图案以及位于该第三金属图案上的第四金属图案。第一金属图案可以包括第一线路部以及从该第一线路部延伸的第一竖直部，而第三金属图案可以包括第二线路部以及从该第二线路部延伸的第二竖直部。第一竖直部和第二竖直部可以彼此接触。

公开(公告)号：CN115692418A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210494880.7

申请日：2022-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔圭峰 ,  朴錬皓 ,  朴俊模 ,  朴恩实 ,  李俊席 ,  李晋硕 ,  林旺燮

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件。半导体器件包括：第一有源图案、第二有源图案和第三有源图案，位于衬底的逻辑单元区域上并且在第一方向上彼此间隔开；第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极跨过第一有源图案，并且第二栅电极跨过第二有源图案；第一分离图案，设置在第一有源图案与第二有源图案之间；第二分离图案，设置在第二有源图案与第三有源图案之间；第一栅极绝缘层，介于第一栅电极与第一有源图案之间；以及第一栅极切割图案，介于第一栅电极与第二栅电极之间，并且与第一分离图案的顶表面接触。第一分离图案比第二分离图案宽，并且第一栅极绝缘层在第一栅电极与第一分离图案之间延伸，并且与第一分离图案的侧表面和顶表面接触。

公开(公告)号：CN115588693A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202210701452.7

申请日：2022-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  崔圭峰 ,  金哲 ,  李俊锡 ,  李晋硕

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，具有分别沿第一方向延伸并沿垂直于第一方向的第二方向布置的第一沟道结构和第二沟道结构；第一栅极结构，在衬底上设置在第一沟道结构上并沿第二方向延伸；第二栅极结构，设置在第二沟道结构上并沿第二方向延伸；第一源/漏区，分别设置在第一栅极结构的相对侧上；第二源/漏区，分别设置在第二栅极结构的相对侧上；栅极分离图案，设置在第一栅极结构与第二栅极结构之间，并且具有位于比第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个的上表面的高度低的高度处的上表面；以及栅极封盖层，设置在第一栅极结构和第二栅极结构上，并且具有在第一栅极结构与第二栅极结构之间延伸以连接到栅极分离图案的延伸部分。

公开(公告)号：CN118507487A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410174213.X

申请日：2024-02-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 辛宗玟 ,  朴俊模 ,  崔圭峰

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/45 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路器件可以包括：鳍型有源结构，在第一水平方向上伸长；纳米片堆叠，包括鳍型有源结构上的纳米片；栅极结构，在纳米片之间延伸；鳍型有源结构上的源/漏结构，位于与栅极结构相邻的位置处，并且在第一水平方向上面向纳米片堆叠；竖直分离层，包括与硅化物分离层接触的硅分离层。硅化物分离层可以在纳米片堆叠和栅极结构中的每一个与源/漏结构之间。硅分离层可以在纳米片堆叠和栅极结构中的每一个与硅化物分离层之间。源/漏结构可以包括金属。栅极结构可以包括在鳍型有源结构上围绕多个纳米片之中的至少一个纳米片的至少一个子栅极。

公开(公告)号：CN117936566A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311374110.X

申请日：2023-10-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  权旭炫 ,  朴炼皓 ,  辛宗珉 ,  申宪宗 ,  田钟敏 ,  崔圭峰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 一种半导体器件可以包括：包括有源图案的衬底、在有源图案上的沟道图案、源极/漏极图案、栅电极和绝缘图案。沟道图案可以包括彼此间隔开并垂直堆叠的半导体图案。半导体图案中最下面的一个可以是第一半导体图案。源极/漏极图案可以连接到半导体图案。栅电极可以在半导体图案上，并且可以包括除了第一半导体图案之外的半导体图案下方的多个内部电极。绝缘图案可以在第一半导体图案和有源图案之间。绝缘图案可以包括电介质图案和保护层。保护层可以在电介质图案和第一半导体图案之间。保护层可以在电介质图案和有源图案之间。

公开(公告)号：CN115706048A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210920442.2

申请日：2022-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  崔圭峰 ,  朴鍊皓 ,  朴恩实 ,  李晋硕 ,  林旺燮 ,  崔庆寅

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331 ,  H01L29/06

Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在衬底上形成在其间具有不同的间隔的第一初始有源图案至第三初始有源图案；分别在第一初始有源图案与第二初始有源图案之间以及第二初始有源图案与第三初始有源图案之间形成第一场绝缘层和第二场绝缘层；以及分别在基于第一初始有源图案至第三初始有源图案形成的第一有源图案至第三有源图案上形成第一栅电极至第三栅电极，第一栅电极至第三栅电极通过第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构分离。

公开(公告)号：CN115621280A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202210806228.4

申请日：2022-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俊模 ,  朴鍊皓 ,  崔圭峰 ,  朴恩实 ,  李俊锡 ,  李晋硕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括分别在第一方向上延伸并布置在第一线上的第一有源鳍和第二有源鳍，基底具有在第一有源与第二有源鳍之间的凹部；器件隔离膜，在基底上；第一栅极结构和第二栅极结构，分别在第一有源鳍和第二有源鳍上，并且在第二方向上延伸；以及场分离层，具有在第一有源鳍与第二有源鳍之间且在凹部中的第一部分以及在第二方向上从第一部分的两侧延伸到器件隔离膜的上表面的第二部分。凹部具有在与第一方向和第二方向相交的第三方向上比器件隔离膜的上表面低的底表面，并且器件隔离膜的上表面的区域具有平坦的表面。