公开(公告)号：CN1469452A

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN03138696.2

申请日：2003-06-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李光熙 ,  郑铉潭 ,  李敬雨 ,  李守根

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/76825 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76814

Abstract: 一种在金属间介电层上构成图形的方法，包括a)在包含其上形成图形的下层电路的半导体基底上依次排放下层蚀刻阻止层、下层介电层、上层蚀刻阻止层和上层介电层，b)在上层介电层、上层蚀刻阻止层和下层介电层构成图形形成通孔，曝光下层电路上的下层蚀刻阻止层，c)用紫外线辐照通孔，d)在得到的包括通孔的半导体基底上形成光刻胶层，并在光刻胶层上构成图形，e)使用构成图形的光刻胶层作为蚀刻掩模构成图形上层介电层以形成上层介电层通孔周围的线路，和f)曝光下层线路的顶部。该方法容易除去光刻胶残余物，防止水引起的介电常数增加。

公开(公告)号：CN1581476A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055814.1

申请日：2004-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李孝钟 ,  李京泰 ,  李敬雨 ,  李守根 ,  徐锋锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。

公开(公告)号：CN100392853C

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200410055814.1

申请日：2004-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安正勋 ,  李孝钟 ,  李京泰 ,  李敬雨 ,  李守根 ,  徐锋锡

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/76847

Abstract: 一种金属互连结构包括设置在第一层间电介质层中的下部金属互连层。在第一层间电介质层和下部金属层图形上设置暴露出下部金属层图形的一部分表面的具有通路接触孔的金属间电介质层。在金属间电介质层上形成暴露出通路接触孔的具有沟槽的第二层间电介质层。在通路接触的纵向表面和第二下部金属互连层图形的露出表面上形成阻挡金属层。在阻挡金属层上设置第一上部金属互连层图形，从而填充通路接触孔和一部分沟槽。在第一金属互连层图形上设置空隙扩散阻挡层，以及在空隙扩散阻挡层上设置第二上部金属互连层图形以完全填充沟槽。

公开(公告)号：CN100376026C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN03147076.9

申请日：2003-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴玩哉 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明提供一种制造双镶嵌互连的方法。在介电常数为3.3或更小的混合介电层中形成双镶嵌区，且用无碳无机材料作为通孔填料。本发明改善了双镶嵌互连的电特性，并具有最小的缺陷。该方法包括：在衬底上形成介电常数为3.3或更小的混合介电层；在介电层中形成通孔；用无碳无机填料填充通孔；部分蚀刻填充通孔的无机填料和介电层，形成沟槽，该沟槽连接通孔，并且将在该沟槽中形成互连；除去通孔中剩余的无机填料；以及通过用互连材料填充沟槽和通孔来完成互连，其中所述混合介电层由既有有机材料优点又有无机材料优点的混合电介质制成。

公开(公告)号：CN100416842C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200310102405.8

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李守根 ,  朴基彻 ,  李敬雨

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种CMOS图像传感器件的结构及其制造方法，该传感器件包括：一形成在衬底中的光电二极管；至少一条与光电二极管电连接的导电互连线；一具有光线入口的光线通路，设置成与光电二极管对正；一彩色滤光片，设置在光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，设置在彩色滤光片的上方，并与光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，导电互连线具有叠层构造的多个层间介质层，并在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，以及在铜互连结构与所述多个层间介质层之间设置阻挡金属层，铜互连线结构穿插扩散阻挡层。扩散阻挡层由不透明材料形成，并位于隔离区和多个晶体管上方以定义光线通路。

公开(公告)号：CN100350604C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN200310124737.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴基澈 ,  宋源祥

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有双覆盖层的半导体器件的互连及其制造方法。半导体器件的互连是一种铜金属镶嵌互连，在用化学机械抛光(CMP)加工过的铜层上形成覆盖层，该覆盖层是氮化硅层和碳化硅层的双层结构。因此，有可能在提供优良的漏电流抑制作用的同时维持碳化硅层的高刻蚀选择性和低介电常数。该互连结构包括：层间绝缘膜，其具有位于其中的成互连的形状的开口；沿开口的内壁形成的阻挡金属层；填充在阻挡金属层上方的开口的金属层，该金属层具有与层间绝缘膜的顶部表面水平的顶部表面；以及覆盖层间绝缘膜和金属层的顶部表面的覆盖层，该覆盖层是由顺序淀积的氮化硅层和碳化硅层形成的双层结构。

公开(公告)号：CN1518119A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310102405.8

申请日：2003-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李守根 ,  朴基彻 ,  李敬雨

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/14 ,  H04N5/335 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种CMOS图像传感器件的结构及其制造方法，该传感器件包括：一形成在衬底中的光电二极管；至少一条与光电二极管电连接的导电互连线；一具有光线入口的光线通路，设置成与光电二极管对正；一彩色滤光片，设置在光线通路的光线入口的上方；以及一透镜，设置在彩色滤光片的上方，并与光线通路对正，其中，所述至少一条导电互连线包括一铜互连线结构，导电互连线具有叠层构造的多个层间介质层，并在相邻的层间介质层之间设置有一扩散阻挡层，以及在铜互连结构与所述多个层间介质层之间设置一阻挡金属层，铜互连线结构穿插扩散阻挡层。如果将光电二极管上方的阻挡金属层去除，则图像传感器件可采用铜互连线。

公开(公告)号：CN1516276A

公开(公告)日：2004-07-28

申请号：CN200310124737.6

申请日：2003-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴基澈 ,  宋源祥

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76832 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有双覆盖层的半导体器件的互连及其制造方法。半导体器件的互连是一种铜金属镶嵌互连，在用化学机械抛光(CMP)加工过的铜层上形成覆盖层，该覆盖层是氮化硅层和碳化硅层的双层结构。因此，有可能在提供优良的漏电流抑制作用的同时维持碳化硅层的高刻蚀选择性和低介电常数。该互连结构包括：层间绝缘膜，其具有位于其中的成互连的形状的开口；沿开口的内壁形成的阻挡金属层；填充在阻挡金属层上方的开口的金属层，该金属层具有与层间绝缘膜的顶部表面水平的顶部表面；以及覆盖层间绝缘膜和金属层的顶部表面的覆盖层，该覆盖层是由顺序淀积的氮化硅层和碳化硅层形成的双层结构。

公开(公告)号：CN1495879A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03147076.9

申请日：2003-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敬雨 ,  李守根 ,  朴玩哉 ,  金在鹤

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76808

Abstract: 本发明提供一种制造双镶嵌互连的方法。在介电常数为3.3或更小的混合介电层中形成双镶嵌区，且用无碳无机材料作为通孔填料。本发明改善了双镶嵌互连的电特性，并具有最小的缺陷。