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公开(公告)号：CN1597738A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410074886.0
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
Abstract: 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体间层绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。
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公开(公告)号：CN101154588A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153180.7
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及一种能够经受低温工艺的介电薄膜用组合物。具体地说，本发明涉及一种使用该组合物而形成的金属氧化物介电薄膜、其制备方法、包含该介电薄膜的晶体管器件、和包含该晶体管器件的电子器件。应用了该介电薄膜的电子器件具有优异的电性能，从而同时满足低操作电压和高电荷迁移率。
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公开(公告)号：CN1680466A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200410094224.X
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08G77/04 , H01L21/312
CPC classification number: C08G77/04 , C08G77/06 , C08G77/50 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3124 , H01L21/31633 , H01L21/31695 , H01L21/7682 , Y10T428/31663
Abstract: 此处公开了一种使用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件所用的层间电介质膜的方法。根据该方法，使用多面体分子倍半硅氧烷作为硅氧烷基树脂所用的单体或作为多孔形成剂(微孔生成物)，来制备用于形成电介质膜的组合物，并且把组合物涂敷在基板上以形成半导体器件所用的层间电介质膜。由本方法形成的层间电介质膜具有低介电常数并显示出优良的机械特性。
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公开(公告)号：CN1626537A
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN200410090025.1
申请日：2004-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/21 , C08G77/08 , H01L21/312
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/50 , Y10T428/31663
Abstract: 一种多官能的环状硅酸盐(或酯)化合物，由该硅酸盐(或酯)化合物制备得到的基于硅氧烷的聚合物和使用基于硅氧烷的聚合物生产绝缘膜的方法。本发明的硅酸盐(或酯)化合物与常规的发孔材料高度相容，并且几乎不吸湿，因而可用于制备适于SOG方法的基于硅氧烷的聚合物。此外，通过使用基于硅氧烷的聚合物制备得到的膜，在机械性能、热稳定性和抗龟裂性方面是优良的，并且由于它的低吸湿性，在绝缘性质上有增强。因此，在半导体生产方面，本发明的膜可很好地用作绝缘膜。
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公开(公告)号：CN100393730C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200410090025.1
申请日：2004-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/21 , C08G77/08 , H01L21/312
CPC classification number: C09D183/04 , C08G77/045 , C08G77/06 , C08G77/50 , Y10T428/31663
Abstract: 一种多官能的环状硅酸盐(或酯)化合物，由该硅酸盐(或酯)化合物制备得到的基于硅氧烷的聚合物和使用基于硅氧烷的聚合物生产绝缘膜的方法。本发明的硅酸盐(或酯)化合物与常规的发孔材料高度相容，并且几乎不吸湿，因而可用于制备适于SOG方法的基于硅氧烷的聚合物。此外，通过使用基于硅氧烷的聚合物制备得到的膜，在机械性能、热稳定性和抗龟裂性方面是优良的，并且由于它的低吸湿性，在绝缘性质上有增强。因此，在半导体生产方面，本发明的膜可很好地用作绝缘膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100383147C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200410076698.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。
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公开(公告)号：CN101429338A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810181832.2
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08L83/04 , C08K5/5415 , C08J5/18 , H01L21/312 , H01L21/768
Abstract: 此处公开了一种使用多面体分子倍半硅氧烷形成半导体器件所用的层间电介质膜的方法。根据该方法，使用多面体分子倍半硅氧烷作为硅氧烷基树脂所用的单体或作为多孔形成剂(微孔生成物)，来制备用于形成电介质膜的组合物，并且把组合物涂敷在基板上以形成半导体器件所用的层间电介质膜。由本方法形成的层间电介质膜具有低介电常数并显示出优良的机械特性。
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公开(公告)号：CN100455619C
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200410074886.0
申请日：2004-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09D183/14 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L21/31695 , Y10T428/31663
Abstract: 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体层间绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。
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公开(公告)号：CN1657530A
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN200410100231.6
申请日：2004-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C07F7/18 , C08G77/04 , H01L21/312
CPC classification number: C08G77/50 , C07F7/0838 , C07F7/1804
Abstract: 本发明涉及一种新型多功能线型硅氧烷化合物、用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物，以及用该硅氧烷聚合物制备介电膜的方法。该线型硅氧烷聚合物具有高的机械性能(如模量)、超级热稳定性、低碳含量和低吸湿性；它是线型硅氧烷化合物通过均聚或者该线型硅氧烷化合物与其他单体通过共聚制备的。制备介电膜的方法是将含有高反应性的硅氧烷聚合物的涂布液热固化。用该硅氧烷化合物制备的硅氧烷聚合物不仅具有令人满意的机械性能、热稳定性和抗裂性，而且吸湿性低，与成孔材料有优异的相容性，从而导致低的介电常数。另外，硅氧烷聚合物能够保持较低的碳含量和较高的SiO2含量，从而能够改善其在半导体器件中的适用性。因此，该硅氧烷聚合物能够有利地用作半导体器件的介电膜的材料。
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公开(公告)号：CN1616468A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN200410076698.1
申请日：2004-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F7/21 , Y10T428/31663
Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。
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