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公开(公告)号：CN111211044A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201910754012.6
申请日：2019-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/66 , H01L21/67
Abstract: 本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。
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公开(公告)号：CN107871649A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710890948.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32935 , G01N29/12 , G01N29/2437 , H01J37/32568 , H01J37/3299 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L22/14 , H01L22/20 , H01J37/32798 , H01L21/67069 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供了一种用于监控等离子体处理腔室的监控单元、等离子体处理设备以及制造半导体装置的方法。所述用于监控等离子体处理腔室的监控单元包括：压电构件，其包括暴露于等离子体处理腔室内的表面；第一电极，其耦接到压电构件；电源单元，其耦接到第一电极并且构造为通过第一电极将电压施加到压电构件；以及控制单元，其耦接到压电构件并且构造为检测压电构件的振动频率。响应于施加到压电构件的电压，产生振动频率。
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公开(公告)号：CN106941068A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201611103022.6
申请日：2016-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/324
Abstract: 提供了一种挡板、一种使用挡板的等离子体处理设备、一种基板处理设备和一种处理基板的方法。所述等离子体处理设备包括基座、容纳基座并且包围反应空间的室外壳以及环形地围绕基座的环形挡板。挡板包括具有导电材料的第一层和具有非导电材料的第二层，并且第二层比第一层接近于反应空间。
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公开(公告)号：CN111430208B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202010012899.4
申请日：2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。
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公开(公告)号：CN111430208A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010012899.4
申请日：2020-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据控制等离子体的均匀性的方法，通过使具有第一频率的第一RF信号脉冲化来产生包括第一RF脉冲的第一RF驱动脉冲信号，通过使具有的较低的第二频率的第二RF信号脉冲化来产生包括第二RF脉冲的第二RF驱动脉冲信号。将第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号施加到等离子体腔室的顶电极和/或底电极。基于第一RF脉冲和第二RF脉冲的时序来产生包括谐波控制脉冲的谐波控制信号。经由由谐波控制信号控制的谐波控制电路的间歇性激活和去激活，来减少第一RF驱动脉冲信号和第二RF驱动脉冲信号的谐波分量。通过基于RF脉冲的时序的控制来改善等离子体的均匀性。
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