公开(公告)号：CN101752337A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910253079.8

申请日：2009-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泰政 ,  房基仁 ,  朴明圭 ,  严炅恩

IPC: H01L23/482 ,  H01L23/60 ,  H01L23/528 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L24/06 ,  H01L27/0251 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14133 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599

Abstract: 本发明提供了半导体集成电路器件及显示装置。一种半导体集成电路器件包括：形成在衬底中的静电放电(ESD)掺杂区；形成在衬底上的凸块；以及第一布线层和第二布线层，形成在凸块之下相同的水平面上。第一布线层和第二布线层彼此分隔开，每个第一布线层和第二布线层的至少一部分与凸块重叠。第一布线层电连接到ESD掺杂区和凸块，第二布线层与凸块绝缘。

公开(公告)号：CN107086248B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710076431.X

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋官宰 ,  俞在炫 ,  李寅鹤 ,  张成熏 ,  朴明圭 ,  金荣睦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。

公开(公告)号：CN101388392B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200810175627.5

申请日：2008-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明圭 ,  金炳善 ,  李泰政 ,  房基仁

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L23/60 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种具有片上型静电放电(ESD)保护电路的半导体器件及其制造方法。该片上型ESD保护电路可以包括在半导体衬底中具有接触第二导电型区域的第一导电型区域的第一结型二极管以及具有布置在半导体衬底的第一导电型区域上且接触该第一导电型区域的金属性材料层的第一肖特基二极管。

公开(公告)号：CN116093159A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202211370363.5

申请日：2022-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金忠善 ,  前田茂伸 ,  朴明圭

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/146 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括从基板突出并在第一方向上延伸的有源鳍。器件隔离层在基板中限定有源鳍。多个栅极结构与有源鳍交叉并在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述多个栅极结构中的每个包括栅极和在栅极的侧表面上的栅极间隔物。多个外延层在栅极结构的相反侧设置在有源鳍上，并包括提供漏极区的第一外延层和提供源极区的第二外延层。栅极间隔物包括设置在第一外延层和栅极之间的第一间隔物。第一间隔物包括沿着栅极的侧表面在垂直于基板的上表面的第三方向上延伸的第一区、以及从第一区的下部在远离栅极的方向上延伸的第二区。

公开(公告)号：CN107086248A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710076431.X

申请日：2017-02-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋官宰 ,  俞在炫 ,  李寅鹤 ,  张成熏 ,  朴明圭 ,  金荣睦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种具有高且稳定的工作电压的半导体器件及其制造方法被提供，该半导体器件包括：具有包括沟道区域的有源区的衬底；覆盖有源区的顶表面的栅绝缘层；覆盖有源区的顶表面上的栅绝缘层的栅电极；掩埋绝缘图案，其在栅电极的下侧处于有源区的沟道区域中，并且与衬底的顶表面间隔开；以及在掩埋绝缘图案中的每个的两侧处的衬底中并且从衬底的顶表面延伸到比掩埋绝缘图案中的每个的高度更低的高度的一对源/漏区域。

公开(公告)号：CN101388392A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810175627.5

申请日：2008-07-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴明圭 ,  金炳善 ,  李泰政 ,  房基仁

IPC: H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L23/60 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0814 ,  H01L27/0255

Abstract: 本发明提供一种具有片上型静电放电(ESD)保护电路的半导体器件及其制造方法。该片上型ESD保护电路可以包括在半导体衬底中具有接触第二导电型区域的第一导电型区域的第一结型二极管以及具有布置在半导体衬底的第一导电型区域上且接触该第一导电型区域的金属性材料层的第一肖特基二极管。