-
公开(公告)号：CN116093159A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211370363.5
申请日：2022-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L27/146 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 一种半导体器件包括从基板突出并在第一方向上延伸的有源鳍。器件隔离层在基板中限定有源鳍。多个栅极结构与有源鳍交叉并在垂直于第一方向的第二方向上延伸。所述多个栅极结构中的每个包括栅极和在栅极的侧表面上的栅极间隔物。多个外延层在栅极结构的相反侧设置在有源鳍上，并包括提供漏极区的第一外延层和提供源极区的第二外延层。栅极间隔物包括设置在第一外延层和栅极之间的第一间隔物。第一间隔物包括沿着栅极的侧表面在垂直于基板的上表面的第三方向上延伸的第一区、以及从第一区的下部在远离栅极的方向上延伸的第二区。
Search Results
1
records
(took 0.015 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
