数字全息显微镜及使用其的检查方法和半导体制造方法

    公开(公告)号:CN110554005A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201910128810.8

    申请日:2019-02-21

    Abstract: 提供了一种能够在高分辨率下精确检查检查对象的同时执行高速检查的低成本数字全息显微镜(DHM),一种利用DHM的检查方法和一种利用DHM制造半导体装置的方法。DHM包括:光源,其被构造为产生和输出光;分束器,其被构造为使得光入射到检查对象并且输出来自检查对象的反射光;以及检测器,其被构造为检测反射光,其中,当反射光包括干涉光时检测器产生干涉光的全息图,并且其中在从光源至检测器的路径上无透镜。

    EUV光掩模检查设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116430669A

    公开(公告)日:2023-07-14

    申请号:CN202211655943.9

    申请日:2022-12-22

    Abstract: 一种EUV光掩模检查设备,包括:多个光学系统,其分别在包括EUV光掩模和EUV光掩模上的表膜的掩模结构中形成不同的共焦点。多个光学系统中的第一光学系统包括:第一光源,其发射具有可见光范围内的波长的第一光;分束器,其透射或反射第一光;物镜,其被配置为允许第一光穿过掩模结构的至少一部分,以在掩模结构中形成第一焦点;第一光检测器,其被配置为检测通过入射的第一光从掩模结构反射的第一反射光,以及针孔板,其在第一光源前方。第一光检测器具有包括PMT和APD的检测模块和热电冷却模块。

    数字全息显微镜及使用其的检查方法和半导体制造方法

    公开(公告)号:CN110554005B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN201910128810.8

    申请日:2019-02-21

    Abstract: 提供了一种能够在高分辨率下精确检查检查对象的同时执行高速检查的低成本数字全息显微镜(DHM),一种利用DHM的检查方法和一种利用DHM制造半导体装置的方法。DHM包括:光源,其被构造为产生和输出光;分束器,其被构造为使得光入射到检查对象并且输出来自检查对象的反射光;以及检测器,其被构造为检测反射光,其中,当反射光包括干涉光时检测器产生干涉光的全息图,并且其中在从光源至检测器的路径上无透镜。

    用于电子束光刻系统的电磁聚焦方法

    公开(公告)号:CN1794098A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510092406.8

    申请日:2005-08-18

    CPC classification number: B82Y10/00 B82Y40/00 H01J37/3174 H01J2237/31793

    Abstract: 提供一种用于在电子束光刻系统的真空室中将电子束的预定图案从发射器投影到晶片的方法。首先设置用于进行电磁聚焦的初始条件,并校正由从发射器发射的电子之间的初始发射速度差异和初始发射角度差异而导致的电子束的扩张现象。然后,校正当电场不平行于磁场时导致的电子束的偏移,并校正由磁场梯度导致的电子束的偏移,其后校正由从发射器发射的电子之间的库仑相互作用导致的电子束的束直径的增大。然后,确定聚焦误差是否在容许误差的范围内。当确定聚焦误差在容许误差的范围之外时,重复上述操作。

    用于电子束投影光刻系统的发射器及其制造和操作方法

    公开(公告)号:CN1607465A

    公开(公告)日:2005-04-20

    申请号:CN200410056446.2

    申请日:2004-08-09

    CPC classification number: H01J37/073 H01J2237/31779

    Abstract: 本发明公开了一种用于电子束投影光刻系统的发射器及其制造和操作方法。该发射器包括光电导衬底、形成在光电导衬底的前表面上的绝缘层、形成在绝缘层上并被构图为具有薄部和相对于薄部的厚部的栅电极层、以及形成在光电导衬底的后表面上并由透明导电材料形成的基电极层。在基电极层与栅电极层之间施加电压,光从发射器的后侧投射在光电导衬底的局部上,从而将部分光电导衬底转变为导体,使得电子仅从光投射到的局部射出。根据本发明,由于发射器可以局部地发射电子,因此可以在全面的第一次构图后进行局部的改正或修复。

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