公开(公告)号：CN1794098A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510092406.8

申请日：2005-08-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文昌郁 ,  悉多尔金·瓦迪姆 ,  崔昌勋

IPC: G03F7/207 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31793

Abstract: 提供一种用于在电子束光刻系统的真空室中将电子束的预定图案从发射器投影到晶片的方法。首先设置用于进行电磁聚焦的初始条件，并校正由从发射器发射的电子之间的初始发射速度差异和初始发射角度差异而导致的电子束的扩张现象。然后，校正当电场不平行于磁场时导致的电子束的偏移，并校正由磁场梯度导致的电子束的偏移，其后校正由从发射器发射的电子之间的库仑相互作用导致的电子束的束直径的增大。然后，确定聚焦误差是否在容许误差的范围内。当确定聚焦误差在容许误差的范围之外时，重复上述操作。