公开(公告)号：CN116525661A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202211490783.7

申请日：2022-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱贞慜 ,  吉奎炫 ,  崔惠彬 ,  白头山 ,  崔雅朗 ,  韩正勋

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括基板，该基板在其中具有彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案具有相对于第二有源图案的顶表面升高的顶表面。沟道半导体层提供在第一有源图案的顶表面上。在沟道半导体层上提供包括第一绝缘图案的第一栅极图案。在第二有源图案的顶表面上提供第二栅极图案，该第二栅极图案包括具有比第一绝缘图案的厚度大的厚度的第二绝缘图案。

公开(公告)号：CN115968196A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211247893.0

申请日：2022-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔惠彬 ,  尹灿植 ,  吉奎炫 ,  白头山 ,  赵炯纪 ,  韩正勋

IPC: H10B12/00

Abstract: 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的栅极结构、第一栅极间隔物和第二栅极间隔物。栅极结构的侧壁包括凹入的下侧壁部分和相对于衬底的上表面垂直的上侧壁部分。第一栅极间隔物形成在栅极结构的侧壁的上侧壁部分上。第二栅极间隔物形成在栅极结构的侧壁的凹入的下侧壁部分和第一栅极间隔物的外侧壁上。第二栅极间隔物接触第一栅极间隔物的下表面，并包括氮化物。

公开(公告)号：CN116525662A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310085158.2

申请日：2023-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔惠彬 ,  尹燦植 ,  吉奎炫

IPC: H01L29/423 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括有源区、设置在有源区上的栅极电介质层、设置在栅极电介质层上的栅电极、与栅电极的侧表面的一部分接触的保护层、以及覆盖栅电极的侧表面和保护层的间隔物结构。栅电极包括设置在栅极电介质层上的下导电图案、设置在下导电图案上的中间导电图案和设置在中间导电图案上的上导电图案。保护层包括与中间导电图案的侧表面的至少一部分接触的第一保护部分和与上导电图案的侧表面接触的第二保护部分，第二保护部分包括与第一保护部分的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN114975357A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111563387.8

申请日：2021-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵素贤 ,  李垣哲 ,  金宰贤 ,  张宰赫 ,  崔惠彬

IPC: H01L23/538 ,  H01L29/423 ,  H01L27/108

Abstract: 一种半导体器件包括栅极结构和接触插塞。所述栅极结构沿与衬底平行的第一方向延伸，并且包括顺序地堆叠的第一导电图案、第二导电图案和栅极掩模。所述接触插塞接触所述栅极结构在所述第一方向上的端部，并且包括沿垂直方向延伸并接触所述栅极掩模的侧壁和所述第二导电图案的侧壁的第一延伸部、在所述第一延伸部下方并接触所述第一延伸部和所述第一导电图案的侧壁的第二延伸部、以及在所述第二延伸部下方并接触所述第二延伸部的突起部。所述突起部的底部不接触所述第一导电图案。所述第一延伸部的侧壁的第一斜率大于所述第二延伸部的侧壁的第二斜率。