公开(公告)号：CN119907235A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410800375.X

申请日：2024-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵炯纪 ,  卞诚载

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了包括垂直沟道晶体管的半导体器件。所述半导体器件包括：模制绝缘图案，位于基底上；上导线，在基底上在第一水平方向上延伸；沟道结构，包括垂直沟道部分，垂直沟道部分面对上导线的侧表面并且与模制绝缘图案的第一侧壁接触，其中，垂直沟道部分在垂直方向上延伸；第一栅极介电层，至少部分地围绕沟道结构的表面；以及第二栅极介电层，位于沟道结构上的上导线与第一栅极介电层之间，其中，模制绝缘图案包括主体和突起，其中，主体在第一水平方向上延伸，并且突起在与第一水平方向相交的第二水平方向上突出。

公开(公告)号：CN120035145A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202410895858.2

申请日：2024-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉姃 ,  赵炯纪

IPC: H10B41/30 ,  H10B41/40 ,  H10B43/30 ,  H10B43/40

Abstract: 一种半导体器件包括：基板；设置在基板上的位线；设置在位线上的第一绝缘图案；设置在第一绝缘图案上的第一字线；设置在位线上并在第一方向上与第一字线隔开的沟道图案；设置在第一字线上并在第二方向上延伸的第二绝缘图案；设置在沟道图案上的第三绝缘图案，沟道图案包括插置在位线与第三绝缘图案之间的水平部分和插置在第三绝缘图案与第一字线之间的垂直部分；以及连接到沟道图案并覆盖沟道图案的垂直部分的上表面和垂直部分的相反的侧表面的着落垫。

公开(公告)号：CN118804586A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202311530991.X

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳喜齐 ,  赵炯纪

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10

Abstract: 一种半导体存储器件包括：在第一方向上延伸的位线；半导体图案，其设置在所述位线上并且在所述第一方向上彼此间隔开，并且均包括第一垂直部、第二垂直部和水平部；第一字线和第二字线，所述第一字线和所述第二字线设置在所述水平部上并且分别与所述第一垂直部和所述第二垂直部相邻；和设置在所述位线上并且位于所述半导体图案之间的半导体电介质图案。所述半导体电介质图案包括：下覆盖图案；在所述下覆盖图案上在所述第一方向上彼此间隔开的侧壁电介质图案；位于所述侧壁电介质图案之间的气隙；和设置在所述侧壁电介质图案上的上覆盖图案。所述侧壁电介质图案的顶表面的高度处于与所述第一垂直部和所述第二垂直部的顶表面相同的高度处。

公开(公告)号：CN115968196A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211247893.0

申请日：2022-10-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔惠彬 ,  尹灿植 ,  吉奎炫 ,  白头山 ,  赵炯纪 ,  韩正勋

IPC: H10B12/00

Abstract: 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括在衬底上的栅极结构、第一栅极间隔物和第二栅极间隔物。栅极结构的侧壁包括凹入的下侧壁部分和相对于衬底的上表面垂直的上侧壁部分。第一栅极间隔物形成在栅极结构的侧壁的上侧壁部分上。第二栅极间隔物形成在栅极结构的侧壁的凹入的下侧壁部分和第一栅极间隔物的外侧壁上。第二栅极间隔物接触第一栅极间隔物的下表面，并包括氮化物。