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公开(公告)号：CN102881792A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210241696.8
申请日：2012-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/14 , C30B29/406 , H01L21/0254
Abstract: 本发明提供了半导体外延薄膜生长方法以及用其制造半导体发光器件的方法。该半导体外延薄膜生长方法包括：在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。
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公开(公告)号：CN102832300B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201210203592.8
申请日：2012-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/0079
Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。
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公开(公告)号：CN102330072B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201110199158.2
申请日：2011-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , C23C16/45502 , C23C16/45517 , C23C16/45563 , C23C16/45572 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C23C16/4558 , C23C16/45591 , C23C16/458 , C23C16/4584 , C23C16/4585 , H01L33/0066 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积设备及使用其形成半导体外延薄膜的方法，所述化学气相沉积设备包括：反应室，包括具有预定体积的内部空间的内管和紧密密封内管的外管；晶片夹持件，设置在内管中，多个晶片以预定间隔堆叠在晶片夹持件上；供气单元，包括将外部反应气体供应到反应室的至少一条气体管线以及与气体管线连通以将反应气体喷射至晶片的多个喷嘴，从而在晶片的表面上生长半导体外延薄膜，其中，生长在晶片的表面上的半导体外延薄膜包括发光结构，在所述发光结构中顺序地形成有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN102832300A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210203592.8
申请日：2012-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/44 , C23C16/455
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/67109 , H01L21/68764 , H01L21/68771 , H01L33/0079
Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：在半导体生长基底上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层，以形成发光部件；在所述第二导电类型半导体层上形成支撑部件，以结合到所述发光部件；将所述半导体生长基底与所述发光部件分离；以及将蚀刻气体施加到所述半导体生长基底，以从所述半导体生长基底的表面去除所述第一导电类型半导体层的残留物。
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