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公开(公告)号：CN109671636A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811100269.1
申请日：2018-09-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片来生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。
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公开(公告)号：CN107579013B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN201710522341.9
申请日：2017-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供检测方法、制造半导体封装的方法和形成半导体封装的方法。一种检测方法包括：生成包括关于第一图案组的形状的信息的第一布局数据；生成包括关于第二图案组的形状的信息的第二布局数据；获得包括第一图案组和第二图案组的图像的目标图像；以及通过将第一布局数据和第二布局数据与目标图像比较而从所述目标图像检测缺陷图案。第一图案组、第二图案组和缺陷图案被提供在距基板的顶表面的彼此不同的高度处。
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公开(公告)号：CN116110768A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210939273.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/28 , H01J37/244 , H01L21/66 , G01N23/2251
Abstract: 提供了扫描电子显微镜、检查晶片的方法及半导体器件制造方法。扫描电子显微镜包括：电子枪；偏转器；物镜；第一检测器和第二检测器，均被配置为检测基于所述输入电子束照射在所述晶片上而从所述晶片发射的发射电子；第一能量滤波器，被配置为阻挡基于输入电子束而从晶片发射的发射电子当中的能量小于第一能量的电子被所述第一检测器检测到；以及第二能量滤波器，被配置为阻挡所述发射电子当中的能量小于第二能量的电子被所述第二检测器检测到。
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公开(公告)号：CN111326434A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201910835028.X
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及光谱系统、光学检查装置和半导体器件制造方法。该半导体器件制造方法包括对基板执行第一处理工艺；使用光谱系统检查基板，所述光谱系统包括光入射部件、光出射部件、衍射光栅和可控反射镜设备；以及对被执行了所述第一处理工艺的所述基板执行第二处理工艺。执行检查工艺的步骤包括：将入射光分离成各自具有不同波长的多个光线，所述入射光被提供给所述光入射部件并在所述衍射光栅处被衍射；以及移动所述可控反射镜设备以将所述多个光线中具有第一波长的第一光线反射到所述光出射部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109727881B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810928321.6
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种检查缺陷的方法，包括：将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域，多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯，半导体衬底包括设置在其上的图案，从多个检查区域中的每一个获得光学图像，获得参考区域和比较区域之间的差分图像，参考区域是多个检查区域中的一个，比较区域是多个检查区域当中除了参考区域之外的区域，通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素，并且可以提供通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。
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公开(公告)号：CN116136390A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211226878.8
申请日：2022-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 光谱设备可以包括：光源部分，被配置为向目标对象发射第一光，光源部分包括主光源和多个辅助光源；衍射部分，包括衍射光栅，该衍射光栅被配置为衍射基于第一光从目标对象反射而产生的第二光，衍射光栅被配置为产生第三光，该第三光是经衍射的第二光；检测部分，被配置为检测第三光；以及分析部分，连接到检测部分。检测部分可以包括致动器和多个像素。多个辅助光源可以被配置为发射不同波长的光线。致动器可以被配置为旋转并移动检测部分。
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公开(公告)号：CN109727881A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201810928321.6
申请日：2018-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 一种检查缺陷的方法，包括：将包括多个裸芯的半导体衬底分成多个检查区域，多个检查区域中的每一个具有至少一个裸芯，半导体衬底包括设置在其上的图案，从多个检查区域中的每一个获得光学图像，获得参考区域和比较区域之间的差分图像，参考区域是多个检查区域中的一个，比较区域是多个检查区域当中除了参考区域之外的区域，通过对差分图像中的相同位置像素的相应的信号强度执行信号分析来确定异常像素，并且可以提供通过将异常像素与设计图案进行比较来指定一个或多个可能的弱点图案。
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公开(公告)号：CN107644821B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN201710596202.0
申请日：2017-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了测量芯片的未对准的方法、利用该方法制造扇出面板级封装的方法以及由其制造的扇出面板级封装。测量方法可以包括：通过扫描基板上的芯片获得图像；获得图像中的参考芯片相对于基板的绝对位移；获得图像中的辅助芯片相对于参考芯片的相对位移；以及根据绝对位移和相对位移计算芯片的未对准。
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