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公开(公告)号：CN110931069A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910827364.X
申请日：2019-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种非易失性存储器和一种竖直NAND闪存。所述非易失性存储器包括：存储器单元区域，包括靠近存储器单元区域的第一端的外部区域和通过外部区域与第一端分开的内部区域；第一位线和第二位线；外部存储器单元串，包括连接到延伸通过外部区域的外部柱的存储器单元；内部存储器单元串，包括连接到延伸通过内部区域的内部柱的存储器单元；以及数据输入/输出电路。数据输入/输出电路包括：页面缓冲器电路，在第一读取操作期间，页面缓冲器电路连接第一位线，并且在第二读取操作期间，页面缓冲器电路连接第二位线；以及读取电压确定单元，选择在第一读取操作期间使用的第一最佳读取电压和在第二读取操作期间使用的第二最佳读取电压。
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公开(公告)号：CN108399931A
公开(公告)日：2018-08-14
申请号：CN201711282951.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/24
Abstract: 提供了非易失性存储装置。所述非易失性存储装置包括：存储单元阵列，具有多个面；多个页缓冲器，布置为与多个面中的每个面对应；以及控制逻辑电路，被配置为向多个页缓冲器中的每个页缓冲器传输位线设定信号。多个页缓冲器中的每个包括被配置为响应于位线设定信号对感测节点和位线进行预充电的预充电电路以及被配置为响应于位线截止信号执行位线截止操作的截止电路。控制逻辑电路被配置为当位线设定信号的电平根据位线截止信号的梯度而改变时来控制转换时间，其中，位线截止信号从第一电平改变为第二电平。
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公开(公告)号：CN117437965A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310301818.6
申请日：2023-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种操作与非易失性存储器设备通信的存储控制器的方法。该方法包括向非易失性存储器设备提供读取命令，从非易失性存储器设备接收与读取命令相对应的第一读取数据和第一分布信息，确定第一读取数据的错误是否可纠正，以及响应于确定第一读取数据的错误可纠正，基于第一分布信息更新存储控制器中的历史表的偏移信息。
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公开(公告)号：CN117334232A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202310767019.8
申请日：2023-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器装置的操作方法，存储器装置具有与字线连接的存储器块，所述方法包括：(1)从存储器控制器接收命令，(2)激活第一块选择信号，第一块选择信号控制被配置为将与存储器块连接的字线与驱动线连接的第一通过晶体管，以及(3)控制字线使得执行对应于命令的第一操作。在完成第一操作之后，该方法还包括：(4)用第一电压对存储器块的沟道预充电，以及(5)执行模式恢复操作使得用恢复电压控制字线。模式恢复操作包括：去激活第一块选择信号。
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公开(公告)号：CN107767913B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201710695642.1
申请日：2017-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于输出存储装置的内部状态的装置和使用该装置的存储系统。该装置包括：状态信号生成电路，生成指示存储装置的内部操作状态的第一信号；以及状态信号输出控制电路，接收第一信号，并且基于芯片使能信号或初始设置的功能命令或这两者将第二信号输出到输出焊盘。第一信号指示两个状态中的一个状态，并且第二信号指示三个状态中的一个状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118335128A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311652225.0
申请日：2023-12-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器装置及其操作方法。存储器装置包括：其中具有多个单元块的存储器单元阵列，多个单元块包括被配置为存储与设置存储器装置的操作环境相关的信息数据读取(IDR)数据的至少一个单元块。提供了包括多个存储区域的设置数据存储电路，在多个存储区域中存储从至少一个单元块读取的IDR数据并且独立地控制重置操作。提供了控制逻辑，其被配置为根据外部命令的解码结果来控制对设置数据存储电路的重置操作和将IDR数据更新到设置数据存储电路的IDR操作中的至少一个。控制逻辑被配置为响应于确定外部命令是第一重置命令而选择性地仅重置设置数据存储电路的一些存储区域，但是响应于确定外部命令是第二重置命令而重置设置数据存储电路的所有存储区域。
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公开(公告)号：CN108346447B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201711120376.6
申请日：2017-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了对包括N条串选择线、字线、第一位线组和第二位线组的非易失性存储器件进行编程的方法。该方法可以包括：响应于顺序施加的第一地址至第N地址，通过顺序地选择所述N条串选择线来顺序地对连接到字线和包括在第一位线组中的至少一条位线的第一存储器单元进行编程；然后响应于顺序施加的第N+1地址至第2N地址，通过顺序地选择所述N条串选择线之一来顺序地对连接到字线和包括在第二位线组中的至少一条位线的第二存储器单元进行编程。
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公开(公告)号：CN116507127A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211407915.5
申请日：2022-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/41 , H10B41/35 , H10B43/35 , H10B80/00 , H01L25/065
Abstract: 公开了半导体装置和半导体封装件。所述半导体装置包括：半导体基底，包括堆叠区域和垫区域；外围电路结构，包括在半导体基底上的多个外围电路；单元阵列结构，在外围电路结构上；以及再分布层，在单元阵列结构上并且包括再分布介电层和在再分布介电层上的再分布图案。再分布介电层覆盖单元阵列结构的最上面的导电图案。再分布图案连接到最上面的导电图案。再分布层在垫区域上的在竖直方向上的厚度大于再分布层在堆叠区域上的在竖直方向上的厚度。
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公开(公告)号：CN115602233A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210713815.9
申请日：2022-06-22
Applicant: 三星电子株式会社(KR)
IPC: G11C16/26
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法。所述非易失性存储器件包括：元区域，所述元区域具有存储第一初始数据的第一区域以及存储彼此不同的第二初始数据的多个第二区域；用户区域，所述用户区域被配置为存储用户数据；初始化寄存器，所述初始化寄存器被配置为存储所述第一初始数据或者全部或部分地存储所述第二初始数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为使用存储在所述初始化寄存器中的初始数据来执行读取操作、编程操作或擦除操作。
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公开(公告)号：CN110942796B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201910594574.9
申请日：2019-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26 , G11C16/08 , G11C16/24 , G06F12/02 , G06F12/0882
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置和操作非易失性存储器装置的方法，非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括页，每个页包括存储数据比特的存储器单元，每个数据比特通过不同的阈值电压是可选择的；页缓冲器电路，通过位线结合到存储器单元阵列，页缓冲器电路包括页缓冲器以从选择的存储器单元感测数据并且执行均包括两个顺序的感测操作的第一读取操作和第二读取操作以确定一个数据状态，每个页缓冲器包括锁存器，锁存器被配置为顺序地存储两个顺序感测操作的结果；以及控制电路，控制页缓冲器以存储第一读取操作的结果，在完成第一读取操作之后重置锁存器并且基于谷来执行第二读取操作，谷基于第一读取操作的结果来确定。
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