公开(公告)号：CN100407374C

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200480024908.0

申请日：2004-08-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仓本大 ,  笹冈千秋 ,  松馆政茂

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32341

Abstract: 多晶AlN 3通过溅射方法沉积在SiO2膜(2)的表面上，并且形成掩模。然后，在所形成的掩模上形成Si掺杂的n-GaN层5。随后，顺序生长出由Si-掺杂的n-型Al0.1Ga0.9N(硅含量为4×1017cm-3，厚度为1.2μm)形成的n-型镀层(6)；由Si-掺杂的n-型GaN形成的n-型光捕获层(7)；由In0.2Ga0.8N势阱层以及Si掺杂的In0.05Ga0.95N阻挡层形成的多重量子势阱层(8)；由Mg-掺杂的p-型Al0.2Ga0.8N形成的保护层(9)；由Mg-掺杂的p-型GaN形成的p-型光捕获层(10)；由Mg-掺杂的p-型Al0.1Ga0.9N形成的p-型镀层(11)；以及由Mg-掺杂的p-型GaN形成的p-型接触层(12)，从而形成了LD层结构。

公开(公告)号：CN1846299A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480024908.0

申请日：2004-08-30

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仓本大 ,  笹冈千秋 ,  松馆政茂

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L33/0075 ,  H01S5/323 ,  H01S5/32341

Abstract: 多晶AlN3通过溅射方法沉积在SiO2膜(2)的表面上，并且形成掩模。然后，在所形成的掩模上形成Si掺杂的n－GaN层5。随后，顺序生长出由Si－掺杂的n－型Al0.1Ga0.9N(硅含量为4×1017cm－3，厚度为1.2μm)形成的n－型镀层(6)；由Si－掺杂的n－型GaN形成的n－型光捕获层(7)；由In0.2Ga0.8N势阱层以及Si掺杂的In0.05Ga0.95N阻挡层形成的多重量子势阱层(8)；由Mg－掺杂的p－型Al0.2Ga0.8N形成的保护层(9)；由Mg－掺杂的p－型GaN形成的p－型光捕获层(10)；由Mg－掺杂的p－型Al0.1Ga0.9N形成的p－型镀层(11)；以及由Mg－掺杂的p－型GaN形成的p－型接触层(12)，从而形成了LD层结构。

公开(公告)号：CN1374683A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN02106903.4

申请日：2002-03-06

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仓本大 ,  砂川晴夫

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B25/04 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647

Abstract: 一种III－V族化合物半导体外延层,其上部区具有倾斜角至多为100秒并且/或者其扭转角至多为100秒的晶体结构。用掩模外延生长该层,其中该掩模满足如下等式(1):h≥(w/2)tan θ ……(1)其中“θ”是在外延生长时的III－V族化合物半导体层刻面结构的基角;“h”是掩模的厚度;“w”是掩模下层的开口宽度,并且该开口宽度被限定在与基底层表面和刻面结构的侧面垂直的平面所包含的方向上。

公开(公告)号：CN1340891A

公开(公告)日：2002-03-20

申请号：CN01123674.4

申请日：2001-09-03

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 山口敦史 ,  仓本大 ,  仁道正明

IPC: H01S5/343

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 本发明的课题是降低使用氮化镓系材料的半导体激光器的阈值电流密度。根据本发明,在低位错密度的n型GaN衬底21上,形成包含n型覆盖层33、和具有InxAlyGa1－x－yN(0

公开(公告)号：CN1333501C

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200410090149.X

申请日：2004-10-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仓本大

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 提供一种能提高制造效率和器件可靠性的半导体器件，及其制造方法。本发明提供了一种半导体器件，其包含晶体衬底，以及层叠在所述晶体衬底上的半导体层；其中所述半导体器件的至少一侧面包括包含所述晶体衬底的晶面的第一表面(100)和包含所述晶体衬底的非晶面的表面的第二表面(13)。

公开(公告)号：CN1641951A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200410090149.X

申请日：2004-10-29

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仓本大

IPC: H01S5/30 ,  H01L33/00

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/309 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12

Abstract: 提供一种在制造效率和器件可靠性上出色的半导体器件，及其制造方法。器件的侧面由划槽(13)和解理面(100)构成。

公开(公告)号：CN1405937A

公开(公告)日：2003-03-26

申请号：CN02141658.3

申请日：2002-09-09

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 仁道正明 ,  仓本大 ,  山口敦史

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/02 ,  H01L33/04 ,  H01S5/0655 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/227 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213

Abstract: 本发明提供可以发射接近圆形的基本横模的激光且工作电流及元件电阻低的氮化镓半导体激光器结构。在GaN构成的基底层的上部，按下部包覆层2、有源层4、上部包覆层7及电极的顺序层积，在有源层与下部包覆层之间和/或前述有源层与上部包覆层之间设置一个或两个以上的光导层1，以380nm以上420nm以下的波长振荡的氮化镓半导体激光器，在设光导层的总层厚为h(μm)，下部包覆层2的层厚为d1(μm)，具有与下部包覆层2的平均折射率相同折射率的AlGaN体结晶的Al组成为x，具有与上部包覆层7的平均折射率相同折射率的AlGaN体结晶的Al组成为y时，满足如下条件：0.15≤h、|x－y|≤0.02、0.02≤x≤0.06及0.34x－0.49≤d1+2h。