公开(公告)号：CN1855653A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610074649.3

申请日：2006-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大柜义德

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/32316

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体激光器件，所述化合物半导体激光器件具有第一导电类型的半导体衬底和依次形成于衬底上的多个层。所述多个层包括第一导电类型的第一和第二覆层、第二导电类型的第三覆层，以及第二和第三覆层之间的有源层。所述第二覆层的载流子浓度低于所述第一覆层的载流子浓度。例如，所述第一覆层的载流子浓度为1×1018cm－3到2×1018cm－3(包括端值)，而所述第二覆层的载流子浓度为1×1017cm－3到5×1017cm－3(包括端值)。

公开(公告)号：CN110579895A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910476169.7

申请日：2019-06-03

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大柜义德

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1335

Abstract: 一种液晶面板，即使在弯曲的状态下也能实现优异显示质量，其能以第一端部和与第一端部相对的第二端部相对于在第一方向上延伸的基准轴而靠近的方式弯曲，在未弯曲的状态下，在与第一方向正交的第二方向上，将黑矩阵的宽度二等分的第一中心轴和将配线的宽度二等分的第二中心轴满足如下关系：(A)相对于基准轴而言在第一端部侧的区域，第一中心轴与第二中心轴相比向第一端部侧偏移，相对于基准轴而言在第二端部侧的区域，第一中心轴与第二中心轴相比向第二端部侧偏移；或者(B)相对于基准轴而言在第一端部侧的区域，第一中心轴与第二中心轴相比向基准轴侧偏移，相对于基准轴而言在第二端部侧的区域，第一中心轴与第二中心轴相比向基准轴侧偏移。

公开(公告)号：CN100426607C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200610074649.3

申请日：2006-04-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大柜义德

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3063 ,  H01S5/32316

Abstract: 本发明公开了一种化合物半导体激光器件，所述化合物半导体激光器件具有第一导电类型的半导体衬底和依次形成于衬底上的多个层。所述多个层包括第一导电类型的第一和第二覆层、第二导电类型的第三覆层，以及第二和第三覆层之间的有源层。所述第二覆层的载流子浓度低于所述第一覆层的载流子浓度。例如，所述第一覆层的载流子浓度为1×1018cm-3到2×1018cm-3(包括端值)，而所述第二覆层的载流子浓度为1×1017cm-3到5×1017cm-3(包括端值)。

公开(公告)号：CN1622407A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410095283.9

申请日：2004-11-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田将之 ,  桥本隆宏 ,  大柜义德 ,  辻井宏行 ,  喜根井聪文 ,  大岛升 ,  兼岩进治

IPC: H01S5/22

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2214 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第一导电型的覆层；有源层；第二导电型的第一覆层；由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊，它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上；形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜；以及覆盖所述脊的金属电极层，其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小，因此，可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此，激光振荡时产生的热量变得很容易散逸，并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。

公开(公告)号：CN100346543C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410095283.9

申请日：2004-11-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田将之 ,  桥本隆宏 ,  大柜义德 ,  辻井宏行 ,  喜根井聪文 ,  大岛升 ,  兼岩进治

IPC: H01S5/227

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2214 ,  H01S2304/04

Abstract: 一种半导体激光元件，包括：第一导电型的覆层；有源层；第二导电型的第一覆层；由第二导电型的第二覆层和第二导电型的盖层构成的脊，它们从第一覆层侧开始按照这种顺序层叠在第二导电型的第一覆层上；形成在除脊顶部以外的脊侧面上的电介质膜；以及覆盖所述脊的金属电极层，其中盖层的底面宽度和第二覆层的顶面宽度几乎相等。由盖层构成的凸起的宽度可形成得比现有技术中的小，因此，可以减少厚膜电极形成之后出现在脊侧面上的空洞部。因此，激光振荡时产生的热量变得很容易散逸，并可获得激光特性和可靠性均提高的激光元件。