公开(公告)号：CN105518951A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201480044416.1

申请日：2014-07-01

Applicant: 英菲尼斯有限责任公司

Inventor： T·牧野 ,  T·李 ,  D·尤

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18366 ,  G01B9/02004 ,  G01N21/4795 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313

Abstract: 一种使用微机电系统(MEMS)技术的波长可调谐的垂直腔面发射激光器(VCSEL)被设置为用于光学相干层析成像(OCT)的扫频源。所述波长可调谐VCSEL包括VCSEL的底部反射镜、有源区、以及通过静电偏转而可移动的MEMS可调谐上部反射镜。所述底部反射镜包括GaAs基分布的布拉格反射镜(DBR)叠层，以及所述有源区包括多个GaAs基量子点(QD)层的叠层，所述有源层在GaAs衬底上外延生长。所述MEMS可调谐上部反射镜包括由悬挂梁支撑的膜部、以及包含介电DBR叠层的上部反射镜。所述MEMS可调谐量子点VCSEL能覆盖超过100nm的操作波长范围，优选具有250nm和1950nm之间的中心波长，并且扫描速率能从几kHz到几百kHz、以及高达几MHz。

公开(公告)号：CN108683079A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810386712.X

申请日：2014-07-01

Applicant: 英菲尼斯有限责任公司

Inventor： T·牧野 ,  T·李 ,  D·尤

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/34 ,  G01N21/47 ,  G01B9/02 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/18366 ,  G01B9/02004 ,  G01N21/4795 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313

Abstract: 一种使用微机电系统(MEMS)技术的波长可调谐的垂直腔面发射激光器(VCSEL)被设置为用于光学相干层析成像(OCT)的扫频源。所述波长可调谐VCSEL包括VCSEL的底部反射镜、有源区、以及通过静电偏转而可移动的MEMS可调谐上部反射镜。所述底部反射镜包括GaAs基分布的布拉格反射镜(DBR)叠层，以及所述有源区包括多个GaAs基量子点(QD)层的叠层，所述有源层在GaAs衬底上外延生长。所述MEMS可调谐上部反射镜包括由悬挂梁支撑的膜部、以及包含介电DBR叠层的上部反射镜。所述MEMS可调谐量子点VCSEL能覆盖超过100nm的操作波长范围，优选具有250nm和1950nm之间的中心波长，并且扫描速率能从几kHz到几百kHz、以及高达几MHz。

公开(公告)号：CN106133563B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201480070223.3

申请日：2014-11-25

Applicant: 英菲尼斯有限责任公司

Inventor： M·卡迈勒 ,  T·李 ,  D·尤 ,  漆启年

IPC: G02B5/28 ,  B81B3/00

Abstract: 将一种基于法布里‑珀罗(FP)滤波腔调谐的使用微机电系统(MEMS)的波长可调谐增益介质设置为可调谐激光器。所述系统包括激光腔以及用于波长选择的滤波腔。所述激光腔由如半导体光放大器(SOA)等增益介质、两个准直透镜以及一端部反射镜组成。所述MEMS‑FP滤波腔包括可通过静电力控制的固定反射镜以及可移动反射镜。通过移动MEMS反射镜，能够通过改变FP滤波腔长度来调谐波长。所述MEMS‑FP滤波腔的位移能够通过使用阶梯电压来离散调谐或通过使用连续的驱动电压来连续调谐。用于连续调谐的驱动频率能够为MEMS结构的谐振频率或任何其它频率，并且调谐范围能够覆盖如30nm、40nm以及超过100nm等不同的调谐范围。

公开(公告)号：CN105518951B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201480044416.1

申请日：2014-07-01

Applicant: 英菲尼斯有限责任公司

Inventor： T·牧野 ,  T·李 ,  D·尤

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18366 ,  G01B9/02004 ,  G01N21/4795 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34313

Abstract: 一种使用微机电系统(MEMS)技术的波长可调谐的垂直腔面发射激光器(VCSEL)被设置为用于光学相干层析成像(OCT)的扫频源。所述波长可调谐VCSEL包括VCSEL的底部反射镜、有源区、以及通过静电偏转而可移动的MEMS可调谐上部反射镜。所述底部反射镜包括GaAs基分布的布拉格反射镜(DBR)叠层，以及所述有源区包括多个GaAs基量子点(QD)层的叠层，所述有源层在GaAs衬底上外延生长。所述MEMS可调谐上部反射镜包括由悬挂梁支撑的膜部、以及包含介电DBR叠层的上部反射镜。所述MEMS可调谐量子点VCSEL能覆盖超过100nm的操作波长范围，优选具有250nm和1950nm之间的中心波长，并且扫描速率能从几kHz到几百kHz、以及高达几MHz。

公开(公告)号：CN106133563A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201480070223.3

申请日：2014-11-25

Applicant: 英菲尼斯有限责任公司

Inventor： M·卡迈勒 ,  T·李 ,  D·尤 ,  漆启年

IPC: G02B5/28 ,  B81B3/00

Abstract: 将一种基于法布里‑珀罗(FP)滤波腔调谐的使用微机电系统(MEMS)的波长可调谐增益介质设置为可调谐激光器。所述系统包括激光腔以及用于波长选择的滤波腔。所述激光腔由如半导体光放大器(SOA)等增益介质、两个准直透镜以及一端部反射镜组成。所述MEMS‑FP滤波腔包括可通过静电力控制的固定反射镜以及可移动反射镜。通过移动MEMS反射镜，能够通过改变FP滤波腔长度来调谐波长。所述MEMS‑FP滤波腔的位移能够通过使用阶梯电压来离散调谐或通过使用连续的驱动电压来连续调谐。用于连续调谐的驱动频率能够为MEMS结构的谐振频率或任何其它频率，并且调谐范围能够覆盖如30nm、40nm以及超过100nm等不同的调谐范围。