公开(公告)号：CN102820615B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210185650.9

申请日：2012-06-06

Applicant: 泰科电子瑞典控股有限责任公司

Inventor： N.P.奇蒂卡

IPC: H01S5/183

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/18394 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明涉及一种使用在光学模块中的激光设备。该激光设备包括：第一反射器和第二反射器；适用于将电流限制在电流限制孔内的限制层；和在第一和第二反射器之间的激活层。所述激活层包括：与所述电流限制孔对齐的主激活区域和围绕该主激活区域的辅助激活区域。所述第二反射器包括：配置在所述电流限制孔上的第一反射器区域和围绕所述第一反射器区域的第二反射器区域。所述第二反射器区域和第一反射器构造成引起所述辅助激活区域中的受激复合。

公开(公告)号：CN105283964A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201480029484.0

申请日：2014-05-21

Applicant: 泰科电子瑞典控股有限责任公司

Inventor： M.G.查辛斯基 ,  N.P.奇蒂卡

IPC: H01L31/105

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046

Abstract: 本发明提供一种基于pin的高速光探测器，其包括其中所施加的电场较高的薄光吸收层(102)，该薄光吸收层(102)与暴露于低得多的电场的漂移层(104)组合。仅具有较高迁移率的电荷载流子将必须行进经过漂移层(104)，而具有较低迁移率的电荷载流子将仅行进在小于或至多等于光吸收层(102)的厚度的距离上。漂移层(104)的带隙能量(208)大于光吸收层(102)的带隙能量(206)。较高电场光吸收层到较低电场漂移层的过渡通过分级层(105)实施。漂移层(104)中的电场关于光吸收层(102)的电场的减小通过光吸收层(102)、漂移层(104)和分级层(105)中的掺杂浓度的分布实现。

公开(公告)号：CN102820615A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210185650.9

申请日：2012-06-06

Applicant: 泰科电子瑞典控股有限责任公司

Inventor： N.P.奇蒂卡

IPC: H01S5/183 ,  H04B10/155

CPC classification number: H01S5/18311 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/06226 ,  H01S5/18327 ,  H01S5/18358 ,  H01S5/18375 ,  H01S5/18394 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明涉及一种使用在光学模块中的激光设备。该激光设备包括：第一反射器和第二反射器；适用于将电流限制在电流限制孔内的限制层；和在第一和第二反射器之间的激活层。所述激活层包括：与所述电流限制孔对齐的主激活区域和围绕该主激活区域的辅助激活区域。所述第二反射器包括：配置在所述电流限制孔上的第一反射器区域和围绕所述第一反射器区域的第二反射器区域。所述第二反射器区域和第一反射器构造成引起所述辅助激活区域中的受激复合。