公开(公告)号：CN101479897B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200780023908.2

申请日：2007-04-20

Applicant: 安立股份有限公司

Inventor： 森浩 ,  中山贵司 ,  山田敦史

IPC: H01S5/026 ,  H01L33/00 ,  H01S5/14 ,  H01S5/227

CPC classification number: H01S5/141 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其具备可变任意波长的能力，包括：半导体基板(11)、在所述半导体基板(11)上以条状形成，且放出光及进行波导的活性层(12)、在所述活性层(12)的侧面形成的埋入层(13a，13b)、在所述活性层(12)及所述埋入层(13a，13b)的上方形成的包层(16)、在所述包层(16)上方形成的第一电极(17a)和在所述半导体基板(11)的下方形成的第二电极(17b)，所述活性层(12)相对通过劈开形成的两个端面的一端面(14a)的法线以规定的角度进行开口，对所述活性层(12)的光的波导方向的规定长度部分进行加热的局部加热装置(15)形成在所述第一电极(17a)的上方且在自所述一端面(14a)热独立的位置。

公开(公告)号：CN101479897A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780023908.2

申请日：2007-04-20

Applicant: 安立股份有限公司

Inventor： 森浩 ,  中山贵司 ,  山田敦史

IPC: H01S5/026 ,  H01L33/00 ,  H01S5/14 ,  H01S5/227

CPC classification number: H01S5/141 ,  H01L33/0045 ,  H01S5/0261 ,  H01S5/0612 ,  H01S5/101 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/22 ,  H01S5/227

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件，其具备可变任意波长的能力，包括：半导体基板(11)、在所述半导体基板(11)上以条状形成，且放出光及进行波导的活性层(12)、在所述活性层(12)的侧面形成的埋入层(13a，13b)、在所述活性层(12)及所述埋入层(13a，13b)的上方形成的包层(16)、在所述包层(16)上方形成的第一电极(17a)和在所述半导体基板(11)的下方形成的第二电极(17b)，所述活性层(12)相对通过劈开形成的两个端面的一端面(14a)的法线以规定的角度进行开口，对所述活性层(12)的光的波导方向的规定长度部分进行加热的局部加热装置(15)形成在所述第一电极(17a)的上方且在自所述一端面(14a)热独立的位置。