一种纳米尺度激光器阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN107104357A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201710522280.6

    申请日:2017-06-30

    Abstract: 本发明涉及一种纳米尺度激光器阵列的制备方法,特别涉及一种以定向排列的钙钛矿纳米线为增益介质和谐振腔的纳米激光器阵列的制备方法。本发明以一维纳米尺度的定向排列的钙钛矿纳米线为增益介质和谐振腔,成功制备出了平面内定向排列的钙钛矿纳米线,并实现了纳米尺度的激光器阵列,有效解决了高密度光子集成系统中纳米尺度光源的问题。所述定向排列钙钛矿纳米线的化学式为CsPbX3,直径为200‑800nm、长度为10~80μm。其合成方法以CsX和PbX2粉末为原材料,经过退火的M‑Plane蓝宝石为衬底,采用化学气相沉积法制得。本发明对于实现高密度光子集成系统又极其重要的意义。

    光学装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106415345A

    公开(公告)日:2017-02-15

    申请号:CN201580027383.4

    申请日:2015-01-09

    Abstract: 本发明的目的在于,提供一种能够放宽在光学装置中使用的光波导的制作条件的光学装置。光学装置(500)具有:光波导(200),其具有被光学耦合的芯区及包层;以及温度控制单元(600),其控制光波导的温度,光波导具有以如下方式形成的所述芯区及所述包层:在芯区的折射率表现为比包层的折射率大的折射率的温度范围内,针对在光波导中传播的光规定的归一化频率跨越由光波导的构造决定的导模的截止频率而变化。温度控制单元构成为,在如下的温度范围中控制光波导的温度,该温度范围跨越归一化频率与截止频率相等的温度。

    一种基于自拉曼与OPO相结合的激光器

    公开(公告)号:CN105375328A

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:CN201510902548.X

    申请日:2015-12-08

    CPC classification number: H01S3/30 H01S3/163

    Abstract: 本发明公开了一种基于自拉曼与OPO相结合的激光器,包括第一腔镜、第二腔镜和第三腔镜,所述第一腔镜和第二腔镜之间设置有自拉曼晶体,所述第二腔镜和第三腔镜之间设置有OPO晶体,所述第一腔镜、第二腔镜和第三腔镜上镀有镀膜,使得第一腔镜、第二腔镜之间形成基频光腔,第二腔镜和第三腔镜之间形成OPO腔,第一腔镜、第三腔镜之间形成拉曼激光腔,自拉曼晶体完成泵浦光转化为基频光、基频光转化为拉曼光的波长转换,拉曼光作为泵浦源泵浦OPO晶体,完成拉曼光到OPO参量光波长转化。用自拉曼介质实现自拉曼激光运转,再用该拉曼光做泵浦源泵浦OPO介质完成光参量转换,同时应用调谐技术产生长波长可调谐激光。

    一种直接产生窄线宽涡旋激光的装置

    公开(公告)号:CN109038196A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810817898.X

    申请日:2018-07-20

    CPC classification number: H01S3/0815 H01S3/094049 H01S3/10023 H01S3/163

    Abstract: 本发明公开了一种直接产生涡旋光束的装置,属于光学技术领域,该装置包括:单片激光腔,用于产生粒子数反转以提供光的增益,同时作为非平面的环形光学谐振腔;磁场施加模块,用于产生穿过激光腔的磁场以产生法拉第效应为单向出光做提供必要条件;泵浦激光模块,用于聚焦到耦合到激光腔内,使增益介质产生粒子数反转,同时通过光束位置的偏移优化激发腔体的涡旋谐振激光模式;透镜模块,分别用于对泵浦激光进行聚焦和对涡旋激光进行准直。本发明使用高斯模式分布的泵浦激光,通过选择性地激发单片非平面腔中的涡旋模式,直接实现光谱线宽达1kHz量级的连续激光。

    光学泵浦固态激光器以及包括所述固态激光器的照明系统

    公开(公告)号:CN102362399A

    公开(公告)日:2012-02-22

    申请号:CN201080013426.0

    申请日:2010-03-15

    Abstract: 本发明涉及一种固态激光器件(1),该固态激光器件包括增益介质(10),该增益介质基本上具有掺杂有稀土离子的固态基质材料(15)的主相。依照本发明,稀土离子的至少一部分是具有高能地位于基质材料(15)的最高价态与最低导通状态之间的至少一个4f态(16,17)和至少一个5d带(18)的Ce3+离子(19),其中:-最高4f态(17)和5d带(18)的下边缘具有第一能级差异(Δ1),并且-最低4f态(16)和5d带(18)的上边缘具有第二能级差异(Δ2);并且其中基质材料(15)被选择成使得得到的增益介质(10)具有不含空置状态的用于禁用激发态吸收的能量范围(20),该能量范围(20)位于较低能量(21)与较高能量(22)之间,-所述较低能量(21)比5d带(18)的下边缘高出第一能级差异(Δ1)的值,并且-所述较高能量(22)比5d带(18)的上边缘高出第二能级差异(Δ2)的值。可能的基质材料为Y3AlGa4O12、Ca3Sc2Si3O12。本发明进一步涉及包括至少一个固态激光器件(1)的对应照明系统。

Patent Agency Ranking