-
公开(公告)号：CN111900236A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010788587.2
申请日：2020-08-07
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高亮度深紫外LED芯片及其制作方法，所述高亮度深紫外LED芯片，包括外延层，所述外延层包括缓冲层，依次叠加设置在缓冲层上的N型GaN层，量子阱结构及P型GaN层，所述缓冲层相对于设置N型GaN层的另一面设置有纳米级图形。所述高亮度深紫外LED芯片的其制作方法，其主要是在衬底上形成纳米级图形凹坑，并在其上沉积一层石墨烯薄膜，再在石墨烯薄膜上形成外延层，通过石墨烯的特性，使外延层与衬底分离，从而形成没有衬底的深紫外LED芯片。该芯片结构上方无衬底，芯片发光时可以减少因衬底反射造成的光损失，且芯片结构上出光面，即缓冲层表面具有纳米级图形，能够大大增加光的出光效率，从而大大提高了深紫外LED芯片的发光亮度。
-
公开(公告)号：CN110444641A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910742940.0
申请日：2019-08-13
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高亮度图形化复合衬底及其制作方法，所述高亮度图形化复合衬底包括蓝宝石平片，所述蓝宝石平片上分布有一组复合图形，所述复合图形包括纳米球反射层和包覆在纳米球反射层表面的SiO2涂层。其制作方法主要包括以下步骤：在蓝宝石平片上形成一层纳米球反射层；在纳米球反射层上沉积一层SiO2涂层；在SiO2涂层上涂覆一层正性光刻胶涂层，并曝光、显影选择性的去除不需要的部分形成胶柱；以胶柱和SiO2涂层作为阻挡层进行ICP刻蚀得到复合衬底。本发明通过蓝宝石平片、纳米球和SiO2形成复合衬底，纳米球在复合图形中形成蒙古包形微观结构，且纳米球为金属材质，有效减少了光线折射，增加光的反射效率，从而提高图形化蓝宝石衬底的LED芯片的亮度。
-
公开(公告)号：CN114895401B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202210414793.6
申请日：2022-04-20
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种硅光子芯片光耦合结构及其制造方法，该硅光子芯片光耦合结构包括硅衬底；所述硅衬底的器件层上设置有硅光子芯片功能结构区域，所述硅光子芯片功能结构区域上设置有光波导区域和光耦合区；所述光耦合区上设置有倒脊形沟槽，光耦合区从硅衬底的端面向光波导区域延伸；沿所述倒脊形沟槽内壁设置有一层隔离层，所述倒脊形沟槽内且位于隔离层的上方设置有倒脊形光波导，所述倒脊形光波导层的端面与光纤对接，另一端与器件层光波导区域对接。通过本发明的结构和方法获得的硅光子芯片光耦合结构可实现硅光子芯片与单模光纤或激光器芯片的低损耗、无畸变高效率耦合，且传输损耗低。
-
公开(公告)号：CN112802769B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202011632689.1
申请日：2020-12-31
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化复合衬底的检测及其修复方法，该检测方法首先使用原子力显微镜测量出衬底上复合图形的总体高度和复合图形底部的直径，然后采用BOE腐蚀工艺去除复合图形上的SiO2层，再采用原子力显微镜测量蓝宝石平台的高度，从而得到复合图形的底部直径、蓝宝石平台的高度和复合图形的总高度数据，此种方法可以避免扫面电子显微镜破坏性裂片的方式来测量所需的尺寸，使用BOE工艺后的蓝宝石平片可以再利用，大大节约了图形化复合衬底的检测成本。
-
公开(公告)号：CN117604648A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311633527.3
申请日：2023-12-01
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
IPC: C30B33/10
Abstract: 本发明公开了一种快速确定Z向切割石英晶体刻蚀时间的方法，包括以下步骤：1)获取晶片Z向的刻蚀速率VZ：2)通过已知的晶面速率比计算获得Z向切割时出现的侧壁晶棱晶面的刻蚀速率Vxy；3)通过六方晶系两晶面(h1k1i1l1)和(h2k2i2l2)的夹角公式计算出Z向与侧壁晶棱晶向夹角Φ；4)将夹角Φ代入计算公式计算出总刻蚀时间t。本发明操作步骤少，可快速准确计算出Z向切割石英晶体的刻蚀时间，可广泛应用于湿法Z向切割石英晶体湿法刻蚀领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111613704A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010472434.7
申请日：2020-05-29
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高亮度深紫外LED用图形化蓝宝石衬底及其制备方法。该蓝宝石衬底，包括蓝宝石晶片，所述蓝宝石晶片包括晶片C面，在晶片C面上分布有刻蚀孔，所述刻蚀孔包括底部沉孔和扩孔，所述晶片C面及扩孔的表面沉积有一层AlN/AlGaN薄膜，所述底部沉孔内设置有纳米级图形或DBR反射层。该高亮度深紫外LED用图形化蓝宝石衬底的制备方法依次为涂胶、纳米压印，刻蚀，沉积AlN/AlGaN薄膜，涂胶，曝光、显影，刻蚀，涂胶，曝光、显影，沉积纳米晶粒或沉积DBR反射层等工序。通过本发明获得的图形化蓝宝石衬底结构，能够显著提高蓝宝石晶片的深紫外光折射率，进而大幅度提高LED器件的光提取率，最终提高UVC LED的亮度,该图形化衬底技术可广泛应用于UVC LED制造领域。
-
公开(公告)号：CN110444642B
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910742946.8
申请日：2019-08-13
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高亮度图形化复合衬底的制备方法，主要包括以下步骤：在蓝宝石平片上形成一组负性光刻胶柱；以负性光刻胶柱作为遮挡采用湿法腐蚀在蓝宝石平片上形成一组凹面结构；利用蒸镀原理在蓝宝石平片上沉积一层金属涂层；通过剥离工艺去除负性光刻胶柱及其上面的金属涂层；利用等离子增强化学气相沉积方法在蓝宝石平片上沉积一层SiO2涂层；在SiO2涂层上形成一组负性光刻胶柱；以负性光刻胶柱和SiO2涂层作为阻挡层进行ICP刻蚀，从而得到高亮度图形化复合衬底。本发明通过蓝宝石、金属涂层和SiO2形成复合衬底，金属涂层能够大大减少了光的折射，增加光的反射效率，从而大大提高由该蓝宝石平片制备的LED芯片的亮度。
-
公开(公告)号：CN110429160A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910742934.5
申请日：2019-08-13
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高亮度PSS复合衬底及其制作方法，该高亮度PSS复合衬底，包括双面抛光的蓝宝石平片，设置在蓝宝石平片上表面的一组相互间隔的金属颗粒，所述金属颗粒上覆盖有一层SiO2。该高亮度PSS复合衬底的制作方法包括蒸镀金属、形成金属颗粒、在金属颗粒上沉积二氧化硅等工艺，从而获得高亮度PSS复合衬底。通过本发明获得的PSS复合衬底大大减少了光的的折射，增加光的反射效率，从而大大提高了蓝宝石衬底的LED芯片亮度。可广泛应用于蓝宝石衬底的制作和加工领域。
-
公开(公告)号：CN110429099A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910742941.5
申请日：2019-08-13
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高亮度复合衬底的制作方法，主要包括以下步骤：在蓝宝石平片上沉积一层金属涂层；在金属涂层上涂覆一层正性光刻胶涂层，并曝光、显影选择性的去除不需要的部分在金属涂层上形成一组正性光刻胶柱；以正性光刻胶柱作为阻挡层进行ICP刻蚀，在蓝宝石平片上形成一组相互独立的金属凸台；利用化学气相沉积方法在蓝宝石平片有金属凸台的一面沉积一层SiO2涂层；在SiO2涂层上涂覆一层负性光刻胶涂层，并曝光、显影选择性的去除不需要的部分，从而在SiO2涂层上形成一组负性光刻胶柱；以负性光刻胶柱和SiO2涂层作为阻挡层进行ICP刻蚀，从而得到一种高亮度复合衬底。本发明通过蓝宝石、金属涂层和SiO2形成复合衬底，能够显著提高LED芯片的亮度。
-
公开(公告)号：CN111613704B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010472434.7
申请日：2020-05-29
Applicant: 黄山博蓝特半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高亮度深紫外LED用图形化蓝宝石衬底及其制备方法。该蓝宝石衬底，包括蓝宝石晶片，所述蓝宝石晶片包括晶片C面，在晶片C面上分布有刻蚀孔，所述刻蚀孔包括底部沉孔和扩孔，所述晶片C面及扩孔的表面沉积有一层AlN/AlGaN薄膜，所述底部沉孔内设置有纳米级图形或DBR反射层。该高亮度深紫外LED用图形化蓝宝石衬底的制备方法依次为涂胶、纳米压印，刻蚀，沉积AlN/AlGaN薄膜，涂胶，曝光、显影，刻蚀，涂胶，曝光、显影，沉积纳米晶粒或沉积DBR反射层等工序。通过本发明获得的图形化蓝宝石衬底结构，能够显著提高蓝宝石晶片的深紫外光折射率，进而大幅度提高LED器件的光提取率，最终提高UVC LED的亮度,该图形化衬底技术可广泛应用于UVC LED制造领域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.048 seconds)
