一种高带宽抗弯多模光纤

    公开(公告)号:CN105334569B

    公开(公告)日:2018-03-16

    申请号:CN201510953175.9

    申请日:2015-12-17

    CPC classification number: G02B6/028 G02B6/036

    Abstract: 本发明涉及一种高带宽抗弯多模光纤,包括有芯层和包层,芯层折射率剖面呈抛物线形,分布指数为α,其特征在于所述芯层半径R1为23~27μm,芯层中心位最大相对折射率差Δ1max为0.9%~1.2%,所述的芯层为锗氟共掺的二氧化硅玻璃层,芯层中心位具有最小氟掺杂量,其氟含量质量百分比为CF,min,芯层的氟含量质量百分比随半径发生变化,并按函数分布,所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层以及外包层。本发明在带宽性能提高的同时,带宽‑波长敏感性降低;不仅能与现有OM3/OM4多模光纤兼容,还能支持850nm~950nm波长范围内的波分复用技术,使光纤传输容量得到有效提升;本发明光纤具有优异的抗弯曲性能,可适用于接入网和小型化光器件中。

    一种高带宽多模光纤
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107479129A

    公开(公告)日:2017-12-15

    申请号:CN201710683698.5

    申请日:2017-08-11

    CPC classification number: G02B6/0288 G02B6/036

    Abstract: 本发明涉及一种高带宽多模光纤,包括芯层和围绕芯层的包层,其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形,分布指数α为1.9~2.2,芯层的半径R1为23~27μm,芯层中心位最大相对折射率差Δ1为0.5~1.0%,所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层和外包层,内包层的半径为R2,单边径向宽度(R2-R1)为1~3μm,相对折射率差Δ2为-0.5~-0.1%;下陷包层的半径为R3,单边径向宽度(R3-R2)为4~8μm,相对折射率差Δ3为-1.0~-0.45%;外包层相对折射率差Δ4为-0.5~-0.1%。本发明通过降低光纤芯层掺锗量和合理设计波导结构,降低了光纤带宽对波长的敏感性,提高了带宽性能,并使光纤具备良好的抗弯曲性能。

    一种包层光滤除器的制造方法

    公开(公告)号:CN107290823A

    公开(公告)日:2017-10-24

    申请号:CN201610203588.X

    申请日:2016-04-01

    CPC classification number: G02B6/036 H01S3/067 H01S3/06708

    Abstract: 一种包层光滤除器的制造方法,其特征在于,包括下列步骤:步骤一,对双包层光纤(1)的中间一段除外包层和涂覆层,形成去除外包层和涂覆层的光纤(4);步骤二,对去除外包层和涂覆层的光纤(4)外表面进行离子束刻蚀处理,使去除外包层和涂覆层的光纤(4)的表面形成数量多的微型导光槽;步骤三,将多种光学玻璃(3)在熔融状态下将去除外包层和涂覆层的光纤(4)紧密包裹起来。本发明分三次将包层光导出,采用多种折射率的光学玻璃层代替光学胶,提高了材料本身的耐热温度和热传导系数,同时用数量多和形状异有微型导光槽,最大程度使包层光以光的形式传播,提高包层功率滤除装置的安全稳定性。

    一种超低衰减单模光纤
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106526743A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610702257.0

    申请日:2016-08-22

    CPC classification number: G02B6/0365 G02B6/036

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减单模光纤,包括有芯层和包层,其特征在于所述的芯层半径r1为3~5μm,芯层的相对折射率Δn1为0~0.20%,芯层外从内向外依次包覆内包层,下陷内包层和外包层,所述的内包层半径r2为6~10μm,相对折射率Δn2小于或等于-0.23%,所述的下陷内包层半径r3为10.5~20μm,相对折射率Δn3小于或等于-0.40%,所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层,相对折射率Δn4小于或等于-0.23%。本发明通过对芯包层进行不同材料组分设计,优化光纤各个部分粘度和光纤应力,降低了芯层和内包层玻璃材料在光纤制备过程中结构弛豫时间失配,减少了界面缺陷,并且芯层进行碱金属掺杂,有效降低芯层虚拟温度,从而实现单模光纤的超低衰减性能。

    一种超低衰减单模光纤
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106019470A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610415510.4

    申请日:2016-06-14

    CPC classification number: G02B6/036

    Abstract: 本发明涉及一种超低衰减单模光纤,包括有芯层和包绕芯层的包层,其特征在于所述的芯层半径r1为3.5~4.5μm,相对折射率Δn1为0.02~0.14%,所述的芯层为掺氯的二氧化硅玻璃层,芯层中氯的含量为0.4‑2wt%,所述的包层为由内向外依次包绕芯层的内包层、下陷内包层、辅助外包层和外包层,所述的内包层半径r2为8~10μm,相对折射率Δn2小于或等于‑0.23%,所述的下陷内包层半径r3为10.5~17μm,相对折射率Δn3小于或等于‑0.40%,所述的辅助外包包层半径r4为35~50μm,相对折射率Δn4小于或等于‑0.23%,所述的外包层为纯二氧化硅玻璃外包层。本发明不仅衰减低,而且芯包层设置合理,粘度匹配优,制作工艺简便。

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