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公开(公告)号：CN108075021A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711091194.0
申请日：2017-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/06 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2933/0016 , H01L2924/00014 , H01L33/48 , H01L33/382 , H01L33/60
Abstract: 一种半导体发光装置包括：发光结构，其包括按次序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；第二半导体层上的第一绝缘层，其包括具有第一宽度的多个第一开口和具有与第一宽度不同的第二宽度的多个第二开口；第一电极，其通过第一开口电连接至第一半导体层；第二半导体层与第一绝缘层之间的第一子电极层，第一子电极层通过第二开口暴露出来；以及第一绝缘层上的第二子电极层，所述第二子电极层通过第二开口连接至第一子电极层，其中，彼此最为靠近的第一开口之间的第一距离不同于彼此最为靠近的第二开口之间的第二距离。
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公开(公告)号：CN108206235A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711363231.9
申请日：2017-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L27/15 , H01L33/483 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0091 , H01L33/502
Abstract: 一种半导体发光装置包括：封装主体，其具有腔体，并且具有布置在腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；发光二极管(LED)芯片，其包括其上具有第一电极和第二电极的第一表面、第二表面和侧表面，LED芯片安装在腔体中，以使得第一表面面对底表面；波长转换膜，其位于LED芯片的第二表面上，并且包括第一波长转换材料；以及腔体中的反射树脂部分，其包围LED芯片。
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公开(公告)号：CN108075025A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711091280.1
申请日：2017-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/44 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L33/502 , H01L33/58
Abstract: 本申请公开了一种发光器件封装件，包括封装件主体，其包括在其上部的安装区；引线框架，其在所述封装主体的下面；半导体发光器件，其在所述安装区中并且电连接到所述引线框架；顶层，其附接到所述半导体发光器件的顶表面，所述顶层包括红色荧光体；以及模塑层，其在所述安装区中，所述模塑层覆盖所述顶层并且包括短波长荧光体，所述短波长荧光体的峰值发射波长比所述红色荧光体的峰值发射波长短，其中所述顶层暴露所述半导体发光器件的侧表面，并且所述模塑层与所述半导体发光器件的侧表面接触。
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公开(公告)号：CN108075025B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN201711091280.1
申请日：2017-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/504 , H01L33/44 , H01L33/483 , H01L33/486 , H01L33/505 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L33/54 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L33/502 , H01L33/58
Abstract: 本申请公开了一种发光器件封装件，包括封装件主体，其包括在其上部的安装区；引线框架，其在所述封装主体的下面；半导体发光器件，其在所述安装区中并且电连接到所述引线框架；顶层，其附接到所述半导体发光器件的顶表面，所述顶层包括红色荧光体；以及模塑层，其在所述安装区中，所述模塑层覆盖所述顶层并且包括短波长荧光体，所述短波长荧光体的峰值发射波长比所述红色荧光体的峰值发射波长短，其中所述顶层暴露所述半导体发光器件的侧表面，并且所述模塑层与所述半导体发光器件的侧表面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107507897B
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN201710446582.X
申请日：2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种发光器件封装件及其制造方法。所述发光器件封装件包括：具有安装区域的封装主体，所述安装区域包括用于发光器件的安装表面、凹槽部分和低于安装表面的底表面；以及由封装主体支撑的引线框架，引线框架的一部分设置在底表面上，并且引线框架的一部分通过凹槽部分暴露出来。发光器件具有在其上设置电极焊盘的第一平面、与第一平面相对的第二平面以及设置在第一平面和第二平面之间以将第一平面连接到第二平面的第三平面。发光器件将设置在安装区域中，使得第一平面与安装表面接触，并且电极焊盘在凹槽部分内。
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公开(公告)号：CN107507897A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710446582.X
申请日：2017-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种发光器件封装件及其制造方法。所述发光器件封装件包括：具有安装区域的封装主体，所述安装区域包括用于发光器件的安装表面、凹槽部分和低于安装表面的底表面；以及由封装主体支撑的引线框架，引线框架的一部分设置在底表面上，并且引线框架的一部分通过凹槽部分暴露出来。发光器件具有在其上设置电极焊盘的第一平面、与第一平面相对的第二平面以及设置在第一平面和第二平面之间以将第一平面连接到第二平面的第三平面。发光器件将设置在安装区域中，使得第一平面与安装表面接触，并且电极焊盘在凹槽部分内。
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公开(公告)号：CN108206235B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201711363231.9
申请日：2017-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体发光装置包括：封装主体，其具有腔体，并且具有布置在腔体的底表面上的第一布线电极和第二布线电极；发光二极管(LED)芯片，其包括其上具有第一电极和第二电极的第一表面、第二表面和侧表面，LED芯片安装在腔体中，以使得第一表面面对底表面；波长转换膜，其位于LED芯片的第二表面上，并且包括第一波长转换材料；以及腔体中的反射树脂部分，其包围LED芯片。
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公开(公告)号：CN107527976A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710478075.4
申请日：2017-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/46 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。该半导体发光装置可包括发射结构、发射结构的限定区上的保护图案层和发射结构上的绝缘图案层。保护图案层可暴露出发射结构的分离的其余区，并且绝缘图案层可至少覆盖发射结构的所述其余区。绝缘图案层可包括开口，其暴露出保护图案层的表面的至少一部分，使得发射结构保持被绝缘图案层和保护图案层中的至少一个覆盖。
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