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公开(公告)号：CN112420468B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202011302224.X
申请日：2020-11-19
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种用于场发射电子源的高电子透过率的石墨烯栅极结构的制备方法，该复合栅极结构是由导电薄膜(1)、石墨烯海绵(2)和金属电极(3)构成。其制备步骤为：首先利用热化学气相沉积法将石墨烯直接生长在金属海绵网表面，然后将金属网腐蚀去除，并将其固定在金属膜片的圆孔之上；随后将石墨烯薄膜转移到石墨烯海绵上表面；最后，将该复合结构放置于真空系统中进行高温退火。本发明充分利用了石墨烯材料的低电子散射效应和高传导的特性，石墨烯海绵与石墨烯同种物质的原子间范德华力，增强栅网结构之间的附着力，降低电阻率，从而提高栅极的电子透过率和稳定性。本发明在场发射电子源领域和高分辨率的电子显微领域有着重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101133308B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200680007086.4
申请日：2006-03-01
Applicant: 英飞康有限责任公司
IPC: G01L21/30 , G01L21/32 , G01L21/34 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J41/00 , H01J41/02 , H01J41/04 , H01J41/06 , H01J41/08 , H01J41/10 , H01J19/00 , H01J19/02 , H01J19/04 , H01J19/10
CPC classification number: G01L21/32 , G01L21/12 , H01J1/3042 , H01J41/04
Abstract: 本发明提出一种发射电子的阴极(6)，它由装接到由不锈钢制成的侧壁(2)上的导电的发射层(7)和门(9)，将该门以很小的距离固定在发射层(7)的凹入的发射表面的内部。阴极(6)围绕着一个反应区域(3)，该反应区域包含一个圆柱形的筛网状的阳极(5)和一个位于中心的离子收集器(4)，该离子收集器包括一直的轴向细丝。电流计(11)测量反映在反应区域(3)中气体密度的离子收集器电流(IIC)，同时将门电压(VG)保持在发射层(7)的地电压与较高的阳极电压(VA)之间，并且调节门电压，其方式使得将阳极电流(IA)保持不变。发射层(7)可包括碳纳米管，金刚石状的碳，一种金属或一种金属混合物，或者一种半导体材料，半导体材料例如是可以比如用碳化物或钼涂布的硅。然而，发射表面也可是例如被化学刻蚀过程变粗糙的侧壁的内表面的一部分。门(9)可以是一种筛网，或者，它可以包括覆盖分布在发射区上的隔离器的金属薄膜小片或覆盖设置在发射表面上的电子可穿透层的一层金属薄膜。
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公开(公告)号：CN1205538A
公开(公告)日：1999-01-20
申请号：CN98115965.6
申请日：1998-07-09
Applicant: 松下电子工业株式会社
Inventor： 中川智
Abstract: 提供电子初始发射、寿命和电子枪的绝缘性能方面优良,适于批量生产的浸渍型阴极及其制造方法。金属粉末烧结体的块内部有孔隙,用电子发射物质2填满其孔隙,使孔隙率随着从电子发射面3向反向面进展而连续变高。由于未形成块内部孔隙率不连续面,产生自由Ba的化学反应连续顺利地进展。由于不必使用多种粒径分布的原材料粉末,能够简化制造工艺。使孔隙率和孔隙率分布在一定范围内,使寿命特性等诸性能良好。
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公开(公告)号：CN115910724A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211528143.0
申请日：2022-11-30
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种脉冲放电装置，该脉冲放电装置包括驱动源、负载组件和箱体，箱体内设有容置空间，驱动源和负载组件均设置在容置空间内，驱动源与负载组件接线连接；驱动源包括多个并联设置的变压器模组，每个变压器模组包括两个串联的电容，多个变压器模组在平面内矩形阵列排布。该脉冲放电装置由于多个变压器模组在平面内矩形阵列排布，因而可实现各变压器模组较为紧凑的布置，在不改变电路的基础上将脉冲放电装置整体尺寸限制在较小的空间，占地面积小。
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公开(公告)号：CN114334585A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111600088.7
申请日：2021-12-24
Applicant: 西北核技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MV级脉冲高压绝缘堆栈及其安装方法，主要解决现有真空绝缘堆栈尺寸庞大等问题。该MV级脉冲高压绝缘堆栈包括阴极体、阳极体、绝缘环和均压环；绝缘环与均压环沿轴向间隔交替排布形成绝缘堆栈本体；绝缘环的内表面设置为45度圆锥面；均压环的内表面设置有圆弧状凸起；阳极体和阳极体分别设置在绝缘堆栈本体的两侧，与绝缘堆栈本体形成真空腔体；各绝缘环圆锥面的小端均朝向阳极体设置，大端均朝向阴极体设置，且均压环的圆弧状凸起朝向绝缘环圆锥面的大端；且阴极体和阳极体的内侧设置有环形凸起，阳极体和阴极体的端面上均设置有接口，且阴极体为高压端，连接负高压脉冲源，阳极体为低压端，接地。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113793789A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111067343.6
申请日：2021-09-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种侧阳极真空沟道纳米间隙三极管及其制备方法，所述纳米间隙三极管，包括阴极、阳极、栅极以及氧化物绝缘层；纳米间隙指阳极与栅极之间的距离保持在300nm以内；纳米间隙三极管，指器件具有和传统场效应晶体管相近似的电学特性，电子在真空沟道内部以弹道输运或者隧穿的方式进行输运，且因真空沟道小于/接近电子在空气中的平均自由程，驱动电压小于分子的第一离子化势，所述器件无需严格真空封装也可正常工作。该结构拟突破传统电真空器件的技术瓶颈，结合现行半导体加工工艺，获得小型化和集成化的真空纳米电子器件，以期获得高频、快速响应和无需严格真空封装的技术优势，在新型电子元器件中具有较高的应用潜力。
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公开(公告)号：CN110310873A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201910553385.7
申请日：2019-06-25
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种扩展栅极结构的垂直型纳米间隙真空晶体管及其制备方法，所述纳米间隙真空晶体管，包括发射极、收集极、栅极以及氧化物绝缘层；所述纳米间隙，指代收集极与发射极、栅极与发射极之间的距离保持在亚100nm尺度。本发明将真空器件的尺度压缩至亚100纳米尺度，器件加工工艺要求与传统的半导体工艺相近，改进了传统电真空器件需要复杂的机械加工和装配。更为重要的是，为未来实现小型化和集成化的真空元器件、集成电路以及真空电子系统提供可能。
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公开(公告)号：CN1145579C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN01120188.6
申请日：2001-07-11
Abstract: 一种荷负电纳米粒子产生装置及方法，由电源分别连超微电子发射极、控制组件组成的装置中，超微电子发射极在电源和控制组件的作用下，依据电极材料、形状、尺寸和使用不同目的，控制电极使其相对地处于负2KV到负29KV的电位，形成隧道效应场电子发射，其所产生的高电流密度电子在与空气气溶胶中的粒子碰撞过程中能调节能量，使电子附着在具有较宽能带的不同尺寸的纳米粒子上而形成荷负电纳米粒子，做成的装置可用在新型医疗设备、家用电器、保鲜工程、无菌无程、生物工程和改善环境等多种领域设备上面，广泛地为人类服务。
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公开(公告)号：CN117198842A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311053649.5
申请日：2023-08-21
Applicant: 长沙航天华成科技有限公司
Abstract: 本发明公开一种分时分路的可调式强流真空二极管，包括外壳，及设置在外壳内的拉扣环、二极管底座、绝缘支撑座、调节杆和石墨阴极组件；绝缘支撑座设置在外壳中部，绝缘支撑座中部设有拉扣环和二极管底座，拉扣环分别与脉冲驱动源和二极管底座连接；绝缘支撑座两侧对称设有石墨阴极组件，调节杆穿设在二极管底座中，并位于两组石墨阴极组件之间；驱动组件驱动调节杆接触其中一组石墨阴极组件而远离另一组，实现强流真空二极管分时分路输出两束电子束。本发明具有结构紧凑、便于调节、快速实现二极管分时分路切换等优点，弥补了现有二极管只能实现单路输出电子束或利用多个脉冲功率源驱动多个二极管同时输出多路电子束、体积重量大、效益低等不足。
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公开(公告)号：CN113793789B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202111067343.6
申请日：2021-09-13
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明公开了一种侧阳极真空沟道纳米间隙三极管及其制备方法，所述纳米间隙三极管，包括阴极、阳极、栅极以及氧化物绝缘层；纳米间隙指阳极与栅极之间的距离保持在300nm以内；纳米间隙三极管，指器件具有和传统场效应晶体管相近似的电学特性，电子在真空沟道内部以弹道输运或者隧穿的方式进行输运，且因真空沟道小于/接近电子在空气中的平均自由程，驱动电压小于分子的第一离子化势，所述器件无需严格真空封装也可正常工作。该结构拟突破传统电真空器件的技术瓶颈，结合现行半导体加工工艺，获得小型化和集成化的真空纳米电子器件，以期获得高频、快速响应和无需严格真空封装的技术优势，在新型电子元器件中具有较高的应用潜力。
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