公开(公告)号：CN104186027B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201380009276.X

申请日：2013-02-05

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 足立大树 ,  藤田诚司 ,  金子和广 ,  足立聪 ,  坂本祯章

IPC: H05K3/46 ,  C04B35/462 ,  H01B3/02 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H05K1/03 ,  C04B35/00 ,  C04B35/20 ,  C04B35/443

CPC classification number: H01B3/12 ,  B32B7/02 ,  B32B18/00 ,  C03C3/064 ,  C03C4/16 ,  C03C8/20 ,  C03C12/00 ,  C04B35/20 ,  C04B35/443 ,  C04B35/462 ,  C04B35/478 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/62 ,  H01G4/105 ,  H01G4/12 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/129 ,  H01G4/30 ,  H05K1/024 ,  H05K3/4629 ,  H05K3/4688 ,  H05K2201/10371 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明提供一种具备被共烧成的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层、且在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性的复合层叠陶瓷电子部件。由玻璃陶瓷构成低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)，在低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)中使玻璃等的含有比率不同，其中该玻璃陶瓷包含：由MgAl2O4和/或Mg2SiO4构成的第一陶瓷；由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷；分别包含44.0～69.0重量％的RO(R为碱土类金属)、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的

公开(公告)号：CN103548102B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280024128.0

申请日：2012-02-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 足立大树 ,  金子和广 ,  坂本祯章 ,  足立聪

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/40

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B18/00 ,  C03C3/064 ,  C03C8/02 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20 ,  C04B35/20 ,  C04B35/443 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/66 ,  H01G4/129 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明提供一种具备被共烧成的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层、且在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性的复合层叠陶瓷电子部件。由玻璃陶瓷构成低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)，在低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)中使玻璃等的含有比率不同，其中该玻璃陶瓷包含：由MgAl2O4以及／或者Mg2SiO4构成的第一陶瓷；由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷；分别包含44.0～69.0重量％的RO(R为碱土类金属)、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的Al2O3、0.3～7.5重量％的Li2O、以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃；和MnO。

公开(公告)号：CN102959655B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201180029005.1

申请日：2011-06-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 名古屋雅昭 ,  东勇介 ,  稻山伸悟 ,  山崎洋一

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/84 ,  C01P2004/86 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/79 ,  H01B1/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/129 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供满足EIA标准的X5R特性且介电常数高、相对介电常数的AC偏置特性及介质损耗小的层叠陶瓷电容器。电介质层5由电介质瓷器构成，上述电介质瓷器由晶粒9构成，上述晶粒9以钛酸钡作为主成分且具有晶体结构为正方晶系的芯部9a和晶体结构为立方晶系的壳部9b，其中，上述壳部9b的厚度为11.8～26.5nm，并且上述晶粒9的平均粒径为0.15～0.35μm。

公开(公告)号：CN105174716A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510208454.2

申请日：2015-04-28

Applicant: 赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司

Inventor： M·斯格里西亚 ,  M·查令斯沃斯 ,  S·沙赫巴茨 ,  R·皮尔森 ,  S·格拉贝

IPC: C03C3/091 ,  C03C3/062 ,  C03C3/064 ,  C03C4/16

CPC classification number: H01B3/087 ,  C03C3/062 ,  C03C3/064 ,  C03C3/091 ,  C03C4/16 ,  C03C8/16 ,  C03C8/20 ,  C03C2207/08 ,  H01B19/02 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/105 ,  H01G4/129

Abstract: 本发明提供一种适用于电子装置中的介电玻璃组合物，其包含足量的对所述玻璃组合物赋予在经历潮湿环境时的耐久性的二氧化硅，以及一种或多种碱金属氧化物，其中(i)基于所述玻璃组合物的100％总重量计，所述碱金属氧化物的总含量为至少约10重量％且不大于约35重量％，(ii)所述玻璃组合物的中值粒度(d50)不大于约5μm，且(iii)所述玻璃组合物具有至少约10ppm/K且不大于约25ppm/K的热膨胀系数。

公开(公告)号：CN103946937A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201280056056.8

申请日：2012-11-14

Applicant: M·A·斯图尔特 ,  S·L·坎宁安

Inventor： M·A·斯图尔特 ,  S·L·坎宁安

IPC: H01G4/018 ,  H01G4/228

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/012 ,  H01G4/018 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/129 ,  H01G4/258 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  Y02T10/7022

Abstract: 一种用于提供高比能量密度的电能存储的装置和方法。所述装置包含夹在由多种可能导电材料制成的电极层之间的多个高介电常数材料(如钛酸钡或六方晶系钛酸钡)层。所述装置包括介于电极之间、提供非常高的击穿电压的另外的绝缘层，如类金刚石碳涂层。层由多种方法形成并且被组装以形成所述装置、即高能量密度存储装置。

公开(公告)号：CN103548102A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201280024128.0

申请日：2012-02-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 足立大树 ,  金子和广 ,  坂本祯章 ,  足立聪

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/40

CPC classification number: B32B7/02 ,  B32B18/00 ,  C03C3/064 ,  C03C8/02 ,  C03C8/14 ,  C03C8/20 ,  C04B35/20 ,  C04B35/443 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3222 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3481 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/80 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/62 ,  C04B2237/66 ,  H01G4/129 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明提供一种具备被共烧成的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层、且在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性的复合层叠陶瓷电子部件。由玻璃陶瓷构成低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)，在低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)中使玻璃等的含有比率不同，其中该玻璃陶瓷包含：由MgAl2O4以及／或者Mg2SiO4构成的第一陶瓷；由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷；分别包含44.0～69.0重量％的RO(R为碱土类金属)、14.2～30.0重量％的SiO2、10.0～20.0重量％的B2O3、0.5～4.0重量％的Al2O3、0.3～7.5重量％的Li2O、以及0.1～5.5重量％的MgO的玻璃；和MnO。

公开(公告)号：CN103154077A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201180050222.9

申请日：2011-10-17

Applicant: 三洋化成工业株式会社

Inventor： 大高刚史 ,  福本浩志 ,  山下智史 ,  神田阳一

IPC: C08G61/12 ,  C08K5/41 ,  C08L65/00 ,  H01G9/028

CPC classification number: H01G4/30 ,  C08G61/126 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/3223 ,  C08G2261/516 ,  C08K5/41 ,  C09D165/00 ,  H01G4/129

Abstract: 本发明提供一种导电性组合物，其可制作腐蚀性小、电导率高的导电性覆膜。该组合物含有取代聚噻吩以及三氧化硫络合物，其可用作固体电解电容器用导电性组合物；所述取代聚噻吩中，噻吩重复单元中的至少一部分为噻吩环的3位和/或4位被选自由下述基团组成的组中的至少一种基团取代的噻吩重复单元，所述基团为：聚醚基，该聚醚基具有1～9个碳原子数为2～4的氧化亚烷基重复单元，且一个末端是碳原子数为1～15的烷基；碳原子数为1～15的烷氧基；碳原子数为1～19的烷氧基烷基；以及碳原子数为1～15的烷基、或者该烷基的氢原子被所述聚醚基取代的烷基。

公开(公告)号：CN102959655A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201180029005.1

申请日：2011-06-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 名古屋雅昭 ,  东勇介 ,  稻山伸悟 ,  山崎洋一

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/84 ,  C01P2004/86 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/79 ,  H01B1/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/129 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供满足EIA标准的X5R特性且介电常数高、相对介电常数的AC偏置特性及介质损耗小的层叠陶瓷电容器。电介质层5由电介质瓷器构成，上述电介质瓷器由晶粒9构成，上述晶粒9以钛酸钡作为主成分且具有晶体结构为正方晶系的芯部9a和晶体结构为立方晶系的壳部9b，其中，上述壳部9b的厚度为11.8～26.5nm，并且上述晶粒9的平均粒径为0.15～0.35μm。

公开(公告)号：CN1667758A

公开(公告)日：2005-09-14

申请号：CN200510009061.5

申请日：2005-02-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 梅本卓史 ,  青柳伦太郎 ,  野野上宽 ,  胁坂健一郎

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/12

CPC classification number: H01G4/129 ,  C04B35/465 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/662 ,  C04B2235/721 ,  C04B2235/723 ,  C04B2235/9615 ,  H01G4/1227 ,  H05K1/0306

Abstract: 本发明提供一种电介质瓷器组合物，含有电介质材料和玻璃，其特征是：所述电介质材料是由组合式a·Li2O－b·(CaO1－X－SrOX)－c·R2O3－d·TiO2(其中，x满足0≤x＜1，R是从包括La、Y的稀土类元素中选出的至少一种，且a、b、c以及d满足，0≤a≤20mol％、0≤b≤45mol％、0＜c≤20mol％、40≤d≤80mol％、以及a+b+c+d＝100mol％)表示的电介质材料，且所述玻璃是含有Bi2O3在30重量％以上的玻璃。

公开(公告)号：CN107004503B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201580068012.0

申请日：2015-10-12

Applicant: 德累斯顿莱布尼茨固体材料研究所

Inventor： O·G·施密特

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/10 ,  H01G4/12 ,  H01G4/32 ,  H01L49/02

CPC classification number: H01G4/32 ,  H01G4/008 ,  H01G4/10 ,  H01G4/129 ,  H01G4/308 ,  H01G4/33 ,  H01L28/60

Abstract: 本发明涉及微电子的领域并且涉及紧凑型电容器，其例如可用在高频振荡电路和高频滤波器中。本发明的目的是提出一种紧凑型微米或纳米电容器，其具有功能层的可靠且简单的接触。该目的通过用于制造紧凑型微米或纳米电容器的方法实现，其特征在于，在衬底上布置有叠层，其含有至少两个功能层、由二维材料构成的两个层以及由电绝缘材料构成的至少两个层，并且具有二维材料层和至少两个功能层布置成横向于卷起方向在每一侧上交替地伸出超过叠层的宽度，并且随后卷起叠层以及使伸出的层彼此材料连接。