公开(公告)号：CN1267267C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN03110647.1

申请日：2003-04-18

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大金政信

IPC: B29D11/00 ,  G02B27/24

CPC classification number: G02B27/0037 ,  C08F271/00 ,  C08F271/02 ,  C08L51/003 ,  G02B1/04 ,  G02B5/1823 ,  G02B5/1852 ,  G02B27/4211 ,  G02B27/4222 ,  G02B27/4277 ,  G02B27/4288 ,  C08L51/06

Abstract: 提供一种光学元件，具有衍射形状等，通过使用至少由N-乙烯基咔唑和聚乙烯基咔唑以及光聚合开始剂构成的光学材料，可以在室温下的成形中抑制光学材料的结晶化，适当地控制适合于光栅复制成形的滴定量。此外，通过将N-乙烯基咔唑和聚乙烯基咔唑的比例取为N-乙烯基咔唑/上述聚乙烯基咔唑＝90/10～70/30，可以做成更适合于室温下的光栅复制成形的光学材料。

公开(公告)号：CN103365073B

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201210104156.5

申请日：2012-04-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李海亮 ,  谢常青 ,  刘明 ,  李冬梅 ,  牛洁斌 ,  史丽娜 ,  朱效立

IPC: G03F1/44

CPC classification number: G01N21/8851 ,  G01N21/47 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/95 ,  G01N2021/8822 ,  G01N2021/95676 ,  G01N2201/12 ,  G02B21/16 ,  G02B27/4222 ,  G02B2207/125 ,  G03F1/84 ,  G06T7/0004

Abstract: 本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域，公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，包括：极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上；所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛；所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。

公开(公告)号：CN101128917B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200680005833.0

申请日：2006-02-23

Applicant: 株式会社尼康

Inventor： 市原裕 ,  中村绫子 ,  白石直正 ,  谷元昭一 ,  工藤祐司

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70408 ,  G02B5/1838 ,  G02B5/1866 ,  G02B13/143 ,  G02B27/4222 ,  G02B27/4272 ,  G02B27/4277 ,  G03B27/42 ,  G03F7/70283 ,  G03F7/7035

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高解析度且廉价的曝光方法，其是在形成构成电子元件的微细图案时所使用的适宜的曝光方法。本发明的曝光方法包括：将两个绕射光栅串联于光路中，且将构成电子元件的晶圆等与两个绕射光栅以特定间隔进行配置，并使绕射光栅所产生的干涉条纹的明暗图案在晶圆等上曝光。根据需要，改变半导体晶圆与该绕射光栅的位置关系并进行上述曝光。

公开(公告)号：CN106061358A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580011127.6

申请日：2015-02-26

Applicant: 西门子公司

Inventor： A.希克 ,  P.伦奇勒

IPC: A61B1/00 ,  A61B5/00

CPC classification number: A61B5/0084 ,  A61B1/00009 ,  A61B1/00096 ,  A61B1/00163 ,  A61B1/00179 ,  A61B1/018 ,  A61B1/04 ,  A61B1/063 ,  A61B1/07 ,  A61B5/1076 ,  A61B5/1079 ,  G01B11/22 ,  G02B23/2461 ,  G02B23/2469 ,  G02B27/0944 ,  G02B27/4222 ,  G02B27/425

Abstract: 本发明涉及一种用于确定空腔(40)的部分区域的深度的内窥镜(1)，所述内窥镜包括用于将图案投影到空腔(40)的表面(41)上的投影通道(2)和成像通道(3)，所述成像通道设置用于使被投影的图案的由空腔(40)的表面(41)反射的图像成像，其中，投影通道(2)具有至少一个用于产生图案的衍射光学元件(4)、准直器(6)和聚焦透镜(8)。按照本发明，所述聚焦透镜(8)布置在准直器(6)与衍射光学元件(4)之间。

公开(公告)号：CN103207530A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201310096140.9

申请日：2013-03-22

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 张方 ,  朱菁 ,  黄惠杰 ,  宋强 ,  杨宝喜 ,  陈明 ,  曾爱军 ,  黄立华 ,  胡中华 ,  肖艳芬

IPC: G03F7/20 ,  G02B27/09

CPC classification number: G02B27/0081 ,  G02B5/001 ,  G02B5/1838 ,  G02B26/0816 ,  G02B27/0905 ,  G02B27/0911 ,  G02B27/0972 ,  G02B27/283 ,  G02B27/4222 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70108

Abstract: 一种光刻机光瞳整形光学系统及产生离轴照明模式的方法，其构成包括模式产生单元、可旋转波片、偏振分光单元、环一产生单元和环二产生单元。本发明通过选择相应的模式产生单元的衍射光学元件和适当的调整，可以产生光瞳面光强与内外直径连续可变、单环形照明模式和双环形照明多种照明模式。

公开(公告)号：CN102375171A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110351978.9

申请日：2011-11-09

Applicant: 中国科学院物理研究所

Inventor： 杨国桢 ,  董碧珍 ,  张岩 ,  叶佳声 ,  孟庆波 ,  黄庆礼 ,  王进泽

IPC: G02B5/18 ,  H01L31/052 ,  H01L31/0232

CPC classification number: G02B27/4222 ,  G02B5/18 ,  G02B19/0042 ,  G02B27/0012 ,  G02B27/1086 ,  G02B27/4244 ,  G06F17/50 ,  H01L31/0549 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明公开了一种衍射光学元件及其设计方法和在太阳能电池中的应用。本发明的衍射光学元件的采样点的设计调制厚度的设计包括：对于每一个波长计算当前采样点处的调制厚度；对于每个调制厚度获得一系列相互等效的备选调制厚度，它们对应的调制相位相互之间相差2π的整数倍；从每个波长的备选调制厚度中选择一个调制厚度来确定当前采样点的设计调制厚度。在一种实施方式中，该设计方法是在杨顾算法中引入了本发明的厚度优化算法。本发明突破了现有技术中对调制厚度/调制相位的限制并提高了衍射效率，且便于通过现代光刻技术大批量生产，成本大大降低。本发明的衍射光学元件还可应用于太阳能电池中，这为太阳能利用提供一种高效和廉价的途径。

公开(公告)号：CN103207530B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201310096140.9

申请日：2013-03-22

Applicant: 中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 张方 ,  朱菁 ,  黄惠杰 ,  宋强 ,  杨宝喜 ,  陈明 ,  曾爱军 ,  黄立华 ,  胡中华 ,  肖艳芬

IPC: G03F7/20 ,  G02B27/09

CPC classification number: G02B27/0081 ,  G02B5/001 ,  G02B5/1838 ,  G02B26/0816 ,  G02B27/0905 ,  G02B27/0911 ,  G02B27/0972 ,  G02B27/283 ,  G02B27/4222 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70091 ,  G03F7/70108

Abstract: 一种光刻机光瞳整形光学系统及产生离轴照明模式的方法，其构成包括模式产生单元、可旋转波片、偏振分光单元、环一产生单元和环二产生单元。本发明通过选择相应的模式产生单元的衍射光学元件和适当的调整，可以产生光瞳面光强与内外直径连续可变、单环形照明模式和双环形照明多种照明模式。

公开(公告)号：CN103365073A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210104156.5

申请日：2012-04-10

Applicant: 中国科学院微电子研究所

Inventor： 李海亮 ,  谢常青 ,  刘明 ,  李冬梅 ,  牛洁斌 ,  史丽娜 ,  朱效立

IPC: G03F1/44

CPC classification number: G01N21/8851 ,  G01N21/47 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/95 ,  G01N2021/8822 ,  G01N2021/95676 ,  G01N2201/12 ,  G02B21/16 ,  G02B27/4222 ,  G02B2207/125 ,  G03F1/84 ,  G06T7/0004

Abstract: 本申请涉及半导体学中的集成电路光刻领域，公开了一种极紫外光刻掩模缺陷检测系统，包括：极紫外光源、极紫外光传输部分、极紫外光刻掩模、光子筛、采集及分析系统。所述极紫外光源发出的点光源光束经过所述极紫外光传输部分聚焦到所述极紫外光刻掩模上；所述极紫外光刻掩模发出散射光并照明所述光子筛；所述光子筛形成暗场像并传送到所述采集及分析系统。本申请利用光子筛的体积小、易加工、低成本和分辨率强的特性代替了加工难度极大、成本高昂和体积大的史瓦西透镜，实现成本较低、体积较小并且分辨率强的极紫外光刻掩模缺陷检测装置。

公开(公告)号：CN1584536A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410063454.X

申请日：2004-07-05

Applicant: 卡尔蔡司SMT股份公司

Inventor： U·维格曼恩 ,  M·门格尔

IPC: G01M11/02

CPC classification number: G02B5/3058 ,  G01J4/04 ,  G02B5/1809 ,  G02B5/3091 ,  G02B27/4222 ,  G02B27/4255 ,  G02B27/4261 ,  G02B27/4277 ,  G03F7/70566 ,  G03F7/70591

Abstract: 本发明涉及一种装置，涉及带有这样装置的光学成像系统和所属的校准方法，用于偏振特定地研究光学系统，特别是通过光学成像系统的光线的偏振状态影响，所述装置带有检测器部分，所述的检测器部分具有偏振检测器装置，用于测量从光学系统发出的光线(6)的出射偏振状态。一种根据本发明的装置含有偏振检测器装置，所述的偏振检测器装置含有偏振化光栅结构(4)。所述的偏振检测装置含有双折射元件(7)，用于光线角度依赖性地延迟改变从光学系统发出的光线，并且还带有一个后置的起偏振器元件(4)。作为可替代的选择，还提出一种用于快照偏振测量的装置，设有双折射元件和后置的起偏振器元件，这适用于充分地偏振化，即使是非准平行的，以非平行的入射角从双折射元件发来的光线。应用例如是确定通过显微照像投影物镜的紫外线光线的偏振状态影响。

公开(公告)号：CN102077143B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN200980126128.X

申请日：2009-06-25

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： J·D·康纳尔 ,  J·D·玛拉齐 ,  P·F·米开罗斯基 ,  J·E·韦伯

IPC: G03F7/20 ,  G02B13/22 ,  G02B27/00

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G02B13/22 ,  G02B27/0043 ,  G02B27/4222

Abstract: 一种远心性校正器被纳入到显微光刻投影系统中，以在该显微光刻投影系统的输出处实现远心性目标。该远心性校正器位于该投影系统的照明装置与投影透镜之间，优选正好在用于控制照射掩模板的光的角分布的掩模板之前。