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公开(公告)号：CN103517536B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310236940.6
申请日：2013-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体，能够使装置结构简单化并且能够防止等离子体的生成效率下降。等离子体处理装置(10)具备：腔室(11)；载置台(S)；ICP天线(13)，其在腔室(11)的外部被配置成与载置台(12)对置，并与高频电源(26)相连接；窗构件(14)，其构成与ICP天线(13)对置的腔室(11)的臂部，存在于载置台(12)与ICP天线(13)之间，由导电体构成；以及导线(28)，其两端与窗构件(14)相连接，窗构件(14)和导线(28)形成闭合回路，导线(28)具有电容器(29)。(12)，其配置在该腔室(11)的内部来载置基板
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公开(公告)号：CN103866297A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310686986.8
申请日：2013-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32082 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。
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公开(公告)号：CN103491700A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310233964.6
申请日：2013-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体，能够使装置结构简单化并且能够防止等离子体的生成效率下降。等离子体处理装置(10)具备：腔室(11)；载置台(12)，其配置于该腔室(11)的内部并载置基板(S)；ICP天线(13)，其在腔室(11)的外部被配置成与载置台(12)对置并与高频电源(26)相连接；以及窗构件(14)，其存在于载置台(12)与ICP天线(13)之间并包含导电体，其中，窗构件(14)被分割成多个分割片(27)，多个分割片(27)彼此绝缘并且通过导线(29)、带电容器的导线(30)相连接而形成闭合回路(31)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103491700B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201310233964.6
申请日：2013-06-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体，能够使装置结构简单化并且能够防止等离子体的生成效率下降。等离子体处理装置(10)具备：腔室(11)；载置台(S)；ICP天线(13)，其在腔室(11)的外部被配置成与载置台(12)对置并与高频电源(26)相连接；以及窗构件(14)，其存在于载置台(12)与ICP天线(13)之间并包含导电体，其中，窗构件(14)被分割成多个分割片(27)，多个分割片(27)彼此绝缘并且通过导线(29)、带电容器的导线(30)相连接而形成闭合回路(31)。(12)，其配置于该腔室(11)的内部并载置基板
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公开(公告)号：CN103966575B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410043876.4
申请日：2014-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/505 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32733
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及成膜方法。在旋转台（2）下方侧的与改性区域（S1）相对的位置配置偏压电极（120），并在改性区域（S1）的上方侧配置法拉第屏蔽件（95），使上述偏压电极（120）与法拉第屏蔽件（95）电容耦合而在上述改性区域（S1）内形成偏移电场。并且，偏压电极（120），在旋转台（2）的旋转方向上的宽度尺寸（t）形成得比相邻的晶圆（W）之间的分开尺寸（d）小，从而能够防止对相邻的晶圆（W）同时施加偏移电场，并能够针对各晶圆（W）单独地形成偏移电场。
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公开(公告)号：CN103866297B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201310686986.8
申请日：2013-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/513
CPC classification number: H01J37/321 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , H01J37/32082 , H01J37/3211 , H01J37/3244 , H01J37/32651 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/32752 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02214 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/68764 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供成膜装置、基板处理装置及成膜方法。成膜装置包括：旋转台；成膜区域，于其中在基板上依次层叠分子层或原子层而形成薄膜；等离子体处理部，在等离子体产生区域中利用等离子体对分子层或原子层进行改性处理，等离子体产生区域在旋转台的旋转方向上与成膜区域分开地设置；下侧偏压电极和上侧偏压电极，为了将等离子体中的离子引入基板的表面，该下侧偏压电极设于旋转台上的基板的高度位置的下方侧，该上侧偏压电极配置在与高度位置相同的位置或配置于该高度位置的上方侧；高频电源部，与下侧偏压电极和上侧偏压电极中的至少一方相连接，使下侧偏压电极和上侧偏压电极隔着等离子体产生区域进行电容耦合而在基板上形成偏压电位；排气机构。
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公开(公告)号：CN103966575A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043876.4
申请日：2014-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/505 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/45519 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , H01J37/32541 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J37/32733
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置及成膜方法。在旋转台（2）下方侧的与改性区域（S1）相对的位置配置偏压电极（120），并在改性区域（S1）的上方侧配置法拉第屏蔽件（95），使上述偏压电极（120）与法拉第屏蔽件（95）电容耦合而在上述改性区域（S1）内形成偏移电场。并且，偏压电极（120），在旋转台（2）的旋转方向上的宽度尺寸（t）形成得比相邻的晶圆（W）之间的分开尺寸（d）小，从而能够防止对相邻的晶圆（W）同时施加偏移电场，并能够针对各晶圆（W）单独地形成偏移电场。
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公开(公告)号：CN103517536A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310236940.6
申请日：2013-06-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、生成装置及生成方法、天线结构体，能够使装置结构简单化并且能够防止等离子体的生成效率下降。等离子体处理装置(10)具备：腔室(11)；载置台(12)，其配置在该腔室(11)的内部来载置基板(S)；ICP天线(13)，其在腔室(11)的外部被配置成与载置台(12)对置，并与高频电源(26)相连接；窗构件(14)，其构成与ICP天线(13)对置的腔室(11)的臂部，存在于载置台(12)与ICP天线(13)之间，由导电体构成；以及导线(28)，其两端与窗构件(14)相连接，窗构件(14)和导线(28)形成闭合回路，导线(28)具有电容器(29)。
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