公开(公告)号：CN101021011A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610100054.0

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  村上友康

IPC: C23F4/00 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  G02B2006/12166 ,  G02B2006/12197

Abstract: 本发明公开了一种干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法。目的在于：以实现在利用干蚀刻对含钨和碳的物质形成微小凹凸时的垂直剖面形状或正锥形剖面形状。并且，提供一种在含钨和碳的物质表面具备了垂直剖面形状或正锥形剖面形状的微小凹凸的模具。利用从混合气体生成的等离子体，对含钨和碳的物体进行蚀刻，该混合气体由含氟原子的气体、含氮原子的气体和含碳化氢分子的气体构成。

公开(公告)号：CN101102979A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200680000518.9

申请日：2006-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  屉子胜 ,  村上友康

IPC: C04B41/91 ,  G02B6/13 ,  C23F4/00

CPC classification number: C04B41/91 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5346 ,  G02B2006/12166 ,  Y10T428/24479 ,  C04B41/0054 ,  C04B35/56

Abstract: 用由含卤素原子的气体和含氮原子的气体组成的混合气体生成的等离子体50对WC基板7进行蚀刻。

公开(公告)号：CN101021010A

公开(公告)日：2007-08-22

申请号：CN200610100052.1

申请日：2006-06-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  笹子胜 ,  村上友康

IPC: C23F4/00 ,  C23F1/12 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23F4/00 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明公开了一种干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法。目的在于：以实现在利用干蚀刻对含钨和碳的物质形成微小凹凸时的垂直剖面形状或正锥形剖面形状。并且，提供一种在含钨和碳的物质表面具备了垂直剖面形状或正锥形剖面形状的微小凹凸的模具。利用从混合气体生成的等离子体，对含钨和碳的物体进行蚀刻，该混合气体由含氟原子的气体、和含CN结合及氢原子的气体构成。

公开(公告)号：CN1993303A

公开(公告)日：2007-07-04

申请号：CN200680000516.X

申请日：2006-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 中川秀夫 ,  屉子胜 ,  村上友康

IPC: C04B41/91 ,  C23F4/00 ,  G02B6/13 ,  C03B11/00

Abstract: 用由含氯原子的气体生成的等离子体50对WC基板7进行蚀刻。