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公开(公告)号：CN113346035B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202010783248.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10K71/00 , H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 本公开涉及一种处理工具，所述处理工具包括第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。第一晶片安装框架被配置成固持目标晶片。第二晶片安装框架被配置成固持掩蔽晶片。掩蔽晶片包括由穿过掩蔽晶片的多个开口构成的掩模图案以对应于将形成在目标晶片上的预定沉积图案。沉积室被配置成当第一晶片安装框架与第二晶片安装框架夹持在一起以固持目标晶片及掩蔽晶片时接纳第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。沉积室包括材料沉积源，所述材料沉积源被配置成通过掩模图案中的所述多个开口从材料沉积源沉积材料，以在目标晶片上以预定沉积图案形成材料。
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公开(公告)号：CN112141995B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202010090792.1
申请日：2020-02-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置及其形成方法及微机电系统结构，所述微机电系统装置包括设置在衬底与微机电系统衬底之间的导电接合结构。内连结构上覆在衬底上。微机电系统衬底上覆在内连结构上且包括可移动的膜。介电结构设置在内连结构与微机电系统衬底之间。所述导电接合结构夹置在内连结构与微机电系统衬底之间。导电接合结构在介电结构的侧壁之间在侧向上间隔开。导电接合结构、微机电系统衬底及内连结构至少局部地界定空腔。可移动的膜上覆在空腔上且在导电接合结构的侧壁之间在侧向上间隔开。
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公开(公告)号：CN109560019B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201811125022.5
申请日：2018-09-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本公开提供一种在半导体工艺期间用来控制结合波的传播的装置和方法。装置具有一第一吸座，以选择性地保持一第一工件。一第二吸座选择性地保持一第二工件。第一和第二吸座选择性地固定第一工件和第二工件各自的至少一周边。一空气真空沿圆周方向位于第一吸座和第二吸座之间的区域中。空气真空是配置为在第一工件和第二工件之间引发真空，以选择性地从传播点将第一工件和第二工件结合。空气真空可以是局部空气真空枪、一真空盘或围绕第一吸座和第二吸座之间的区域的周边的一空气气帘。空气气帘在第一和第二吸座之间的区域内引发较低的压力。
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公开(公告)号：CN107026103A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201611092245.7
申请日：2016-12-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/75 , B23K20/002 , B23K20/026 , B23K20/16 , B23K20/233 , B23K20/24 , B23K20/26 , B23K2101/34 , B23K2101/40 , B23K2103/12 , H01L21/67092 , H01L24/80 , H01L2224/7525 , H01L2224/7598 , H01L2224/8001 , H01L2224/80895 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001 , H01L21/67155 , H01L24/81 , H01L2224/81
Abstract: 本发明实施例公开了一种接合系统，其包括：存储装置，包括腔室，其中，腔室配置为容纳从负载端口转移的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆，并且气体被提供至腔室以将氧气排出腔室；表面处理站，配置为对从存储装置转移的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆执行表面激活；清洗站，配置为从表面处理站转移的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆的表面去除不期望的物质；以及预接合站，配置为将第一半导体晶圆和第二半导体晶圆接合在一起以产生接合的第一半导体晶圆和第二半导体晶圆对，其中，第一半导体晶圆和第二半导体晶圆从清洗站转移。本发明实施例还公开了相关的装置和方法。
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公开(公告)号：CN103531492B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210382930.9
申请日：2012-10-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/80 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/27 , H01L24/74 , H01L24/94 , H01L2224/02215 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/0381 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/75101 , H01L2224/7565 , H01L2224/75753 , H01L2224/75824 , H01L2224/80004 , H01L2224/80007 , H01L2224/8001 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80097 , H01L2224/80121 , H01L2224/80136 , H01L2224/80203 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83889 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/1461 , H01L2924/351 , Y10T156/15 , Y10T156/1744 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/05442 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了用于半导体晶圆的混合接合系统和方法。在一个实施例中，用于半导体晶圆的混合接合系统包括室和多个设置在该室内的副室。机械夹持器设置在该室内，适用于在多个副室之间移动室内的多个半导体晶圆。多个副室包括：适用于从多个半导体晶圆去除保护层的第一副室，以及适用于在将多个半导体晶圆混合接合在一起之前激活多个半导体晶圆的顶面的第二副室。多个副室还包括适用于对准多个半导体晶圆和将多个半导体晶圆混合接合在一起的第三副室。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103794584A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310046609.8
申请日：2013-02-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/03 , H01L21/76831 , H01L21/76834 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/0361 , H01L2224/03616 , H01L2224/05026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05147 , H01L2224/05187 , H01L2224/05547 , H01L2224/05553 , H01L2224/05564 , H01L2224/05571 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/08147 , H01L2224/80121 , H01L2224/80203 , H01L2225/06513 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05032 , H01L2924/0504 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012 , H01L2924/05042 , H01L2924/059 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明所述的扩散阻挡层的实施例提供了用于形成铜扩散阻挡层以阻止用于混合接合晶圆的器件退化的机制。(一层或多层)扩散阻挡层环绕用于混合接合的含铜导电焊盘。扩散阻挡层可以位于两个接合晶圆中的一个上或位于这两个接合晶圆上。
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公开(公告)号：CN103707177A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310020037.6
申请日：2013-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/11
Abstract: 本发明提供了一种用于晶圆边缘修整的研磨轮，包括：具有开口侧的头部以及环绕所述头部的开口侧的边缘接合的研磨端。所述研磨端被布置成在所述晶圆边缘修整期间具有环绕晶圆边缘的多个同步触点。
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公开(公告)号：CN112038219B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201910880360.8
申请日：2019-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种将第一晶圆结合到第二晶圆的方法。所述方法包括将第一晶圆对准第二晶圆，以使第一晶圆与第二晶圆垂直地堆叠且具有在横向上平行延伸的实质上平的轮廓。所述方法还包括使第一晶圆与第二晶圆在晶圆间界面处彼此直接接触。所述使第一晶圆与第二晶圆直接接触包括使第一晶圆变形以使第一晶圆具有弯曲的轮廓且晶圆间界面被局部化到第一晶圆的中心。在使第一晶圆变形期间第二晶圆维持其实质上平的轮廓。所述方法还包括使第一晶圆和/或第二晶圆变形以使晶圆间界面从第一晶圆的中心到第一晶圆的边缘逐渐扩张。
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公开(公告)号：CN113346035A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010783248.5
申请日：2020-08-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L51/56 , H01L21/67 , H01L21/68 , H01L21/687
Abstract: 本公开涉及一种处理工具，所述处理工具包括第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。第一晶片安装框架被配置成固持目标晶片。第二晶片安装框架被配置成固持掩蔽晶片。掩蔽晶片包括由穿过掩蔽晶片的多个开口构成的掩模图案以对应于将形成在目标晶片上的预定沉积图案。沉积室被配置成当第一晶片安装框架与第二晶片安装框架夹持在一起以固持目标晶片及掩蔽晶片时接纳第一晶片安装框架及第二晶片安装框架。沉积室包括材料沉积源，所述材料沉积源被配置成通过掩模图案中的所述多个开口从材料沉积源沉积材料，以在目标晶片上以预定沉积图案形成材料。
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