利用含臭氧的流体处理半导体晶片表面的装置及方法

    公开(公告)号:CN105336645A

    公开(公告)日:2016-02-17

    申请号:CN201410401635.2

    申请日:2014-08-14

    Inventor: 温子瑛 张倪涛

    Abstract: 本发明公开了一种利用含臭氧的流体处理半导体晶片表面的装置及方法。所述装置包括臭氧发生器、溶剂瓶、气液混合装置、密闭腔、气液输送系统和气液排放系统;所述臭氧发生器和所述溶剂瓶分别与所述气液混合装置对应的入口相连,所述气液混合装置的出口与所述密闭腔的至少一个入口相连;所述密闭腔采用微处理腔,所述微处理腔包括相配合的上腔室部和下腔室部。本发明通过将含臭氧的气液混合流体或含臭氧的溶液和臭氧气体输入一个密闭腔里,通过提高气相中臭氧的分压,缩短臭氧从产生到被使用的时间,保证臭氧在溶液中的浓度,从而提高含臭氧流体对放在密闭腔体内晶片表面的处理效果;同时通过微处理腔设计降低所用气体和液体的消耗,减少排放。

    半导体圆片清洗设备
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1324659C

    公开(公告)日:2007-07-04

    申请号:CN03109534.8

    申请日:2003-04-09

    Inventor: 土井实

    CPC classification number: B08B3/12 B08B3/048 B08B2203/005 Y10S134/902

    Abstract: 本发明公开了一种半导体圆片的半导体清洗设备,包括:双容器,其包括内部容器和外部容器,内部容器通过上部开口与外部容器相通;清洗液体供应导管,其把含氢氟酸的水、含臭氧的水、含氢的水和净化水供应至内部容器;内部容器排放导管,其从内部容器排放出清洗液体;气体供应导管,其把惰性气体、臭氧气体和含溶剂气体供应进入内部容器;排放管,其把双容器的气体排放出;和外部容器排放导管,其排放从内部容器溢出的液体至外部容器,其中用于供应含溶剂气体的导管的至少一部分包括带着加热器、溶剂供应导管和惰性气体供应导管的石英管,所述石英管分别通过溶剂供应导管和惰性气体供应导管接收溶剂液体和惰性气体。

    除去有机薄膜的方法和设备

    公开(公告)号:CN1286154C

    公开(公告)日:2006-11-22

    申请号:CN02147123.1

    申请日:2002-10-22

    Abstract: 提供了从基底表面上除去诸如阻焊膜之类的有机膜的方法和设备。此方法和设备,即使在高温下也是非常安全的,并且使用了可以循环并重新使用的处理液。将一般包括碳酸亚乙酯、碳酸亚丙酯或这两种化合物的混合液体的,特别是含有溶解臭氧的处理液与带有有机膜的基底接触,就除去了有机膜。再有,本发明的设备包括(A)将处理液送到处理区的处理液供料装置;(B)在所述处理区中,使处理液与基底表面的有机膜接触的膜接触装置;(C)用于把从处理区排放出来的处理液进行循环和把循环的处理液经过一个或多个暂时的储存装置返回到处理区的液体循环装置;以及(D)在处理区和/或在暂时储存装置中,用于使含臭氧的气体与从处理液进行接触的臭氧溶解装置。

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