公开(公告)号：CN105336645B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201410401635.2

申请日：2014-08-14

Applicant: 无锡华瑛微电子技术有限公司

Inventor： 温子瑛 ,  张倪涛

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种利用含臭氧的流体处理半导体晶片表面的装置及方法。所述装置包括臭氧发生器、溶剂瓶、气液混合装置、密闭腔、气液输送系统和气液排放系统；所述臭氧发生器和所述溶剂瓶分别与所述气液混合装置对应的入口相连，所述气液混合装置的出口与所述密闭腔的至少一个入口相连；所述密闭腔采用微处理腔，所述微处理腔包括相配合的上腔室部和下腔室部。本发明通过将含臭氧的气液混合流体或含臭氧的溶液和臭氧气体输入一个密闭腔里，通过提高气相中臭氧的分压，缩短臭氧从产生到被使用的时间，保证臭氧在溶液中的浓度，从而提高含臭氧流体对放在密闭腔体内晶片表面的处理效果；同时通过微处理腔设计降低所用气体和液体的消耗，减少排放。

公开(公告)号：CN105336645A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410401635.2

申请日：2014-08-14

Applicant: 无锡华瑛微电子技术有限公司

Inventor： 温子瑛 ,  张倪涛

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02052 ,  B08B3/08 ,  B08B3/14 ,  B08B2203/005 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67023 ,  H01L21/67051

Abstract: 本发明公开了一种利用含臭氧的流体处理半导体晶片表面的装置及方法。所述装置包括臭氧发生器、溶剂瓶、气液混合装置、密闭腔、气液输送系统和气液排放系统；所述臭氧发生器和所述溶剂瓶分别与所述气液混合装置对应的入口相连，所述气液混合装置的出口与所述密闭腔的至少一个入口相连；所述密闭腔采用微处理腔，所述微处理腔包括相配合的上腔室部和下腔室部。本发明通过将含臭氧的气液混合流体或含臭氧的溶液和臭氧气体输入一个密闭腔里，通过提高气相中臭氧的分压，缩短臭氧从产生到被使用的时间，保证臭氧在溶液中的浓度，从而提高含臭氧流体对放在密闭腔体内晶片表面的处理效果；同时通过微处理腔设计降低所用气体和液体的消耗，减少排放。