-
公开(公告)号：CN102024460A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010293115.6
申请日：2010-09-20
Abstract: 本发明涉及薄膜元件及其制造方法、使用其的磁头悬架组件、硬盘驱动器。薄膜元件的制造方法具备以下工序：将包含电极膜的层叠体形成于基板上的工序；将层叠体加工成规定的形状并将薄膜元件部形成于基板上的工序；以支撑基板经由薄膜元件部与基板相对的方式用粘结膜将支撑基板贴合于基板的工序；在贴合工序之后，除去基板的工序；在基板的除去工序之后，将低刚性膜形成于除去了基板的一侧的薄膜元件部上的工序；以及在低刚性膜的形成工序之后，除去支撑基板以及粘结膜的工序，在低刚性膜的形成工序与支撑基板以及粘结膜的除去工序之间不将基板设置于低刚性膜上。
-
公开(公告)号：CN102163542B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110005767.X
申请日：2011-01-07
IPC: H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供可抑制性能劣化的薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片。具备准备其上面形成有相互分离的2个电子元件(13)的基板(S1)的工序；以支撑基板(S2)经由电子元件(13)与基板(S1)相对的方式通过粘结层(15)贴合基板(S1)与支撑基板(S2)的工序；除去基板(S1)而使电子元件(13)与粘结层(15)露出的工序；将露出的电子元件(13)和粘结层(15)与包含因加热而使粘着力下降的材料的划片胶带(11)贴附的工序；除去支撑基板(S2)的工序；从划片胶带(11)和电子元件(13)剥离粘结层(15)而露出电子元件(13)的工序；通过加热划片胶带(11)而使电子元件(13)从划片胶带(11)分离的工序。
-
公开(公告)号：CN102024460B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010293115.6
申请日：2010-09-20
Abstract: 本发明涉及薄膜元件及其制造方法、使用其的磁头悬架组件、硬盘驱动器。薄膜元件的制造方法具备以下工序：将包含电极膜的层叠体形成于基板上的工序；将层叠体加工成规定的形状并将薄膜元件部形成于基板上的工序；以支撑基板经由薄膜元件部与基板相对的方式用粘结膜将支撑基板贴合于基板的工序；在贴合工序之后，除去基板的工序；在基板的除去工序之后，将低刚性膜形成于除去了基板的一侧的薄膜元件部上的工序；以及在低刚性膜的形成工序之后，除去支撑基板以及粘结膜的工序，在低刚性膜的形成工序与支撑基板以及粘结膜的除去工序之间不将基板设置于低刚性膜上。
-
公开(公告)号：CN102163542A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110005767.X
申请日：2011-01-07
IPC: H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供可抑制性能劣化的薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片。具备准备其上面形成有相互分离的2个电子元件(13)的基板(S1)的工序；以支撑基板(S2)经由电子元件(13)与基板(S1)相对的方式通过粘结层(15)贴合基板(S1)与支撑基板(S2)的工序；除去基板(S1)而使电子元件(13)与粘结层(15)露出的工序；将露出的电子元件(13)和粘结层(15)与包含因加热而使粘着力下降的材料的划片胶带(11)贴附的工序；除去支撑基板(S2)的工序；从划片胶带(11)和电子元件(13)剥离粘结层(15)而露出电子元件(13)的工序；通过加热划片胶带(11)而使电子元件(13)从划片胶带(11)分离的工序。
-
公开(公告)号：CN104641481B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380048271.8
申请日：2013-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/04 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明所涉及的薄膜压电元件包括具有60nm以上且90nm以下的平均晶粒直径的铌酸钾钠基压电薄膜、以及配置成将该压电薄膜保持于其间的一对电极膜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104810469A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510035975.2
申请日：2015-01-23
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L41/0475 , B41J2/14201 , B41J2/161 , B41J2/1628 , B41J2/1646 , B41J2002/14491 , B41J2202/11 , B41J2202/20 , G11B5/4873 , G11B21/24 , H01L41/047 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/29 , H01L41/316 , H01L41/332
Abstract: 本发明的目的在于，通过使薄膜压电元件的平面形状、层构造为一定的状态下，在构成薄膜压电元件的压电薄膜的接地面具有凹凸的形状，进一步增大移位量。薄膜压电元件具备一对电极层和由上述一对电极层夹着的压电薄膜，压电薄膜和一对电极层的至少一者的界面的表面粗糙度P-V为220nm以上500nm以下。
-
公开(公告)号：CN104395087A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380033316.4
申请日：2013-07-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: B41J2/14 , G11B5/48 , H01L41/053 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/113
CPC classification number: H01L41/0478 , B41J2/14233 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/1873 , H01L41/313 , H01L41/316
Abstract: 根据本发明的压电器件(100)设置有第一电极膜(5)、设置在第一电极膜(5)上的第一非金属导电性中间膜(4)、设置在第一非金属导电性中间膜(4)上的压电膜(3)、设置在压电膜(3)上的第二非金属导电性中间膜(2)、以及设置在第二非金属导电性中间膜(2)上的第二电极膜(1)。第一非金属导电性中间膜(4)的线性膨胀系数大于第一电极膜(5)和压电膜(3)的线性膨胀系数，并且第二非金属导电性中间膜(2)的线性膨胀系数大于第二电极膜(1)和压电膜(3)的线性膨胀系数。
-
-
-
公开(公告)号：CN104576915B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201410564550.6
申请日：2014-10-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L41/0805 , B41J2/045 , B41J2/14233 , B41J2202/03 , G01L1/16 , G01L9/008 , H01L41/0973 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供了一种压电元件，其通过具备由通式ABO3表示的钙钛矿型化合物即铌酸钾钠的结晶组织的结晶取向是以其厚度方向为第1旋转对称轴而作为压电体层整体为面内四重对称的铌酸钾钠薄膜作为压电体层，从而增大压电元件的致动器的位移量或者作为传感器的灵敏度，并且能够降低耗电。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.026 seconds)
