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公开(公告)号：CN101789487B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200910246862.1
申请日：2009-10-21
IPC: H01L41/22 , H01L41/083 , G11B5/55
CPC classification number: G11B5/4826 , G11B5/4833 , G11B5/4873 , G11B5/5552 , H01L41/0986 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及薄膜压电体元件及其制造方法、采用该元件的磁头悬架组件以及使用磁头悬架组件的硬盘驱动器。该元件制造方法具有在第一基板上层叠第一电极膜、压电体膜和第二电极膜形成层叠体(L)的工序、在第二基板上层叠支撑膜形成层叠体(M)的工序、使第二电极膜与支撑膜相对并由粘合膜粘合层叠体(L)和层叠体(M)形成由层叠体(L)、粘合膜和层叠体(M)构成的层叠体(P)的工序、从层叠体(P)去除第一基板的工序、去除第一基板工序后将层叠体(P)加工为期望形状的工序、加工层叠体(P)工序后去除第二基板的工序；粘合膜的杨氏模量比压电体膜的低，第二电极膜和支撑膜的杨氏模量均比粘合膜的高，层叠体(P)除上述压电体膜外无其他压电体膜。
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公开(公告)号：CN101853917B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200910258044.3
申请日：2009-12-16
IPC: H01L41/22
CPC classification number: H01L41/332 , H01L41/313
Abstract: 本发明的压电元件的制造方法包括：生长工序，使PZT膜外延生长于第1电极膜上；和加工工序，在生长工序之后，使用蚀刻液将PZT膜加工成所期望的形状，蚀刻液含有盐酸和硝酸中的至少一种酸，其中，在将相对于蚀刻液的重量的盐酸以及硝酸各自的重量浓度作为CHCl以及CHNO3的情况下，CHCl+3.3CHNO3为1wt％以上且10wt％以下，并且，所述蚀刻液还含有氟化铵和氟化氢中的至少一种氟化合物，其中，相对于蚀刻液的重量，来自于氟化铵以及氟化氢的氟的重量浓度为0.1wt％以上且1wt％以下。
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公开(公告)号：CN101853917A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200910258044.3
申请日：2009-12-16
IPC: H01L41/22
CPC classification number: H01L41/332 , H01L41/313
Abstract: 本发明的压电元件的制造方法包括：生长工序，使PZT膜外延生长于第1电极膜上；和加工工序，在生长工序之后，使用蚀刻液将PZT膜加工成所期望的形状，蚀刻液含有盐酸和硝酸中的至少一种酸，其中，在将相对于蚀刻液的重量的盐酸以及硝酸各自的重量浓度作为CHCl以及CHNO3的情况下，CHCl+3.3CHNO3为1wt％以上且10wt％以下，并且，所述蚀刻液还含有氟化铵和氟化氢中的至少一种氟化合物，其中，相对于蚀刻液的重量，来自于氟化铵以及氟化氢的氟的重量浓度为0.1wt％以上且1wt％以下。
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公开(公告)号：CN102024460A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010293115.6
申请日：2010-09-20
Abstract: 本发明涉及薄膜元件及其制造方法、使用其的磁头悬架组件、硬盘驱动器。薄膜元件的制造方法具备以下工序：将包含电极膜的层叠体形成于基板上的工序；将层叠体加工成规定的形状并将薄膜元件部形成于基板上的工序；以支撑基板经由薄膜元件部与基板相对的方式用粘结膜将支撑基板贴合于基板的工序；在贴合工序之后，除去基板的工序；在基板的除去工序之后，将低刚性膜形成于除去了基板的一侧的薄膜元件部上的工序；以及在低刚性膜的形成工序之后，除去支撑基板以及粘结膜的工序，在低刚性膜的形成工序与支撑基板以及粘结膜的除去工序之间不将基板设置于低刚性膜上。
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公开(公告)号：CN102163542B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201110005767.X
申请日：2011-01-07
IPC: H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供可抑制性能劣化的薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片。具备准备其上面形成有相互分离的2个电子元件(13)的基板(S1)的工序；以支撑基板(S2)经由电子元件(13)与基板(S1)相对的方式通过粘结层(15)贴合基板(S1)与支撑基板(S2)的工序；除去基板(S1)而使电子元件(13)与粘结层(15)露出的工序；将露出的电子元件(13)和粘结层(15)与包含因加热而使粘着力下降的材料的划片胶带(11)贴附的工序；除去支撑基板(S2)的工序；从划片胶带(11)和电子元件(13)剥离粘结层(15)而露出电子元件(13)的工序；通过加热划片胶带(11)而使电子元件(13)从划片胶带(11)分离的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102024460B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010293115.6
申请日：2010-09-20
Abstract: 本发明涉及薄膜元件及其制造方法、使用其的磁头悬架组件、硬盘驱动器。薄膜元件的制造方法具备以下工序：将包含电极膜的层叠体形成于基板上的工序；将层叠体加工成规定的形状并将薄膜元件部形成于基板上的工序；以支撑基板经由薄膜元件部与基板相对的方式用粘结膜将支撑基板贴合于基板的工序；在贴合工序之后，除去基板的工序；在基板的除去工序之后，将低刚性膜形成于除去了基板的一侧的薄膜元件部上的工序；以及在低刚性膜的形成工序之后，除去支撑基板以及粘结膜的工序，在低刚性膜的形成工序与支撑基板以及粘结膜的除去工序之间不将基板设置于低刚性膜上。
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公开(公告)号：CN102163542A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201110005767.X
申请日：2011-01-07
IPC: H01L21/00 , H01L21/304 , H01L21/68 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供可抑制性能劣化的薄膜电子元件的单片化方法及由其制造的电子元件搭载粘着性薄片。具备准备其上面形成有相互分离的2个电子元件(13)的基板(S1)的工序；以支撑基板(S2)经由电子元件(13)与基板(S1)相对的方式通过粘结层(15)贴合基板(S1)与支撑基板(S2)的工序；除去基板(S1)而使电子元件(13)与粘结层(15)露出的工序；将露出的电子元件(13)和粘结层(15)与包含因加热而使粘着力下降的材料的划片胶带(11)贴附的工序；除去支撑基板(S2)的工序；从划片胶带(11)和电子元件(13)剥离粘结层(15)而露出电子元件(13)的工序；通过加热划片胶带(11)而使电子元件(13)从划片胶带(11)分离的工序。
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公开(公告)号：CN101789487A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200910246862.1
申请日：2009-10-21
IPC: H01L41/22 , H01L41/083 , G11B5/55
CPC classification number: G11B5/4826 , G11B5/4833 , G11B5/4873 , G11B5/5552 , H01L41/0986 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/319 , Y10T29/42
Abstract: 本发明涉及薄膜压电体元件及其制造方法、采用该元件的磁头悬架组件以及使用磁头悬架组件的硬盘驱动器。该元件制造方法具有在第一基板上层叠第一电极膜、压电体膜和第二电极膜形成层叠体(L)的工序、在第二基板上层叠支撑膜形成层叠体(M)的工序、使第二电极膜与支撑膜相对并由粘合膜粘合层叠体(L)和层叠体(M)形成由层叠体(L)、粘合膜和层叠体(M)构成的层叠体(P)的工序、从层叠体(P)去除第一基板的工序、去除第一基板工序后将层叠体(P)加工为期望形状的工序、加工层叠体(P)工序后去除第二基板的工序；粘合膜的杨氏模量比压电体膜的低，第二电极膜和支撑膜的杨氏模量均比粘合膜的高，层叠体(P)除上述压电体膜外无其他压电体膜。
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公开(公告)号：CN104641481B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380048271.8
申请日：2013-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/04 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明所涉及的薄膜压电元件包括具有60nm以上且90nm以下的平均晶粒直径的铌酸钾钠基压电薄膜、以及配置成将该压电薄膜保持于其间的一对电极膜。
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公开(公告)号：CN104395087A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201380033316.4
申请日：2013-07-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: B41J2/14 , G11B5/48 , H01L41/053 , H01L41/08 , H01L41/09 , H01L41/113
CPC classification number: H01L41/0478 , B41J2/14233 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/1873 , H01L41/313 , H01L41/316
Abstract: 根据本发明的压电器件(100)设置有第一电极膜(5)、设置在第一电极膜(5)上的第一非金属导电性中间膜(4)、设置在第一非金属导电性中间膜(4)上的压电膜(3)、设置在压电膜(3)上的第二非金属导电性中间膜(2)、以及设置在第二非金属导电性中间膜(2)上的第二电极膜(1)。第一非金属导电性中间膜(4)的线性膨胀系数大于第一电极膜(5)和压电膜(3)的线性膨胀系数，并且第二非金属导电性中间膜(2)的线性膨胀系数大于第二电极膜(1)和压电膜(3)的线性膨胀系数。
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