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公开(公告)号：CN1216116C
公开(公告)日：2005-08-24
申请号：CN00104157.6
申请日：2000-03-15
Applicant: 东京磁气印刷株式会社 , TDK株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1472
Abstract: 本发明涉及一种游离磨料浆料组合物，该游离磨料浆料组合物有利于由多种各自有不同硬度的材料构成的复合材料的均匀研磨，不会引起选择性研磨。该游离磨料浆料组合物含有磨料颗粒、防摩擦剂作为防选择性研磨剂、以及分散剂，所述防摩擦剂是其分子链中含有硫和/或磷，或羟基的化合物。
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公开(公告)号：CN1207374C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN01103041.0
申请日：2001-01-18
Applicant: 东京磁气印刷株式会社 , TDK株式会社
IPC: C10M115/04 , C10N30
CPC classification number: B24B37/048 , B24B37/042
Abstract: 本发明涉及一种研磨油组合物，该组合物有利于在抛光研磨中的使用，提供高质量的研磨表面，不会引起在抛光研磨复合材料时出现的选择研磨。研磨油组合物含有至少一种炔族二醇化合物，较好的还含有至少一种磷酸酯化合物。
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公开(公告)号：CN1266875A
公开(公告)日：2000-09-20
申请号：CN00104157.6
申请日：2000-03-15
Applicant: 东京磁气印刷株式会社 , TDK株式会社
IPC: C09K3/14
CPC classification number: C09G1/02 , C09K3/1472
Abstract: 本发明涉及一种游离磨料浆料组合物,该游离磨料浆料组合物有利于由多种各自有不同硬度的材料构成的复合材料的均匀研磨,不会引起选择性研磨。该游离磨料浆料组合物含有磨料颗粒、防摩擦剂作为防选择性研磨剂、以及分散剂,所述防摩擦剂是其分子链中含有硫和/或磷,或羟基的化合物。
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公开(公告)号：CN1312545A
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN01103077.1
申请日：2001-01-22
Applicant: TDK株式会社 , 东京磁气印刷株式会社
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/048 , G11B5/3103 , G11B5/3116 , G11B5/3163
Abstract: 本发明为用于抛光磁头浮动块减小处理致台阶的方法,包括:一杆沿抛光板径向往返运动,并使有抛光面的抛光板旋转,对磁头浮动块的空气轴承面抛光,该杆包括有薄膜磁头件的磁头浮动块。使抛光板以第一速旋转作高度抛光的第一抛光步骤,使抛光板以等于或小于第一速的第二速旋转作精抛光的第二抛光步骤,在第二步中，第二速如此设置，使得沿抛光板旋转方向的平均线速等于或小于0.032米/秒(最好0.008米/秒)。以减小处理致台阶。
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公开(公告)号：CN1196107C
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN01103077.1
申请日：2001-01-22
Applicant: TDK株式会社 , 东京磁气印刷株式会社
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/048 , G11B5/3103 , G11B5/3116 , G11B5/3163
Abstract: 本发明为用于抛光磁头浮动块减小处理致台阶的方法，包括：一杆沿抛光板径向往返运动，并使有抛光面的抛光板旋转，对磁头浮动块的空气轴承面抛光，该杆包括有薄膜磁头件的磁头浮动块。使抛光板以第一速旋转作高度抛光的第一抛光步骤，使抛光板以等于或小于第一速的第二速旋转作精抛光的第二抛光步骤，在第二步中，第二速如此设置，使得沿抛光板旋转方向的平均线速等于或小于0.032米/秒(最好0.008米/秒)。以减小处理致台阶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1309167A
公开(公告)日：2001-08-22
申请号：CN01103041.0
申请日：2001-01-18
Applicant: 东京磁气印刷株式会社 , TDK株式会社
IPC: C10M115/04 , C10N30/00
CPC classification number: B24B37/048 , B24B37/042
Abstract: 本发明涉及一种研磨油组合物,该组合物有利于在抛光研磨中的使用,提供高质量的研磨表面,不会引起在抛光研磨复合材料时出现的选择研磨。研磨油组合物含有至少一种炔族二醇化合物,较好的还含有至少一种磷酸酯化合物。
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公开(公告)号：CN1253853C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN00118848.8
申请日：2000-06-21
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/3166 , G11B5/3169 , G11B5/3173 , G11B5/39 , H01F41/14
Abstract: 本发明提供一种用于制造磁换能器的方法。在开始抛光之前，获取包含对最终MR阻值具有影响的，在晶片阶段的各种因素的信息，并通过使用统计机制来由该信息计算S值。在抛光步骤中，以规律的间隔来获取包含对最终MR阻值具有影响的，在抛光阶段的各类因素的信息。并使用统计机制来计算K值。接着，由S值和K值来计算在抛光步骤中的MR阻值估计值。当MR阻值估计值达到目标阻值时，停止抛光。
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公开(公告)号：CN1165971C
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN98122796.1
申请日：1998-12-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/304 , B08B3/12
CPC classification number: H01L21/67057 , B08B1/04 , B08B3/12 , H01L21/67046 , Y10S134/902
Abstract: 本发明能高效率地、且有效地进行刷洗和超声波清洗。在用清洗装置20清洗晶片11时，将清洗液30容纳在清洗槽31内，在将刷子33a、33b打开的状态下，将晶片11插入清洗槽31内，将其保持在摇动·旋转滚子32a～32d上。此后，将刷子33a、33b闭合，用刷子33a、33b夹持晶片11。其次使刷子33a、33b旋转，还用摇动·旋转滚子32a～32d等使晶片11摇动及旋转，再用超声波发生装置36对清洗槽31内的清洗液30附加超声波。
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公开(公告)号：CN1208912A
公开(公告)日：1999-02-24
申请号：CN98115042.X
申请日：1998-06-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/1871 , B24B7/16 , B24B7/22 , B24B41/06 , G11B5/3103 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , Y10T29/49048 , Y10T29/4905
Abstract: 一个具有排列在其上的多个薄膜磁头的待研磨物件在下述情况下受到研磨,把一个其上固定有该物件的一个水平长型夹具安装在一个研磨头上,使该物件与已被驱动和旋转的研磨盘的研磨表面相面接触,通过一个与研磨盘的该研磨表面处于面接触状态的调整环来控制该研磨头的体位。因此通过使该物件的体位以研磨盘的研磨表面作为基准来进行控制,可以改进物件的平直度并且可以减少在待研磨物件上形成的许多磁头的喉部高度的变化。
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公开(公告)号：CN1270320C
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN99120725.4
申请日：1999-09-27
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/102 , B24B37/048 , B24B49/16 , G11B5/1871 , G11B5/3106
Abstract: 本发明的目的在于利用研磨部件对滑块的边缘部分进行研磨、对边缘部分进行磨边加工时，防止研磨部件被边缘部分切断。用本发明的滑块保持夹具所保持的滑块与金刚石研磨片相接触。使负荷施加部从其最下段的法码的轴部下端部位于滑块保持夹具上方、且不与滑块保持夹具接触的状态向下方移动，而成为配置在数段上的法码依次从下段一侧对滑块保持夹具施加负荷的状态。
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